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突破封装极限:安世 CCPAK1212 MOSFET 解锁更高功率密度与可靠性
张庆高
43:13 / 共2课时
目录
介绍

突破封装极限:安世 CCPAK1212 MOSFET 解锁更高功率密度与可靠性(上)

18:44

突破封装极限:安世 CCPAK1212 MOSFET 解锁更高功率密度与可靠性(下)

24:29
课程简介
课程介绍:
1. Nexperia CCPAK1212/i MOSFET 封装介绍;
2 . Nexperia CCPAK1212/i 系列 MOS 产品相关及应用介绍;
3. Nexperia MOS 线上支持工具介绍
技术亮点: Nexperia 的 JEDEC 标准铜夹片 CCPAK1212 MOSFET 封装突破了性能和效率的上限。尺寸设计紧凑,仅 12mm×12mm ,可提供两种散热选项: CCPAK1212i 采用反向顶部散热;CCPAK1212 采用底部散热。这类封装的额定功率高达 1.5 kW 、电阻和热阻较低、电流密度高且 SOA 性能非常出色,可确保实现优越的可靠性和效率,满足下一代工业应用的高功率需求。
学习收获: 了解 Nexperia 高功率密度、大电流、低内阻的
MOS 在 BMS/Motor cotorl/DCDC 等大电流、高功率密度、高可靠性的应用。
演讲老师
张庆高
MOS 产品线首席应用工程师
现担任安世半导体 MOSFET 产品线首席应用工程师,主要负责公司 MOSFET产 品的技术支持以及市场推广工作。具有十多年的半导体行业经验,曾于国外知名半导体和电源研发公司任职数年,对功率半导体器件以及应用具有较深认识。
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