梁晓军
英飞凌高级主任工程师
新型宽禁带半导体器件的研究与探索
目录
介绍
1- 氮化镓功率器件的原理与特性（上）
32:14
2- 氮化镓功率器件的原理与特性（下）
38:28
3- 碳化硅超级结技术简介
20:40
课程简介
1. 介绍宽禁带功率器件的原理与特性
2. 氮化镓器件的驱动设计与仿真计算
3. 宽禁带半导体的材料特性及氮化镓器件的基本结构
4. 碳化硅的超级结技术介绍
5. 碳化硅超级结工艺流程
2. 氮化镓器件的驱动设计与仿真计算
3. 宽禁带半导体的材料特性及氮化镓器件的基本结构
4. 碳化硅的超级结技术介绍
5. 碳化硅超级结工艺流程
演讲老师
世纪电源网资深版主
主要研究方向：高频半导体功率变化技术，直流供电系统集成的理论与若干关键技术研究.多磁路集成仿真与研究。