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2024年10月09日 10:00-11:00
跨电感稳压器 (TLVR) 简介
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    2024年10月11日 10:00-12:00
    是德科技全新 HD3 系列示波器为高质量电源调试带来新的可能
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    2024年10月16日 10:00-11:00
    线性稳压器的提示、技巧和高级应用
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    2024年10月22日 10:00-12:00
    基于恩智浦 MPU/MCU 的物联网解决方案
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    2024年10月23日 10:00-11:00
    相移全桥转换器基础知识
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    2024年10月28日 14:00-15:30
    onsemi LV/MV MOSFET 产品介绍 & 行业应用
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    2024年11月05日 10:00-12:00
    安森美(onsemi)碳化硅类产品的应用
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    2024年10月09日 10:00-11:00
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    线性稳压器的提示、技巧和高级应用
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    2024年09月26日 14:00-15:30
    onsemi 图像传感技术助推您视觉产品创新
专题培训
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安森美/WT 工业主题直播
2场直播
专家:许逵炜
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WPI - onsemi 助力实现高效能电源技术设计主题直播
2场直播
专家:傅恺宁
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是德科技直播周
2场直播
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2024年 - 物联网 IoT 主题直播
3场直播
专家:黄庆卿
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2024 年 WT & onsemi 电动汽车主题直播 - 电驱、车载电源、充电桩技术直播
2场直播
专家:王正仕
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2024 得捷周六专家直播
6场直播
专家:黄庆卿,薛凌霄,徐强华,朱文杰,郑庆杰,文天祥
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贸泽电子直播特训营 带你备战TI杯2024 大学生电子设计竞赛
4场直播
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是德科技直播周
3场直播
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2024 第三代半导体主题直播
3场直播
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TI 杯 2024 年大学生电子设计竞赛 直播集训营,一键get 备赛重点
6场直播
专家:盛庆华、杭丽君
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2024 电源管理与能源主题直播
3场直播
专家:文天祥
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是德科技直播周
2场直播
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是德科技直播周
2场直播
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SiC 主题直播
2场直播
专家:傅玥
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onsemi & WPI 能源专题直播
2场直播
专家:张兴
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贸泽与你大咖说
1场直播
专家:饶骞、吴桐、张贤焕
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汽车电子化与新能源汽车动力方案主题直播
2场直播
专家:王正仕
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是德科技直播周
2场直播
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2023 物联网专题直播
3场直播
专家:黄庆卿
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2023 碳化硅技术专题直播
2场直播
专家:李贺龙
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是德科技直播周
2场直播
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2023 家电专题直播
2场直播
专家:陶渊
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2023 电动汽车技术专题直播
2场直播
专家:王正仕
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是德科技直播周
2场直播
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2023 第三代半导体技术专题直播
2场直播
专家:张之梁
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中国芯·新发展高峰论坛
1场直播
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2023 光伏能源储能及电动车充电技术主题直播
2场直播
专家:王正仕
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新一代磁集成电源系统芯片
1场直播
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2023医疗电子电路设计专题直播
2场直播
专家:徐强华
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2023 loT 物联网应用技术主题直播
3场直播
专家:陈曦
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是德科技直播周
2场直播
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2023 得捷周六专家直播
6场直播
专家:徐爽,王正仕,傅玥,魏芝浩,傅恺宁,徐晓泉
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2023 储能电路设计方案技术专题直播
2场直播
专家:张兴
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六场直播带你轻松备战,TI 杯 2023年全国大学生电子设计竞赛
6场直播
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2023 电动汽车技术专题直播
4场直播
专家:王正仕,崔其祥
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贸泽与你大咖说——物联网连接智能世界
1场直播
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是德科技直播周
3场直播
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是德科技直播周
2场直播
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2022 工业与自主移动机器人技术专题
2场直播
专家:崔其祥
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2022 车载技术专题 - 图像传感器方案和优势
2场直播
专家:崔其祥
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2022 碳化硅(SiC)专题——应用在能源市场的解决方案
2场直播
专家:崔其祥
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TI Live!相约进博会
3场直播
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2022 IoT 物联网与云计算专题直播
