第三代功率半导体器件的应用技术基础
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2022/08/16 15:00-16:00
讲师:张卫平
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  • 一、第三代功率半导体材料的物理特性

    ① 半导体材料发展过程

    ② SiCGaN 与 Si 的参数对比


    二、碳化硅(SiC)

    ① SiC 肖特基功率二极管结构及其等效电路

    ② SiC 功率二极管正向特性

    ③ SiC 功率场效应晶体管结构

    ④ SiC-MOSFET 的特性(开关特性、导通电阻、输出特性)

    ⑤ SiC-MOSFET 驱动电路的基础知识

    ⑥ 典型驱动电路(单管、桥式、抑制串扰、双管)


    三、氮化镓(GaN)

    ① 导电原理

    ② 工作原理

    ③ 双向导通原理

    ④ 输出特性、导通电阻、转移特性

    ⑤ 驱动电路


    四、SiC 与 GaN 的比较与应用


张卫平     北方工业大学教授
北方工业大学学科建设办公室主任、电力电子与电气传动学科带头人,教育部电气工程及其自动化专业教学指导委员会委员。
主要研究方向为高强度气体放电灯用电子镇流器、压电陶瓷变压器型功率变换器、谐振变换器、功率电磁兼容和功率集成技术等。迄今已有国家八.五和九五攻关项目(各 1 项)、国家自然科学基金项目(3 项)、国家重点技术创新项目(1 项)、北京市自然科学基金项目(1 项)、省部级重点课题 2 项,2006 年入选为“北京市拔尖人才”。在开关变换器的建模、控制、负载匹配等研究领域做出了突出贡献。发表学术论文 90 余篇,其中 30 余篇被 EI 或 ISTP 收录,获中国专利 6 项,其学术研究成果得到国内外同行专家以及工业界的认可和赞赏。
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