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探讨EMC诊断技术直播-器件篇
黄敏超
56:04 / 共2课时
1. 掌握有源器件开关特性的理论分析能力 2. 掌握如何分析高频回路来解决 EMI 问题 3. 掌握如何分析时域波形来解决 EMI 问题 4. 掌握如何采用时频对照方法来分析 EMI 问题 5. 掌握如何确认寄生参数对 EMI 影响 6. 掌握如何选型有源器件和相关电路设计
目录
介绍

1- 高频回路与 EMI 剖析

26:18

2- MOS 管的高频开关特性剖析

29:46
直播简介
电压突变和电流突变的噪声源主要是有源器件的高频开关引起的,再经相关电路中的无源器件产生对外的电磁干扰。有源器件主要包括 MOS 管和二极管,本次讲座会结合电路详细讲解 MOS 管和二极管的高频开关特性、相关回路,以及器件的寄生参数对EMI的影响。

实验演示环节会比较不同的 MOS 管的驱动方式对 EMI 的影响,模拟不同的器件寄生参数对 EMI 的影响,同时通过时频对照的方式来应对理论分析的结果。
演讲老师
黄敏超
博士
黄敏超 中国电源学会理事、专家委员会委员,青年工作委员会委员,科普工作委员会主任委员。现担任上海正远电子技术咨询总经理 ,从事电力电子的电路平台优化方案、电磁解决方案、可靠性解决方案的研究。1998年浙江大学电力电子技术专业,研究高频链光伏逆变器获博士学位,并任教两年,2000年-2011年先后加入伊博电源杭州有限公司、通用电气全球研发中心、奥尔特上海电子有限公司,组建研发团队,开发高效、高可靠性的医用电源。具有丰富的可靠性和电磁兼容方面的理论和实践经验,拥有多项国内外专利,发表多篇专业论文和书籍。
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