3场直播
专家:黄庆卿
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ADI MCUs 应用专题
3场直播
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是德科技直播周
2场直播
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2022 新能源汽车电池技术专题
3场直播
专家:崔其祥
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2022 工业电源/绿色制造专题直播
3场直播
专家:许逵炜
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2022 新能源汽车专题直播
3场直播
专家:崔其祥
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MPS 第五届电源 EMI 分析与优化设计研讨会
1场直播
专家:王硕
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2022 储能技术专题直播
3场直播
专家:郑大为
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2022 国际专家系列直播
4场直播
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2022 宽禁带专题直播
1场直播
专家:张卫平
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工业电源专题
2场直播
专家:许逵炜
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2022 得捷周六专家直播
6场直播
专家:文天祥,蒋栋,裴雪军,林国庆,夏超英,王晓远
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助力 Nordic nRF Connect SDK 轻松开发 Matter 产品
2场直播
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第三代半导体应用专题
4场直播
专家:闫大为
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工业物联网专题
2场直播
专家:陈曦
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是德感恩月功率技术大讲堂
1场直播
专家:崔其祥
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TI 杯 2022 年省级大学生电子设计竞赛 赛区系列培训会
3场直播
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消费类电子/家电专题
5场直播
专家:袁金荣,陶渊
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电机驱动专题
4场直播
专家:杨贵杰,徐强华
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电磁兼容专题
4场直播
专家:黄敏超
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数据中心服务器专题
3场直播
专家:周京华
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ADI 超越一切可能,世健 让您胜券在握
6场直播
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TI 杯 2022 年省级大学生电子设计竞赛 赛区系列培训会
2场直播
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新能源汽车/充电桩专题
5场直播
专家:李贺龙,赵會
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储能技术专题
4场直播
专家:吴良材
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是德科技直播周
2场直播
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MPS 研究室
2场直播
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大学生电子设计竞赛直播培训“六连击”
6场直播
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助力大学生电子设计竞赛直播特训营
10场直播
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是德科技直播周
2场直播
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TI 线上电源设计研讨会
6场直播
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安森美智能电源方案在线直播
1场直播
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安森美(onsemi)先进汽车电子方案在线直播
2场直播
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是德科技直播周
2场直播
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医疗专题
2场直播
专家:徐强华
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2021 得捷周六专家直播
6场直播
专家:许逵炜,陈庆彬,王正仕,梁晓军,林苏斌,戴欣
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Wolfspeed 2021 秋季系列在线研讨会
4场直播
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储能专题
4场直播
专家:郑大为,吴良材
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MEMS IoT 应用/宽禁带专题
7场直播
专家:张之梁,李志君,梁晓军
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MPS 第四届电源 EMI 分析与优化设计研讨会
1场直播
专家:王硕
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是德科技直播周
2场直播
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SiC 元器件在电动车市场的应用专题
2场直播
专家:王正仕
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贸泽与你大咖说
1场直播
专家:饶骞
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智慧楼宇技术/感测技术专题
4场直播
专家:黄敏超
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工业自动化专题
2场直播
专家:徐强华
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人工智能物联网专题
6场直播
专家:黄庆卿,饶骞
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助力全国大学生电赛加油站
6场直播
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是德科技直播周
2场直播
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5G 仪器技术与检测专题
6场直播
专家:张家波,许逵炜,徐强华
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助力全国大学生电赛直播训练营
10场直播
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是德感恩月
1场直播
专家:陈为
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是德科技直播周
3场直播
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贸泽与你大咖说
1场直播
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5G专题
6场直播
专家:汪士龙,林雪燕,林苏斌,徐强华
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智能家居
6场直播
专家:徐强华,陶渊
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TI 线上电源设计研讨会
6场直播
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是德科技直播周
2场直播
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物联网
8场直播
专家:严冬,黄庆卿,饶骞
