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功率 MOSFET 的开关损耗分析
陈桥梁
51:25 / 共3课时
本次课程主要介绍功率 MOSFET 的开关损耗分析
目录
介绍

1.1 功率 MOSFET 的开关损耗分析(一)

19:13

1.2 功率 MOSFET 的开关损耗分析(二)

13:39

1.3 功率 MOSFET 的开关损耗分析(三)

18:33
课程简介
1.功率 MOSFET 的开关损耗分析
2.影响功率 MOSFET 开关损耗的因素
3.功率 MOSFET 损耗计算和测量方法
4.电力电子系统的损耗和效率估算方法
演讲老师
陈桥梁
博士
陈桥梁 2001年在西安交通大学获得电气工程学士学位,同年保送读研,并分别于2004年、2008年在西安交通大学获得电气工程学院电力电子硕士和博士学位。2009年在美国弗吉尼亚理工大学(Virginia Tech.)电力电子系统研究中心(CPES)进行访问学者研究。2007年至2008年,任台湾全汉(FSP)西安分公司总监,2009年至2011年,任博兰得(FSP-POWERLAND)电子科技西安分公司总监,2011年加入西安龙腾新能源科技发展有限公司,历任技术总监、副总经理。 陈桥梁博士在IEEE国际期刊和国际会议上发表论文15篇,拥有7项美国专利,35项中国专利。他是中国电源学会理事、专家委员会委员、新能源专业委员会理事、元器件专业委员会理事。获得2011年陕西省“青年科技新星”、入选2012年西安市“5211”人才计划,入选2014年陕西省“百人计划”特聘专家。
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