一、第三代功率半导体材料的物理特性
① 半导体材料发展过程
② SiC、GaN 与 Si 的参数对比
二、碳化硅（SiC）
① SiC 肖特基功率二极管结构及其等效电路
② SiC 功率二极管正向特性
③ SiC 功率场效应晶体管结构
④ SiC-MOSFET 的特性（开关特性、导通电阻、输出特性）
⑤ SiC-MOSFET 驱动电路的基础知识
⑥ 典型驱动电路（单管、桥式、抑制串扰、双管）
三、氮化镓（GaN）
① 导电原理
② 工作原理
③ 双向导通原理
④ 输出特性、导通电阻、转移特性
⑤ 驱动电路
四、SiC 与 GaN 的比较与应用
张卫平
北方工业大学教授
北方工业大学学科建设办公室主任、电力电子与电气传动学科带头人，教育部电气工程及其自动化专业教学指导委员会委员。
主要研究方向为高强度气体放电灯用电子镇流器、压电陶瓷变压器型功率变换器、谐振变换器、功率电磁兼容和功率集成技术等。迄今已有国家八.五和九五攻关项目（各 1 项）、国家自然科学基金项目（3 项）、国家重点技术创新项目（1 项）、北京市自然科学基金项目（1 项）、省部级重点课题 2 项，2006 年入选为“北京市拔尖人才”。在开关变换器的建模、控制、负载匹配等研究领域做出了突出贡献。发表学术论文 90 余篇，其中 30 余篇被 EI 或 ISTP 收录，获中国专利 6 项，其学术研究成果得到国内外同行专家以及工业界的认可和赞赏。
主要研究方向为高强度气体放电灯用电子镇流器、压电陶瓷变压器型功率变换器、谐振变换器、功率电磁兼容和功率集成技术等。迄今已有国家八.五和九五攻关项目（各 1 项）、国家自然科学基金项目（3 项）、国家重点技术创新项目（1 项）、北京市自然科学基金项目（1 项）、省部级重点课题 2 项，2006 年入选为“北京市拔尖人才”。在开关变换器的建模、控制、负载匹配等研究领域做出了突出贡献。发表学术论文 90 余篇，其中 30 余篇被 EI 或 ISTP 收录，获中国专利 6 项，其学术研究成果得到国内外同行专家以及工业界的认可和赞赏。
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