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贸泽与你大咖说
1场直播
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第三届 国际专家电力电子技术培训
10场直播
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汽车电子
6场直播
专家:陈敏,王正仕
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是德科技直播周
2场直播
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板级电源管理系统
6场直播
专家:林苏斌,王水平, 徐强华
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工业控制与机器人
6场直播
专家:林苏斌,徐强华,杨贵杰
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快充技术专题
4场直播
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智能穿戴、医疗电子专题
2场直播
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助力全国大学生电子设计竞赛
6场直播
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工业技术专题
5场直播
专家:杨贵杰,林苏斌
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汽车技术专题
5场直播
专家:王巍, 陈庆彬
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助力全国大学生电子设计竞赛
10场直播
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MPS 电源技术直播周
5场直播
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电源技术专题
4场直播
专家:陈为,许逵炜
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是德感恩月
1场直播
专家:裴云庆
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探讨EMC诊断技术
6场直播
专家:黄敏超
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是德科技直播周
3场直播
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是德科技直播周
3场直播
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2019年 TI 杯全国大学生电子设计竞赛
4场直播
专家:李胜铭,闫孝姮
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2019年 TI 杯全国大学生电子设计竞赛
6场直播
专家:侯长波,黄根春,邓炳光
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2019 纳微半导体 GaN 技术培训直播
2场直播
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德州仪器(TI)汽车月
6场直播
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推陈出“芯”,“工”成业就
12场直播
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是德科技直播周
3场直播
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贸泽十周年
10场直播
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TI@您搭乘5月技术快车
10场直播
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电赛直播
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    2024年07月19日 13:40-16:00
    全国大学生电子设计竞赛测控类题目备赛及赛题解析(下)
    闫孝姮
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    2024年07月05日 13:40-16:00
    全国大学生电子设计竞赛测控类题目备赛及赛题解析(上)
    闫孝姮
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    2024年06月21日 13:30-16:00
    2023年全国电赛H题"信号分离装置"解析
    钱敏,平珏,张翠翠
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    2024年06月14日 13:40-16:00
    电源类题目解析与赛前准备
    陈小平
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    2024年05月24日 13:40-16:00
    电子设计竞赛综测基础培训与综合测评赛题解析
    王新怀 西安电子科技大学教授
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    2024年05月17日 13:30-16:00
    全国大学生电子设计竞赛控制类赛题要点解读
    钱敏,平珏,吴振宇
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    2024年04月26日 13:30-16:00
    竞赛作品中供电电源的优化
    钱敏,平珏,邓炳光
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    2024年04月19日 13:40-16:00
    全国大学生电子设计竞赛电源类赛题知识要点
    杭丽君
专家直播
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    2024年06月15日 14:00-17:00
    功率电感损耗分析与测试技术介绍
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    2024年06月01日 14:00-17:00
    光伏储能系统控制技术
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    2024年05月18日 14:00-17:00
    机器人产品电磁兼容设计
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    2024年05月11日 14:00-17:00
    氮化镓功率器件在快充充电器的应用
专家阵容
陈为
福州大学电气工程与自动化学院教授
主要研究方向为电力电子功率变换,功率电磁元件,电磁兼容分析与诊断,无线电能传输,电器、电磁和电气元件及系统仿真以及工程电磁场分析与应用等。在国内外著名学术刊物和国际会议发表论文90多篇,获美国和中国授权发明专利30多项。
陈为
福州大学电气工程与自动化学院教授
主要研究方向为电力电子功率变换,功率电磁元件,电磁兼容分析与诊断,无线电能传输,电器、电磁和电气元件及系统仿真以及工程电磁场分析与应用等。在国内外著名学术刊物和国际会议发表论文90多篇,获美国和中国授权发明专利30多项。
贾要勤
西安交通大学电气工程学院副教授、硕士生导师
1992年北京航空航天大学机电工程系本科毕业;1992~1995年在兰州飞控仪器总长任助理工程师;1998年西安交通大学机械工程系硕士毕业;2000年至2001年在日本东京工业大学进修; 2003年西安交通大学机械电子工程系博士毕业;2005年清华大学汽车工程系博士后出站。2005年至今在西安交通大学电气工程学院任教。 【主要研究方向】电力电子数字控制,分布式发电和微电网。
黄敏超
博士
中国电源学会理事、专家委员会委员,青年工作委员会委员,科普工作委员会主任委员。现担任上海正远电子技术咨询总经理,从事电力电子的电路平台优化方案、电磁解决方案、可靠性解决方案的研究。 1998年浙江大学电力电子技术专业,研究高频链光伏逆变器获博士学位,并任教两年,2000年-2011年先后加入伊博电源杭州有限公司、通用电气全球研发中心、奥尔特上海电子有限公司,组建研发团队,开发高效、高可靠性的医用电源。具有丰富的可靠性和电磁兼容方面的理论和实践经验,拥有多项国内外专利,发表多篇专业论文和书籍。
王水平
西安电子科技大学机电工程学院高级工程师
中国电源学会高级会员,中国电源学会特电专委会委员。陕西省电源学会常务理事,咨询工委会主任委员。西安市电源学会常务理事,培训与咨询工委会主任委员。从事电源技术应用方面的教学与科研工作30多年,共主持和完成电源技术方面的科研项目80余项,发表电源技术应用方面的学术论文30余篇,出版电源方面专著及编著20余部,出版国家十二五和十三五计划类高教电源方面教材4部,实用新型、外观设计与发明专利25余项,获省部级以上奖励5余项。自主研发了适应中国电源教育的“电源实验教学平台”,并在好多大学已投入电源实验教学使用。在全国大学生电子大赛、TI杯模拟电子设计大赛、国创等活动中,历年来由于成绩显著而荣获省级有优秀教练。现任成都国蓉科技有限公司-西电电源技术产学研研发中心主任、北京宏兆电子有限公司-西电电源技术产学研研发中心主任、佛山市顺德区冠宇达电源有限公司-西电电源技术产学研研发中心主任、启东市恒安防爆通信设备有限公司-西电产学研研发中心主任。2008年在国家科教兴省计划中作为电源方面的专家被浙江省科技厅引进到宁波市龙源照明电器有限公司兼总工,使该公司由原来的劳动密集型产品转型为高技术含量产品。具有极丰富的电源产品研发知识和经验,特别擅长于特种电源、新能源和军工电源的研制和开发。
