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功率器件发展趋势和前沿技术
任敏 教授
02:42:26 / 共5课时
课程介绍了硅基功率半导体器件技术进展、宽禁带功率半导体器件技术
目录
介绍

1.1 引言

19:23

2.1 硅基功率半导体器件技术发展

35:02

2.2 功率二极管

36:22

2.3 IGBT

48:44

3.1宽禁带功率半导体器件技术

22:55
直播简介
【课程大纲】
1. 引言

2. 硅基功率半导体器件技术进展

2.1 功率MOSFET

2.2 功率二极管

2.3 IGBT

3. 宽禁带功率半导体器件技术

3.1 SiC

3.2 GaN
演讲老师
任敏 教授
电子科技大学副教授,清华大学博士,美国伊利诺伊理工大学访问学者
任敏 教授 电子科技大学副教授,清华大学博士,美国伊利诺伊理工大学访问学者。作为项目负责人承担了国家自然科学基金、国家科技重大专项(02专项)、总装预研基金等多项国家级课题。发表SCI、EI收录论文30余篇,授权美国发明专利1项,授权中国发明专利近30项,获2016年四川省科技进步一等奖。
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