第三代功率半导体器件的应用技术基础
讲师：张卫平
一、第三代功率半导体材料的物理特性
① 半导体材料发展过程
② SiC、GaN 与 Si 的参数对比
二、碳化硅（SiC）
① SiC 肖特基功率二极管结构及其等效电路
② SiC 功率二极管正向特性
③ SiC 功率场效应晶体管结构
④ SiC-MOSFET 的特性（开关特性、导通电阻、输出特性）
⑤ SiC-MOSFET 驱动电路的基础知识
⑥ 典型驱动电路（单管、桥式、抑制串扰、双管）
三、氮化镓（GaN）
① 导电原理
② 工作原理
③ 双向导通原理
④ 输出特性、导通电阻、转移特性
⑤ 驱动电路
四、SiC 与 GaN 的比较与应用
张卫平 北方工业大学教授
北方工业大学学科建设办公室主任、电力电子与电气传动学科带头人，教育部电气工程及其自动化专业教学指导委员会委员。
主要研究方向为高强度气体放电灯用电子镇流器、压电陶瓷变压器型功率变换器、谐振变换器、功率电磁兼容和功率集成技术等。迄今已有国家八.五和九五攻关项目（各 1 项）、国家自然科学基金项目（3 项）、国家重点技术创新项目（1 项）、北京市自然科学基金项目（1 项）、省部级重点课题 2 项，2006 年入选为“北京市拔尖人才”。在开关变换器的建模、控制、负载匹配等研究领域做出了突出贡献。发表学术论文 90 余篇，其中 30 余篇被 EI 或 ISTP 收录，获中国专利 6 项，其学术研究成果得到国内外同行专家以及工业界的认可和赞赏。
直播互动
zhyouer
功率因数与失真度的关系是什么？
2022-08-16 13:57:32
PI培训：
PF和THD是存在关系的，THD越大，PF越低，但THD小不意味着PF高，还要考虑电流相位(cos)的影响。THD既要小，同时还要在高频处的谐波分量尽量的小，以减少干扰。
htbetter
有源钳位反激与QR之间是什么关系
2022-08-16 14:01:22
PI培训：
有源前卫反激是一种对漏感能量回收的方式，QR是一种准谐振电路，相比传统的反激有着更高的效率。PI除了有QR 反激外，还有ZCS 反激拓扑，最优的情况下可以实现初级测FET零电流开通，请到PI官网查看详细。
ssg
SIC器件，GaNq器件驱动和IGBT驱动有什么区别
2022-08-16 14:01:40
PI培训：
这个问题需要分很多状况来讨论，就那普通的SIC和GAN俩说，他们有更小的寄生电容，开关速度快的同时还带来了抗干扰能力差的问题，需要控制layout和驱动器的寄生电感，如果太可能会出现一些异常的状况，IGBT通常用于高电压大电流的场合，驱动器需要检测IGBT的工作状况，比SIC和SI等稍微复杂，可以到Power Integrations 官网查看Idriver相关IGBT驱动器产品。
xiaohong
有源钳位相比无源都有些什么优势
2022-08-16 14:03:14
PI培训：
可以回收漏感能量，效率可以更高，开关频率可以做到更高，变压器可以做得更小，提高功率密度
胡康
为什么基于 GaN 的变换器在低输入电压下的效率提高比在高输入电压下更大？
2022-08-16 14:03:56
PI培训：
因为GanFET
zhyouer
是不是谐波失真越小功率因数就越高？
2022-08-16 14:04:25
PI培训：
PF和THD是存在关系的，THD越大，PF越低，但THD小不意味着PF高，还要考虑电流相位(cos)的影响。
清晨晨光
功率因数校正适用于多少功率以上的电源？
2022-08-16 14:04:57
PI培训：
并无明确定义多大功率，需要根据不同的标准去满足其要求即可，欧洲和国内要求75W以上电源谐波需要满足其制订的要求
xiaohong
有源钳位相比无源做了些什么改进
2022-08-16 14:07:07
PI培训：
ACF可以回收漏感能量，提高效率
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