汤天浩
上海海事大学 教授
现为上海海事大学教授、博士生导师。担任电气工程博士后流动站站长、中荷知识与创新中心主任、中法联合伽利略系统与海上安全智能交通研究所副所长。法国南特大学综合理工学院特邀教授。 IEEE Senior Member, IEEE电力电子学会(PELS)上海分部主席;2001至2005年担任国际自动控制联合会(IFAC)航运系统技术委员会委员;中国电源学会副理事长、科普工作委员会副主任;上海电源学会荣誉理事长;中国电工技术学会电力电子学会理事;中国自动化学会技术过程故障诊断与安全性专业委员会委员;中国造船学会信息技术委员会委员。
许逵炜
21Dianyuan 资深版主,网名 xkw1cn
中国电源学会专家委员会委员,主要从事电力电子变换及相关技术研发和相关技术推广工作。 多年从事工业特种电源研发、设计的工作。曾参加并联型电力有源滤波器等自然科学基金项目。带领博士团队探索研发大功率非接触传能等先进理论、技术,发表多篇论文并被 IEEE 等收录。
徐强华
恩宁安全技术(上海)有限公司 总工程师
30余年的电磁兼容一线技术专业经历,是目前国内屈指可数的集电磁兼容理论与设计实践于一身的资深电磁兼容技术专家。其主持电磁兼容设计及测试工作涉及领域:技术层级从EMC设计、标准、检测到整改;在EMC实验室建造、监理、验收、运行方面尤其造诣深厚。
饶骞
是德科技 中国区分销市场经理
1997年加入中国惠普公司测试测量仪器部,之后随公司的战略重组,2000年进入安捷伦科技。在2014年,在安捷伦的战略拆分中,转入是德科技(中国)有限公司,先后负责通用测量仪器、电源和能源市场、亚太地区教育市场等开发工作。先担任是德科技中国区渠道市场的开发。
郭春明
世纪电源网资深版主 ID:cmg
毕业于南京航空航天大学自控系,从事电源行业20多年,加入纳微前在PI 工作13年,作为应用主管一直负责技术应用工作,去年加入纳微科技,致力于氮化镓的应用和推广 电源学会专家委员会委员
蒋栋
华中科技大学教授
华中科技大学教授、博士。 于2005年和2007年分别获得清华大学电气工程专业学士与硕士学位,2011年获得美国田纳西大学博士学位。 2012-2015年担任美国联合技术公司研究中心高级研究科学家兼工程师。2015年7月全职回国担任华中科技大学教授至今。蒋栋的主要研究方向是电力电子与电力传动,在此领域发表100余篇学术论文,申请专利30余项。他多次获得IEEE的国际会议优秀论文奖,2019年获得日内瓦国际发明博览会代表团特许金奖。
文天祥
中国电源学会照明电源专业委员会委员
IEEE Senior Member IEEE PELS Member 中国电源学会照明电源专业委员会委员 中国电源学会青年工作委员会委员 中国电源学会高级会员 电力电子专业硕士 十多年来专注于电力电子的研究和创新,对LED驱动电源拓扑,电力电子器件的应用和可靠性,LED照明产品的的应用和系统级设计深入的研究和独特的见解,擅长照明电子系统,IoT智能硬件的平台建设和开发。在LED照明电子设计及应用领域积累并取得了多项国际专利。
张卫平
中国电源学会常务理事
北方工业大学原学科建设办公室主任,教育部电气工程及其自动化专业教学指导委员会委员,节能照明电源集成与制造北京市重点实验室主任,电子信息工程北京市一流专业负责人,中国电源学会常务理事,直流专业委员会主任。主要研究方向为高强度气体放电灯用电子镇流器、开关变换器建模与控制。迄今已有国家八.五和九五攻关项目(各1项)、国家自然科学基金项目(3项)、国家重点技术创新项目(1项)、北京市自然科学基金项目(1项)、省部级重点课题2项,2006年入选为“北京市拔尖人才”。在开关变换器的建模、控制、负载匹配等研究领域做出了突出贡献。发表学术论文90余篇,其中30余篇被EI或ISTP收录,获中国专利6项,其学术研究成果得到国内外同行专家以及工业界的认可和赞赏。
王硕
国际实战派著名 EMC 专家
王硕教授现已发表180多篇IEEE期刊和研讨会论文,持有10项美国专利,并另有15项美国/国际专利正在申请当中,现担任 IEEE 工业应用学报期刊副主编,曾作为2014年IEEE国际电动汽车研讨会技术项目联合主席。由于其对电子系统中电磁干扰抑制的贡献,于2018年11月当选为IEEE Fellow (IEEE 会士/院士)。 2005年获得美国弗吉尼亚理工大学博士学位 2005-2009年,担任美国弗吉尼亚理工大学研究助理教授 2009-2010年,担任美国俄亥俄州通用电气航空从事高级设计工程师 2010-2014年,担任美国德州大学圣安东尼奥分校助理教授和副教授职位 2015年担任美国佛罗里达大学(盖恩斯维尔)电子与计算机工程系副教授和教授职位
王正仕
浙江大学教授
王正仕 香港理工大学 博士 北京交通大学 学士 浙江大学 电力电子技术硕士 浙江大学电气工程学院 电力电子技术研究所副教授 国家863项目“国产智能IGBT功率器件模块及其新能源发电电能变换系统研究” (子项目负责人,2013年),浙江省科技厅项目“电动汽车快速大功率充电关键技术研究”(2015-2016年,项目负责人),与英飞凌科技(中国)公司合作,开发电动汽车双向充电机(2017年,项目负责人),与上海**公司合作,开发电动汽车3kW高效率车载DC/DC转换电源(2015年),与某德资企业合作,研发电动汽车车载充电机先进电路拓扑。(2017年,项目负责人),与英飞凌(Infineon))科技公司合作,研发设计3.3kW高性能车载充电机。(2015年,项目负责人)。
张兴
合肥工业大学教授
张兴 合肥工业大学电气与自动化工程学院教授、博导。 现为中国电源学会常务理事,中国电源学会新能源电能变换 技术专委会副主任委员、中国自动化学会电气自动化专委会 副主任委员、中国电工技术学会电力电子学会常务理事、台 达教育与环境基金会“中达学者”
林苏斌
福州大学副教授
福州大学电气工程与自动化学院副教授,硕士生导师。福州大学海洋学院电气专业负责人,中国电源学会磁技术专委会委员。长期从事电力电子磁元件的理论研究与技术开发工作,有扎实的教学经验和深入的企业产品技术开发实践经验。主要研究方向为电力电子电磁元件技术,电磁兼容分析与诊断。
邵革良
博士
中国电源学会专家委员会委员,中国电源学会磁技术专业委员会委员,中国电源学会磁元件技术服务专家组副组长,中国电源学会标准化委员会委员,深圳市科技专家协会专家,深圳市科技创新委员会科技专家,伊戈尔电气股份有限公司副总裁、首席科学家,原田村(中国)企业管理有限公司上海技术研发中心副所长,长期从事电力电子变换技术、功率磁元件技术的研发。【从业经历】 20年的一线电源研发的资深经验,先后从事并主持过电机调速变频器、逆变焊机、通信一次电源系统、电力系统直流操作电源系统、CBB波音商用飞机宽带互联网机载电源系统、高效率DC/DC砖块电源、电流传感器、变频空调及光伏逆变器、新能源汽车等各种新型磁元件的众多研发项目。【技术成果】 拥有众多的与国际一流研发团队的合作经验,并精通于电源和磁元件产品的可靠性研发管理和实践。特别是在新能源磁元件领域,通过大量的原创性技术创新和行业应用推广,引导着世界功率磁元件的技术变革。其中完成电源及磁技术等领域多国专利申请近50余项,并已取得10项国家发明专利受权。
梁再信
ADI 亚太区电源产品系统工程总监
1999年起先后在MCU Open Lab, PalmPC, Pocket Note等公司从事PDA、Smartphone、PMP产品的电源及硬件系统设计工作,并在AMD MIPS-JV担任过项目经理负责MIPS处理器推广及项目管理。2004年,梁先生加入凌力尔特公司担任技术工程师,负责产品的技术支持与市场推广。 2006年7月升任凌力尔特公司华中区总经理,全面负责凌力尔特公司在华中七省一市的技术支持、客户服务、销售管理工作。 2017 年 3 月 ADI 完成对凌力尔特之收购,梁先生现为 ADI 公司亚太区电源产品系统工程总监,专注于 Power by Linear™ 产品在亚太区的市场推广与技术管理工作。
杨贵杰
哈尔滨工业大学教授
哈尔滨工业大学电磁驱动与控制研究所副所长 哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院教授,博士生导师,《伺服控制》、《智能机器人》期刊编委,现任哈尔滨工业大学电磁驱动与控制研究所副所长,“ 哈工大-英飞凌电机控制联合实验室”主任
郑庆杰
现任青岛云路新能源科技有限公司研发总监,2006年在吉林大学获得硕士学位,目前在福州大学攻读博士学位
多年以来分别在艾默生网络能源、伊顿电气集团(山特)、伊顿研究院等公司从事开关电源开发,磁性器件技术和无线充电技术研究,主要研究领域包括电力电子高频磁性元件技术,EMI电磁兼容技术,工程电磁场分析与应用,电流传感器设计与开发,无线电能传输等领域。截至目前申请国际与国内各项相关专利20余篇。
裴雪军
华中科技大学电气与电子工程学院应电系教授,博士生导师。
IEEE高级会员,中国电源学会电磁兼容专委会副主任。研究方向:大功率电力电子装置的控制、电磁兼容与保护。
陈桥梁
博士,中国电源学会理事,中国电源学会元器件专委会委员
2001年在西安交通大学获得电气工程学士学位,同年保送读研,并分别于2004年、2008年在西安交通大学获得电气工程学院电力电子硕士和博士学位。2009年在美国弗吉尼亚理工大学(Virginia Tech.)电力电子系统研究中心(CPES)进行访问学者研究。2007年至2008年,任台湾全汉(FSP)西安分公司总监,2009年至2011年,任博兰得(FSP-POWERLAND)电子科技西安分公司总监,2011年加入西安龙腾新能源科技发展有限公司,历任技术总监、副总经理。 陈桥梁博士在IEEE国际期刊和国际会议上发表论文15篇,拥有7项美国专利,35项中国专利。他是中国电源学会理事、专家委员会委员、新能源专业委员会理事、元器件专业委员会理事。获得2011年陕西省“青年科技新星”、入选2012年西安市“5211”人才计划,入选2014年陕西省“百人计划”特聘专家。
