碳化硅场效应管栅驱动技术
讲师：许逵炜
一、芯侠之杖，驱动概述
二、15V 与18V 之辨
三、ON 与 OFF 之驱力平衡
四、过流检测及保护
五、驱动布局与供电
六、实战三例，游刃有余不再难
二、15V 与18V 之辨
三、ON 与 OFF 之驱力平衡
四、过流检测及保护
五、驱动布局与供电
六、实战三例，游刃有余不再难
许逵炜 世纪电源网资深版主、英飞凌科技研发主任
中国电源学会专家委员会委员
网名 xkw1cn，主要从事电力电子变换及相关技术研发和相关技术推广工作。多年从事工业特种电源研发、设计的工作。曾参加并联型电力有源滤波器等自然科学基金项目。带领博士团队探索研发大功率非接触传能等先进理论、技术，发表多篇论文并被 IEEE 等收录。
直播互动
wangwj123
减小损耗需要设计在饱和区？
2022-09-21 16:25:59
专家：
这要看设计结构。通常，对于磁芯，损耗只要来自ΔB。
科技守望者
以前测试时发现，外部电压测量线稍微长一点，测量vce电压就很高，请问这个真实吗？
2022-09-21 16:34:59
专家：
这种现象很常见，波形是不真实的。由于寄生LC，测试非常需要技巧。一般，推荐至少用弹簧地线做探头地线测量。最近，各家公司有退出光隔离探头，有助改善。
jiaoxy
SiC MOS驱动负压怎么选？负压过大会影响管子寿命吗？
2022-09-21 16:31:00
专家：
负压主要会导致后期RDSON衰退。一般不建议用负压驱动。可以用带钳位的驱动实现同样功能。
旧梦
碳化硅驱动芯片的峰值电流需要多大？
2022-09-21 16:25:00
专家：
目前，集成驱动直接输出能力已达到15A。已够绝大多数应用。通常TO247封装，很少会超过2A，后续有计算分享。
旧梦
请问有没有碳化硅的三相全桥驱动模块？
2022-09-21 16:18:59
专家：
目前已有这样的智能模块。如英飞凌出产的IM828XCC。驱动与SiC MOSFET封装集成
stonemoore
驱动器使用隔离变压器或芯片内部隔离有什么优缺点？哪个更适合SIC mosfet
2022-09-21 16:15:59
专家：
用外置隔离变压器，最大问题是分布参数比较大。不太适合高速开关应用。
taotoby
减少dv/dt或di/dt有利于EMI吗？
2022-09-21 16:18:59
专家：
有这方面趋势。电磁兼容是结构与dv/dt的综合要求。减小一个因素，确实有一定效果。最好从系统考虑，达到平衡为宜。
switchconverter
有自带保护功能的驱动器吗
2022-09-21 17:00:59
专家：
有很多这样的驱动。比如2ED020I12F2，就是带检测饱和压降测过流的带保护驱动IC。
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