随着节能减排、新能源发电、智能电网和无线通信等领域的迅猛发展，电源和控制器行业对功率半导体器件的性能和可靠性要求日益提高。为满足这些需求，基于硅材料的功率半导体器件已经接近其物理极限，而以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代宽禁带功率半导体材料的崛起引发了全球范围内的关注。

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