王议锋
教授、博士生导师
天津大学副教授、博导。2011年毕业于哈尔滨工业大学,2015-2016弗吉利亚理工大学CPES访问学者。研究方向包括:高频高效电能变换技术,高效软开关技术,磁集成技术,高频数字控制技术,数字镇流器及LED驱动电源技术,直流配用电技术与系统
夏超英
中国能源学会理事
中国能源学会理事,天津大学电气与自动化工程学院教授,长期从事控制理论与应用、自适应控制理论与应用、电力电子技术及装置的研究。并且在交流驱动控制系统与技术、纯电动汽车和混合动力汽车方面也有非常丰富的实践经验。
谢少军
南京航空航天大学自动化学院教授,博士生导师
中国电源学会常务理事、中国电工技术学会电力电子学会常务理事,中国电源学会可再生能源电能变换技术专业委员会、信息系统供电技术专业委员会副主任委员。主要从事功率变换技术、航空电气技术等方面的教学和研究工作,获得省部级科技进步二等奖4项,三等奖8项,发表SCI检索论文30余篇、EI检索论文200余篇,已获授权发明专利25项,出版专著1部。曾荣获 “江苏省先进科技工作者”、“江苏省333高层次人才培养工程首批中青年科学技术带头人”等荣誉称号。
朱春波
哈尔滨工业大学电气学院教授,博士生导师
发表论文100余篇,国家发明专利80余项,授权50余项。承担了国家九五、十五、十一五、十二五863计划电动汽车领域重大或重点项目,以及国家自然基金、各部委、省科技攻关、企业合作等50余项。主要研究方向:无线电能传输技术 ,电动汽车电池管理技术
和军平
副教授,研究生导师
哈尔滨工业大学深圳研究生院电力电子与电力传动研究中心 副教授 哈尔滨工业大学深圳研究生院,硕士生导师 中国电源学会专家委员会委员
侯长波
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 工学博士,副教授,硕士生导师
长期从事人工智能与边缘计算、宽带信号处理等方面的研究,主持国家自然科学基金、国家重点实验室基金、慧眼行动项目、装备发展部项目、黑龙江省自然科学基金和横向科研项目等20项,参与国家自然科学基金、国家重点研发计划、科技创新2030重大项目等逾20项,主持科研总经费逾800万元。发表SCI、EI、会议、教学改革文章等60余篇,以第一或通信作者共发表SCI检索论文20余篇、会议论文4篇、教改文章8篇,主编教材3部,申请专利20余项,获省部级科学技术进步奖二等奖2项。主持完成省部级教学改革项目逾10项,指导学生参与大学生电子设计竞赛、研究生电子设计竞赛等国家级创新竞赛获奖逾30项,2017年-2019年连续三年获哈尔滨工程大学教育教学优秀奖。教育部产学合作协同育人项目专家,哈尔滨工程大学“全国大学生电子设计竞赛”竞赛总教练,黑龙江省“大学生电子设计竞赛”责任专家,东北地区高等学校EDA/SOPC技术研究会副理事长。
黄根春
武汉大学电子设计训练基地总教练
获全国一等奖51项,二等奖20项,全国一等奖获奖率24%,出版电设培训教材三部。 曾获全国大学生电子设计竞赛优秀赛前辅导教师,第三届武汉大学突出教学贡献校长奖。 主讲课程《信号与系统》,《数据通信》,《彩色电视原理》,《电子综合设计》。
邓炳光
重庆邮电大学通信与信息工程学院通信网测试技术工程研究中心副主任,硕士生导师
研究方向:通信网与测试技术、仪器科学与技术; 科研成果:负责科技部创新基金项目1项,参与国家863、科技部重大专项、重点专项5项,重庆市科委重重大研发项目2项,主持横向合作项目10余项;获得2021年中国产学研合作创新成果二等奖,重庆市科技进步奖一等奖,重庆市科技进步奖二等奖,南岸区科学技术进步奖特等奖,南岸区科学技术进步奖二等奖等奖项;在国内外重要刊物和国际学术会议上发表论文10余篇、已授权第一发明人发明专利8件;指导学生参加挑战杯、互联网+、全国大学生电子设计竞赛、TI模拟电子系统设计邀请赛、全国大学生FPGA创新设计大赛、全国大学生物联网技术与应用“三创”大赛、智能互联创新大赛、重庆市电子设计竞赛、合泰杯电子设计竞赛等,获国家级、省部级奖项50余项,奖杯4个。
闫孝姮
辽宁工程技术大学电气与控制工程学院副院长
辽宁省高校优秀共产党员、中国电工技术学会第九届青工委委员、中国电源学会无线电能传输技术及装置专业委员会委员、辽宁省百千万人才工程“万”人层次选。多次获得全国大学生电子设计大赛连辽宁赛区优秀指导教师,指导第十二(2015)、十三(2017)、十四(2019)届全国大学生电子设计竞赛均获国家一等奖。2021年开始担任辽宁赛区测评专家。
李胜铭
大连理工大学创新创业学院创新中心主任
研究方向:嵌入式系统、深度学习(小样本、网络压缩) 科研成果:主持与承担国家重点研发计划、国家自然科学基金、教育部产学合作等课题30余项,发表SCI、EI、教改论文等20余篇,申请专利32项,已授权专利14项,软件著作权30项,主编教材6本。指导学生参加互联网+、电子设计、智能汽车等A类竞赛获全国一等奖30余项,省一等奖以上200余项。其中全国大学生电子设计竞赛2015、2019获全国唯一最高奖“瑞萨杯”、“TI杯”,2012、2014、2016、2018、2020获辽宁省唯一最高奖“TI杯”。获优秀指导教师、校70周年70人、教学之星等荣誉称号50余项。
刘宏勋
河北工业大学副教授,硕导
研究方向:电力系统微电网技术,电力电子技术与应用,主讲《电力系统分析》、《电力系统继电保护》,《大学生创新训练》等课程。多年来,参与、主持横向与纵向科研项目,在产品研发、检测等方面有比较丰富的经验。近几年,参与并负责本学院大学生电赛的组织、培训与指导工作,取得较好成绩。
王新怀
西安电子科技大学 理学博士,教授,博士生导师 校聘全国电赛教练专家组组长
目前为国家级电工电子示范中心副主任、天线与微波国家重点实验室骨干、电磁场与微波技术实验教学省级示范中心副主任、陕西省电源学会副理事长、中国电子学会高级会员、IEEE Member、校聘全国电赛教练专家组组长。入选教育部 “万人”优秀双创导师人才,获评陕西省优秀科技工作者典型。曾获国家级教学成果奖二等奖、省教学成果奖二等奖等。指导学生参加“中国互联网+竞赛”、“研电赛”、“全国电赛”、“挑战杯”等双创竞赛获国家奖省奖百余项,其中包括全球嵌入式最高奖“Intel”杯、中国互联网+竞赛国家金奖、全国电赛“瑞萨特别奖”等。长期从事智能天线与微波毫米波电路系统研究,近年来围绕国家及国防重大需求,立足国际学术前沿,开展基础理论和关键技术研究,先后研制三代GPS/GLONSS/北斗卫星导航智能抗干扰系统、无人机侦测与反制系统、MIMO毫米波雷达等,主持参与国家自然科学基金、国家重点实验室基金、国防预先研究、第二代导航国家重大专项、省重点研发计划、省自然科学基金、空间测控通信创新探索基金、中央高校科研业务费及横向项目五十余项。在2019年中国创新挑战赛(西安)中以第一名获优胜奖,发表学术论文一百余篇,其中SCI检索三十五篇,EI检索五十七篇,申报授权国家专利近三十项。
陈瑜
电子科技大学正高级实验师
电子科技大学电子科学与工程学院教师 。多年从事电子技术应用实验、数字逻辑设计及应用、射频电子线路课程的教学工作,参与多项教学改革与教学研究项目,2007年至今指导学生参加全国大学生电子设计竞赛。曾获得电子科技大学“我最喜爱的教师”称号、青年教师教学优秀奖,本科教学优秀奖等。
周立青
武汉大学电子信息学院教学实验中心常务副主任、高级实验师
研究兴趣包括雷达探测技术、微弱信号检测等。专注于大学生学科竞赛与创新教育研究,负责武汉大学电子设计竞赛及相关学科竞赛培训工作,近十年指导学生获得各类学科竞赛奖励280余项,其中全国大学生电子设计竞赛国家一等奖44项,其他国家级奖项40余项。工作期间致力于探索学科竞赛与本科课程体系的融合,实现竞赛培训与本科教学计划的融合与互补,构建赛教融合的创新人才培养模式。2017年起启动电子技术实验课程群建设,在综合性大学背景下将竞赛培训思想植入电子技术基础实验课程,通过系列化课程和贯穿式内容实现综合性大学赛教融合体系。先后主持教育部、湖北省以及武汉大学等各级教学研究项目15项,出版《电子系统综合设计》等专业教材3部,发表教学研究论文二十余篇,获得武汉大学杰出教学贡献校长奖团队、武汉大学十佳优秀教师、武汉大学本科优秀教学业绩奖等荣誉。
吴振宇
大连理工大学创新创业学院副院长,教授,中国电子教育学会理事,中国机器人大赛组委会委员,全国电子设计竞
长期从事智能控制、机器人技术等方向的研究工作,先后完成仿生弹跳机器人、六足异形足式机器人、电缆沟巡检机器人、异形轮式机器人等项目,在国内外期刊及国际会议发表论文60余篇,主编教材3部,负责的智能车团队在全国智能车竞赛、电子设计等竞赛中多次获得一等奖,2015\2019年指导学生两次获得全国电子设计竞赛最高奖“TI杯”,多次获得挑战杯、全国“互联网+”创新创业大赛、全国电子设计竞赛等优秀教师奖,2017年获教育部“国创十年”最佳导师奖,2016年获宝钢教育优秀教师奖。
肖建
南京邮电大学教务处副处长、国家级电子科学与技术实验教学示范中心副主任、电工电子实验教学中心主任。
近年来,指导学生获全国大学生电子设计竞赛最高奖“瑞萨杯”、赛区最高奖“TI杯”,国家级一等奖 5 组,国家级二等奖4 组、专题邀请赛国家级一等奖4组、三等奖1 组,全国研究生电子设计竞赛国家级一等奖2组,全国大学生智能互联大赛全国一等奖1组等,电子信息类学科竞赛省级以上奖项80余组。 作为主要参与人获得国家级教学成果奖二等奖、江苏省教学成果奖特等奖;获得全国大学生电子设计大赛、研究生电子设计竞赛等多项大赛“优秀指导教师”称号,所在电子设计竞赛指导教师团队获得省科教系统“工人先锋号”集体荣誉、感动南邮十大人物称号。
黄学达
重庆邮电大学自动化学院教师
有近15年手机芯片企业一线研发工作经历,熟悉和精通电磁兼容(EMC)的设计,有丰富的实际工程经验,发表学术论文多篇,EI检索收录3篇,以第一发明人申请发明专利3项。
刘涛
桂林电子科技大学 高级实验师
主要从事无线通信、光通信、射频技术开发工作。主持纵向课题1项目,横向课题3项;发表核心论文5篇,其中SCI收录3篇;获广西教学成果一等奖1项(排名第3),获广西教学成果三等奖1项(排名第2);指导学生毕业设计获校优一等奖2项,二等奖1项,三等奖1项。以第一人申请并获得授权实用新型专利15项;主编教材4本,指导学生参加全国大学生电子设计竞赛获得全国一等奖6项,省一等奖4项,荣获广西区电子设计竞赛优秀指导老师称号。
