新型宽禁带半导体器件的研究与探索
讲师：梁晓军
1. 介绍宽禁带功率器件的原理与特性
2. 氮化镓器件的驱动设计与仿真计算
3. 宽禁带半导体的材料特性及氮化镓器件的基本结构
4. 碳化硅的超级结技术介绍
5. 碳化硅超级结工艺流程
梁晓军 英飞凌高级主任工程师
世纪电源网资深版主，主要研究方向：高频半导体功率变化技术，直流供电系统集成的理论与若干关键技术研究.多磁路集成仿真与研究。
直播互动
lion9198
关断时产生负压影响产品性能吗？
2021-07-30 16:04:43
专家：
这个不影响产品性能，确保GaN可靠的关断而已
水荷
请问有spice model做电路仿真吗？
2021-07-30 15:47:11
专家：
请访问各大公司网站下载
雁月西楼
氮化镓器件工作频率高，对磁性材料有哪些要求？
2021-07-30 15:24:47
专家：
磁性材料需要高频磁芯
我是我
碳化硅未来的发展方向会是什么
2021-07-30 15:13:17
专家：
碳化硅主要目标应用是大功率与特大功率，比如说直流电力传输等
水荷
在选择GaN MOSFET的驱动芯片时有什么要求？
2021-07-30 15:33:05
专家：
现在很多氮化镓基本上不需要特别的驱动芯片，一个简单的RRC电路就可以满足
胡
碳化硅的禁带更宽一些还是氮化镓的禁带更宽
2021-07-30 15:12:24
专家：
氮化镓略宽一点
阿龙哥
宽禁带材料是不是在高温高湿环境下性能也是会很稳定的.
2021-07-30 15:32:33
专家：
是的，由材料特性决定的
王强
氮化镓产品使用时与原来硅产品比较需要注意些什么？
2021-07-30 15:28:56
专家：
主要差异是驱动设计
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