张卫平 教授
中国电源学会常务理事
第三代功率半导体器件的应用技术基础
目录
介绍
1-第三代功率半导体材料的物理特性
06:38
2-碳化硅(SiC)二极管
11:45
3-SiC-MOSFET
14:05
4-GaN-MOSFET、SiC 与 GaN 的比较
29:44
课程简介
一、第三代功率半导体材料的物理特性
① 半导体材料发展过程
② SiC、GaN与Si的参数对比
二、碳化硅（SiC）
① SiC肖特基功率二极管结构及其等效电路
② SiC功率二极管正向特性
③ SiC功率场效应晶体管结构
④ SiC-MOSFET的特性（开关特性、导通电阻、输出特性）
⑤ SiC-MOSFET驱动电路的基础知识
⑥ 典型驱动电路（单管、桥式、抑制串扰、双管）
三、氮化镓（GaN）
① 导电原理
② 工作原理
③ 双向导通原理
④ 输出特性、导通电阻、转移特性
⑤ 驱动电路
四、SiC与GaN的比较与应用
① 半导体材料发展过程
② SiC、GaN与Si的参数对比
二、碳化硅（SiC）
① SiC肖特基功率二极管结构及其等效电路
② SiC功率二极管正向特性
③ SiC功率场效应晶体管结构
④ SiC-MOSFET的特性（开关特性、导通电阻、输出特性）
⑤ SiC-MOSFET驱动电路的基础知识
⑥ 典型驱动电路（单管、桥式、抑制串扰、双管）
三、氮化镓（GaN）
① 导电原理
② 工作原理
③ 双向导通原理
④ 输出特性、导通电阻、转移特性
⑤ 驱动电路
四、SiC与GaN的比较与应用
演讲老师
北方工业大学原学科建设办公室主任，教育部电气工程及其自动化专业教学指导委员会委员，节能照明电源集成与制造北京市重点实验室主任，电子信息工程北京市一流专业负责人，中国电源学会常务理事，直流专业委员会主任。主要研究方向为高强度气体放电灯用电子镇流器、开关变换器建模与控制。迄今已有国家八.五和九五攻关项目（各1项）、国家自然科学基金项目（3项）、国家重点技术创新项目（1项）、北京市自然科学基金项目（1项）、省部级重点课题2项，2006年入选为“北京市拔尖人才”。在开关变换器的建模、控制、负载匹配等研究领域做出了突出贡献。发表学术论文90余篇，其中30余篇被EI或ISTP收录，获中国专利6项，其学术研究成果得到国内外同行专家以及工业界的认可和赞赏。