刘乔寿
重庆邮电大学通信学院 副教授
重庆邮电大学通信学院,通信技术与网络实验中心专任教师,副教授,硕士导师。 指导学生参加电子类竞赛获全国一等奖多次,全国大学生电子竞赛重庆赛区优秀指导老师,重庆电子竞赛专家库成员。
郑峰
西安电子科技大学副教授
分别于1993年、2004年和2008年从西安交通大学电气工程学院攻获得学士、硕士和博士学位。2010年~2011年在美国弗吉尼亚理工(Virginia Tech)的电力电子系统中心(Center for Power Electronics Systems: CPES)开展博士后研究。现为西安电子科技大学机电工程学院电气工程系副教授。一直从事变换器及其中的磁集成技术研究。
易运晖
副教授 西安电子科技大学电工电子国家级实验示范中心副主任
西安电子科技大学电工电子实验中心副主任,校电子设计竞赛校聘专家组副组长,辅导学生获国家级电子设计一二等奖超过20项,多次被评为全国电子设计竞赛陕西省优秀教练、全国电子设计竞赛国家优秀教练。
薛小铃
闽江学院副教授
闽都学者,鸿蒙Dev-Board SIG审核工作组专家,全国大学生电子设计竞赛TI官网论坛特邀专家,福建省大学生电子设计竞赛测评专家,首届发树奖教金获得者。主持包括360等多项横向课题;主持多项教改项目,项目中研发的实验设备目前已被西安电子科大等国内众多高校采用。在高教等出版社出版6本专著,其中一本高教出版的教材被全国40多所高校作为教材使用并获得2017年省级优秀特色教材。指导学生获得2个国一、7个国二和近30多个省一等奖。成立工作室,常年致力于学生实践能力培养,已培养了近300名毕业生。
赵中华
桂林电子科技大学教务处副处长 硕士生导师
广西自治区优秀教师,桂林电子科技大学教学名师,学校教学杰出贡献奖获得者,学校教学优秀青年奖获得者,近年指导学生获得全国大学生电子设计竞赛获全国一等奖5项,二等奖3项,互联网+创新创业大赛全国铜奖1项,入选全国万名创新创业导师库;主持完成广西教改重点项目1项,主持广西创新创业教学团队1项,主持获得自治区一流课程1门,主持广西在线开放课程1项,获国家级教学成果二等奖2项(1项排名第2,1项排名第11),广西教学果特等奖1项(排名第2),一等奖2项(1项第1,1项第2),三等奖1项(排名第1);主持完成国家自然科学基金1项,主持在研广西科技重大专项1项,作为主要参与者完成国家自然科学基金2项;近五年作为第1作者或通信作者发表表相关学术论文12篇,其中SCI 4篇,EI收录3篇,北大核心5篇,专著1部,主编教材2部,授权发明专利1项,实用新型专利5项,软件著2项。
徐茵
西安电子科技大学工学博士,副教授
电子工程学院电赛金牌教练。从教以来先后主讲《电磁场与电磁波》、《电磁场与电磁波(实验)》、《电子线路实验I、II》、《模拟电子技术基础》等本科课程。主持国家自然科学基金青年项目1项,教育部产学合作协同育人项目3项。获校教学成果奖一等奖1项,参加实验类教师竞赛获全国一等奖4项,二等奖6项,获陕西省教师电赛一等奖2项,校青年教师讲课竞赛二等奖1项、三等奖1项。指导学生竞赛获国家级省级奖30余项,包括全国电赛国奖8项、省奖7项,中国国际互联网+竞赛全国金奖1项、省级金奖2项,多次获评全国/省级优秀指导教师。
张翠翠
西安交通大学信通学院工程师
西安交通大学信通学院,研究方向为电子系统设计、软件无线电技术,常年指导全国大学生电子设计竞赛。
陈小平
博士/教授 苏州大学电子信息学院副院长。
苏州大学电子信息学院副院长。国家级一流本科专业建设点电子信息工程专业负责人,江苏省一流本科课程《电路分析》负责人,主编江苏省重点教材1本。近年来主持完成多项科技项目的研发工作,其中某型电梯控制系统已成功地应用在国内外许多电梯工程中,如南非约翰内斯堡(2010世界杯足球赛主办城市)的政府、宾馆、银行、医院的电梯。在国内外学术刊物和国际学术会议上发表论文40余篇。获国家发明专利5件。2018年获江苏省科学技术三等奖(排名1)。获江苏省教学成果一等奖、二等奖各1次。指导学生参加大学生电子设计竞赛获国家一等奖4队、二等奖11队,多次获得全国大学生电子设计竞赛江苏赛区优秀指导教师。
刘圆圆
杭州电子科技大学电子信息学院 博士,副教授
2004年3月进入杭州电子科技大学电子信息学院任教,2005年起参与学校电子设计竞赛指导和组织工作,长期参与浙江省赛区评测组织工作,目前担任学校电子设计竞赛负责人。 主讲模拟电子电路、模拟电路实验等课程,曾获得2018年度杭州电子科技大学青年教学新秀奖,全国大学生电子设计竞赛浙江省赛区优秀指导教师,赛区优秀组织工作者等荣誉。 主持线上线下混合式国家一流课程“电路与电子线路2(原名模拟电子电路)”、主持和参与校级MOOCs/SPOC翻转课堂建设项目和教学模式改革项目等多项,参编教材1部。 主要研究方向为数字信号处理,主持国家自然科学基金青年基金1项,浙江省自然科学基金青年基金1项,浙江省教育厅项目1项;还以核心成员身份参与国家自然科学基金面上项目1项,省部级以上项目10余项。近5年来共发表论文10余篇。
吴恩铭
中国民航大学基础实验中心,讲师,天津市“优秀创新创业导师”人才库导师。
主要从事电工电子实验实践教学,指导“全国大学生电子设计竞赛”、“中国‘互联网+’大学生创新创业大赛”、“挑战杯全国大学生课外学术竞赛”、“全国大学生工程训练综合能力竞赛”、“北斗杯全国青少年科技创新竞赛”、机器人、智能车、电脑鼠等数十项电子设计类、创新创业类学科竞赛,获得国家级、省部级奖项百余项。
陈文光
南华大学教授,工学博士,硕士研究生导师,湖南省大学生电子设计竞赛责任专家,华中区研究生电子设计竞赛评
长期研究电力电子技术及特种电源技术,研究成果应用于国家大科学装置中国环流器二号等多个前沿研究领域和军工领域;擅长将电源学术研究和课程教学有机结合,将400余名学生培养成为卓越电源工程师,受到业界好评;历年来指导学生参加全国大学生电子设计竞赛获全国一等奖12项,全国二等奖8项。
王盼宝
哈尔滨工业大学副教授,博士生导师。
发表SCI/EI论文50余篇,主编出版竞赛专著1部,指导学生参加学科竞赛获国际级奖1项、国家级奖17项,省校级奖30余项,荣获2022年哈尔滨工业大学“大学生创新创业教育优秀指导教师奖”。
王建波
成都信息工程大学工程实践中心主任
负责全校电子设计竞赛组织指导工作,先后带领参赛选手获得过全国一等奖5项,二等奖7项,并获得全国大学生电子竞赛优秀指导教师、四川省优秀指导教师等荣誉称号。
1000 +
直播场次
80 +
合作企业
300 +
特邀专家
500000 +
覆盖人群
200000 +
互动问答
直播互动
  • flyingstar
    如何解决底噪干扰
    力源信息-Leodeng
    给图像芯片供电的电源尽量处理好其纹波
  • flyingstar
    如何来确保拍摄移动物体时不会有运动伪影?
    力源信息-Leodeng
    选择全局曝光产品
  • stclq
    电源部分有哪些特殊要求?
    力源信息-Leodeng
    电源部分,输出端尽量不要采用磁珠,可以放在电源芯片的输入端,另外建议一点接地
  • HelloDigger
    是否支持高级驾驶辅助系统功能?
    力源信息-Leodeng
    有专门的满足车规产品的型号, 欢迎联系 leodeng@icchain.com
  • jianshizhencha
    机器视觉应用中,如何实现精确测量的?
    力源信息-Leodeng
    选择更高分率的型号
  • dimin
    物体尺寸在4K分辨率下像素大小?
    力源信息-Leodeng
    有1.4um 、2.0um 多个型号可供选择
  • dimin
    视场角在100度时,检测距离多少米?
    力源信息-Leodeng
    具体还要根据你选的产品的分辨率多少
  • yuanyufang
    Devwarex上位机软件,对电脑硬件有哪些要求?
    力源信息-Leodeng
    要支持 USB3.0
  • yuanyufang
    Devwarex上位机软件,支持哪些操作系统?
    力源信息-Leodeng
    目前主流的系统都可以支持
  • yuanyufang
    Devwarex上位机软件,如果收费,那是否提供试用版?如果提供,试用期多长?
    力源信息-Leodeng
    可以免费下载,若需要,请联系我 leodeng@icchain.com, 我给你发链接
  • jianshizhencha
    传感器的数据传输速率是多少?
    力源信息-Leodeng
    今天介绍的3个型号,ARX383(480Mbps/Lane), AR0145(800Mbps/Lane),AR0235(850Mbps/Lane
  • jianshizhencha
    传感器的数据传输速率是多少?
    力源信息-Leodeng
    比如今天介绍ARX383(480Mbps/Lane), 其他型号各速率不一样,
  • HelloDigger
    如何优化图像传感器响应速度?
    力源信息-Leodeng
    选择更快的通讯速率,更高的帧率
  • j543211
    请问如何避免干扰
    力源信息-Leodeng
    电源方面,尽量做好滤波、PCB layout也要注意接地问题,.......
  • zhyouer
    为了获得高质量的图像,是不是应选用畸变小的镜头?
    力源信息-Leodeng
    要综合考虑
  • jianshizhencha
    高速运动目标场景,传感器配置和参数调整有哪些推荐做法?
    力源信息-Leodeng
    要选择能支持高帧率输出、全局曝光这些功能的产品, 更多细节还要根据你的项目要求
  • flyingstar
    传感器的价格是多少?简单说一下
    力源信息-Leodeng
    具体要看你需要哪个型号的产品,欢迎联系我们
  • zhyouer
    为了获得高质量的图像,是不是应选用畸变小的镜头?
    力源信息-Leodeng
    镜头也是其中的一个因素,还与其他因素也有关系
  • yjmislucky
    一秒可以输出多少帧?
