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新功率器件的原理及在软开关拓扑的应用
梁晓军
02:01:20 / 共4课时
1. 半导体材料简介 2. MOSFET&GaN 原理介绍 3. 功率MOSFET的参数理解 4. Coss 的回滞损耗的原理及测量方法 5. Coss 的回滞损耗在软开关拓扑PD充电器中的影响
目录
介绍

1- 半导体材料简介

28:59

2- 受热发生自由电子与空穴

29:05

3- 导通电阻的构成

29:01

4- 结电容

34:15
直播简介
随着功率密度要求越来越高,为了消除开通损耗越来越多的电源使用软开关拓扑,工程师通常认为软开关拓扑只有关断损耗及导通损耗,本课程将会引入新的损耗概念-Coss 的回滞损耗
演讲老师
梁晓军
世纪电源网资深版主,ID:leoliang
英飞凌科技主任工程师 主要研究方向:高频半导体功率变化技术,直流供电系统集成的理论与若干关键技术研究.多磁路集成仿真与研究。
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