    力源信息-Leodeng
    具体输出要依据你的分辨率的要求,比如今天介绍的型号,全分辨率可以到120帧
  • flyingstar
    安森美图像传感器宽动态能力怎么样?
    力源信息-Leodeng
    Hyperlux 系列产品可以达到150db
  • wangwj123
    安森美图像传感器是采用CMOS单元吗?
    力源信息-Leodeng
    CMOS 技术
  • yjmislucky
    生成的图像是什么格式的?
    力源信息-Leodeng
    今天介绍的3个型号,输出的是RAW data
  • jianshizhencha
    集成ISP吗?提供了哪些图像处理功能?
    力源信息-Leodeng
    今天介绍的几个产品未集成ISP, 需要后端接ISP/主控进行数据处理
  • jianshizhencha
    支持哪些图像输出格式?
    力源信息-Leodeng
    今天介绍的产品的输出数据格式都是RAW DATA
  • HelloDigger
    图像传感器与处理芯片之间的接口标准有哪些?
    力源信息-陈工
    图像数据一般是通过MIPI/HISPI/DVP....等通讯接口处理
  • yjmislucky
    有产品说明书吗?在哪里下载?
    力源信息-Leodeng
    有相关的产品说明书,具体你请联系 leodeng@icchain.com
  • flyingstar
    图像传感器的时序很复杂,驱动器芯片如何选择
    力源信息-Leodeng
    时序在芯片内部处理,只需要将主控芯片对接好,设定好对应的寄存器,在微调寄存器值
  • yjmislucky
    有配套的上位机软件吗?
    力源信息-Leodeng
    onsemi 为了能让客户快速体验到图像传感器产品的项目,有对应的硬件、软件,Devwarex就是我们的上位机软件
  • 高伟我小弟
    MIPI CSI速率能到多少?
    力源信息-Leodeng
    今天主题中介绍到的3个型号的产品,ARX383(480Mbps/Lane), AR0145(800Mbps/Lane),AR0235(850Mbps/Lane)
  • 高伟我小弟
    支持ASIL-B吗?
    力源信息-陈工
    AR0823AT 按照 ASIL D 设计流程进行设计,复杂的实时安全机制和故障检测功能超过了 ASIL B 硬件指标
  • wangwj123
    安森美图像传感器可应用于电池供电产品吗?
    力源信息-Leodeng
    onsemi 有Hyperlux LP系列产品,低功耗,可以在一些电池供电的应用场合下进行应用
  • yjmislucky
    有技术支持吗?怎么联系?
    力源信息-陈工
    可以联系我们技术支持工程师:leodeng@icchain.com
  • flyingstar
    安森美的车载影像传感器方案,功能安全方面,达到什么等级?
    力源信息-Leodeng
    有专门的车规芯片产品,这里主要介绍的是工业应用上的产品,欢迎联系leodeng@icchain.com
  • HelloDigger
    传感器的像素大小是多少?对图像质量有何影响?
    力源信息-Leodeng
    今天所介绍的3个型号产品,pixel size 是2.8um
  • jianshizhencha
    是否有内置的HDR功能?
    力源信息-Leodeng
    onsemi 图像产品型号丰富,有些型号内置有HDR功能,方便暗亮光同时存在的场合进行应用
  • yjmislucky
    分辨率能达到多少?
    力源信息-Leodeng
    今天介绍的3个型号,分辨率分别为 VGA 、 1M, 2M
  • 李子乐2021
    虚拟现实(VR)设备上能用吗?
    力源信息-陈工
    可以,我们有应用AR,VR等产品
  • wangwj123
    安森美模组采用什么通信接口?
    力源信息-Leodeng
    主要是芯片,控制信号采用IIC, 图像数据 MIPI
  • HelloDigger
    是否使用了全局快门还是卷帘快门?
    力源信息-陈工
    今天主要介绍的Hyperlux SG 系列产品使用的是Global Shutter
  • jianshizhencha
    ON Semiconductor图像传感器的动态范围是多少?
    力源信息-Leodeng
    目前有几个系列的产品,其中Hyperlux 系列的可以做到150db
  • reflectometry
    开发板如何购买?
    力源信息-陈工
    可以联系我们,leodeng@icchain.com
  • huan200535
    坏点数的数量是否影响芯片的质量?那优质的芯片中的坏点数一般允许的数值是多少?
    力源信息-Leodeng
    不同型号有相关的说明文件介绍
  • yjmislucky
    温度对传感器的检测有影响吗?
    力源信息-Leodeng
    有影响
  • 科技守望者
    图像传感器的功耗多大?
    力源信息-陈工
    不同型号功耗不一样的,具体可以参考规格书,也有专门的低功耗系列Hyperlux LP系列
  • yjmislucky
    传感器提供哪些通信接口?
    力源信息-陈工
    和MCU主要是IIC通信
  • Q222
    图像传感器的数据传输中,控制信号和图像信号是通过不同的总线吗?
    力源信息-Leodeng
    控制信号一般通过IIC 总线来完成, 而图像信号数据通过MIPI/HISPI.....等数据线来传输.
  • linghz
    安森美图像传感器是基于CCD还是CMOS原理的?
    力源信息-Leodeng
    CCD是早期的产品,产品上逐步不采用,目前主流的是CMOS产品,其上可集成复杂的处理电路, 产品功能更多,整体系统价格更优势
  • KooKA
    AR0234和AR0235有什么区别?只是封装尺寸不同?
    力源信息-Leodeng
    除了封装尺寸不一样,AR0235的GSE更高(10000),上一代产品AR0234 GSE(4500~5000)
  • wangwj123
    AR0234和0235有什么区别?
    力源信息-陈工
    AR0235的GSE更高,Pixel是2.8μ ,同时AR0235功耗更低
  • yjmislucky
    有开发板吗?
    力源信息-陈工
    开发板可以联系我们leodeng@icchain.com
  • A峰A
    传感器支持什么接口通信?
    力源信息-Leodeng
    主要的通讯接口为IIC,数据接口有MIPI DVP HISPI......
  • 大海
    安森美图像传感器IC的供电电压是多少V?其内部有没有基准电压还是需要外部提供基准?
    力源信息-Leodeng
    通常是提供3路供电,1.2V 1.8V,2.8V,具体还要参考你所选型号的规格说明书
  • yuanyufang
    安森美的图像传感器,有哪些封装方式?
    力源信息-陈工
    iBGA,CSP等等
  • reflectometry
    GSE 10000和GSE 几千图像对比差别有多大?
    力源信息-Leodeng
    GSE10000, 拍出的图片基本看不到后面的影子,若GSE比较低,则拍出的图像能够看到后面的影子,可以参考今天的PPT 24页的介绍,低GSE 相机芯片拍到的图片能够看到后端的骨架
  • 大海
    安森美图像传感器的通信接口是串口通信还是CAN通信?
    力源信息-陈工
    IIC
  • KooKA
    请问图像传感器有哪几种封装方式?
    力源信息-陈工
    iBGA,CSP等等
  • poyopa
    请问图像传感器跟MCU一般通过哪种方式连接?
    力源信息-Leodeng
    与MCU 有IIC,mipi
  • yuanyufang
    安森美的图像传感器,是否支持申请样品? 如果可以申请样品,如何申请?
    力源信息-Leodeng
    新项目启动可以联系我们沟通样品事宜,leodeng@icchain.com
  • A峰A
    宽动态特性如何?
    力源信息-Leodeng
    onsemi也有宽动态范围的产品,像Hypelux 系列的产品,可以达到150db
  • flyingstar
    图像传感器的使用一定要配套对应的mcu还是说可以自己选?
    力源信息-Leodeng
    你可以自己选,但是需要具备对应的接口,这样对接起来硬件设计简洁方便
  • KooKA
    安森美图像传感器有没有车规型号?
    力源信息-陈工
    有的,AR0341,AR0823等等
  • 大海
    安森美图像传感器是数字可编程的吗?
    力源信息-Leodeng
    内部参数通过IIC对芯片内部的寄存器进行配置,实现相关参数的调节, 数字编程
  • wangwj123
    安森美图像传感器场景切换可以自动设定吗?
    力源信息-Leodeng
    有context switch 功能,切换方便
  • reflectometry
    onsemi有自己的专门MCU来控制感光sensor吗?谢谢
    力源信息-Leodeng
    目前没用, 当前对接的主要是其他平台产品
  • huan200535
    芯片选型时主要看哪几个参数?
    力源信息-Leodeng
    具体要依据你的应用场景有关,比如若你要拍摄的图像处于运动变化中,一般我们会要求全局曝光产品,还要根据你后端平台所支持的通讯接口等来做具体选型
  • wangwj123
    安森美图像传感器最常使用哪种触发模式?
    力源信息-Leodeng
    Trigger 方式,在hyperlux SG 系列产品中有4中触发模式,常见的为脉冲触发,Integration Start Mode、Integration Time Mode,Integration&readout Start Mode,Stream Integration Start Mode,在PPT上有详细介绍,
  • lingf
    数据传输速度多高?
    力源信息-Leodeng
    比如我们今天介绍的ARX383, 480mbps/LANE, AR0145:800Mbps/Lane AR0235: 850Mbps/Lane
  • KooKA
    图像传感器的工作温度范围是多少?工业级别吗?
    力源信息-陈工
    工规-40℃~+85℃,车规-40-105°C
  • 哈1哈
    图像实时传输吗?
    力源信息-Leodeng
    可以设定为stream 模式,能够连续输出视频数据流
  • stclq
    分辨率多高?
    力源信息-Leodeng
    今天这个主题介绍的产品有三种分率,分别是:VGA(ARX383),1M(AR0145), 2M(AR0235)
  • linghz
    安森美图像传感器支持逐行曝光吗?
    力源信息-Leodeng
    有ROLLING SHUTTER的产品,欢迎联系我们交流
  • kings
    图像传感器是一个单独的芯片吗?内部信号处理和解析都一个芯片完成吗?
    力源信息-Leodeng
    图像传感器一般输出RAW Data(原始数据),进一步的数据处理需要后端的ISP/主控芯片来完成
  • kings
    安森美图像传感器采集信号通过什么通信转换?
    力源信息-陈工
    图像数据一般是通过MIPI/HISPI/DVP....等通讯接口
  • 李子乐2021
    是否可以进行实时视频?
    力源信息-Leodeng
    可以
  • poyopa
    安森美图像传感器的工作电压范围的多少?支持纽扣电池供电吗?
    力源信息-Leodeng
    一般需要提供3路电源轨,分别是1.2V,1.8V、2.8V. 常规纽扣电池可能有点吃力
  • ChrisF
    图像传感器可以用于ADAS吗?
    力源信息-陈工
    可以,我们有用于汽车上ADAS的产品
  • 科技守望者
    图像传感器的选型关键参数有哪些?
    力源信息-Leodeng
    分辨率、帧率、数据接口、是否需要全局快门还是卷帘快门,是否需要宽动态范围...
  • 哈1哈
    最低工作电压多少呀。
    力源信息-Leodeng
    1.05
  • flyingstar
    安森美半导体图像传感器支持多大的图像分辨率?
    力源信息-Leodeng
    从VGA---45M及更高产品都有,新产品在不断更新中
  • wx8551
    图像传感器主要用在哪些行业?
    力源信息-Leodeng
    工业、消费类、安防等领域都有应用
  • kings
    安森美图像传感器的采集信息是用模拟信号采集吗?
    力源信息-Leodeng
    产品内部有ADC,对外输出的是数字信号
  • KooKA
    安森美图像传感器是通过什么通信总线跟CPU(ARM)通信?
    力源信息-Leodeng
    控制命令一般通过IIC下发相关的指令进行寄存器的读写,图像数据一般是通过MIPI/HISPI/DVP....等通讯接口
  • lingf
    安森美图像传感器的数据接口是什么?
    力源信息-Leodeng
    控制指令接口有IIC,数据接口有MIPI/HISPI/LVDS/DVP......
  • huan200535
    图像传感器最低功耗能做到多小?
    力源信息-Leodeng
    具体要看哪个型号,比如今天主题内介绍的ARX383, 在trigger模式下,30fps,功耗~22mw.
  • kings
    图像传感器主要用在哪些领域?
    力源信息-陈工
    医疗,航空机器人,AR,VR,AMR,notebook等等
  • Q222
    安森美在图像传感器方面较其同类产品最大的优势在哪方面?
    力源信息-Leodeng
    比如今天主题中介绍的Hyperlux SG 系列产品,相比同类的产品GSE 更高,达到10000,功耗方面像ARX383 相比较同类产品节省有~33%
  • kings
    安森美图像传感器是贴片器件还是分立式器件?
    力源信息-Leodeng
    主要是贴片封装的产品,这类产品属于系统级别产品,片上集成有光学、模拟电路、数字电路等
  • poyopa
    onsemi 的图像传感器有没有适用于工业机床上的方案?
    力源信息-Leodeng
    有的,onsemi 图像传感器产品非常适合在工业场合进行应用,具体规格要求,非常欢迎你联系我们沟通细节.
  • yuan_yufang
    英飞凌新型SSI系列固态隔离器,目前供货情况如何?交货周期大概多少周?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    如果有技术、商务或申请样品的项目需求,请您填写直播间问卷把您的具体项目需求告诉我们,我们后续会有相关工作人员联系您。
  • 北京市网友
    固态隔离器在使用时有什么限制?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    主要评估损耗和发热
  • Paddy Liu 刘文坡
    SSI固态继电器方案相比传统继电器方案陈本有优势吗,谢谢
    英飞凌-答疑嘉宾1
    这个要看你的实际应用了,我们关注整体成本,看英飞凌的产品是否能简化您的电路结构
  • BMS硬件研发
    SSI 系列固态隔离器的创新技术在降低电磁辐射方面有哪些举措?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    器件本身没有电磁辐射
  • 彭伟华
    那过温保护可以用于短路保护?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    可以的,我们有一款就是两个合在一起的
  • wang
    关断过电压钳位管D1是由客户选型吗?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    是的
  • 魏向辉
    对于不同类型的功率晶体管,SSI 系列的驱动效果有何差异?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    主要看损耗发热
  • wang
    英飞凌SSI固态隔离器预充10.4V是由芯片内部决定吗?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    是的
  • wang
    英飞凌SSI固态隔离器采用正常方波控制就可以吧?
    英飞凌-答疑嘉宾1
  • 旅游
    SSI怎么知道是通还是断?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    靠输入控制
  • 魏向辉
    固态继电器因无触点,是否比通用继电器电流小?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    这取决于后面的MOS是多大的
  • Q222
    SSI系列固态隔离器在功耗方面相比传统产品有何改进?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    输出耗散功率4.5mW,输入200mW
  • 魏向辉
    SSI固态隔离器区分常开常闭吗?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    不区分
  • 旅游
    为什么VCC,电解不超过4.7?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    有输入电流限制要求
  • 魏向辉
    英飞凌SSI系列固态隔离器没有操作次数问题吗?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    没有
  • 祥云瑞彩
    英飞凌推出该系列新产品/新技术的周期一般都是多久?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    今年的新产品,周期还很长……
  • BMS硬件研发
    从成本效益角度来看,SSI 系列固态隔离器的创新技术带来了哪些优势?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    占地小,不需要输出侧额外的隔离电源
  • Q222
    SSI系列在工业自动化和控制中的应用场景有哪些?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    比如PLC,控制接触器,旁路开关等……
  • BMS硬件研发
    对于高温、高湿度等恶劣环境,SSI 系列的可靠性如何?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    您具体环境有什么要求?麻烦后台填一下直播问卷,我们后续会有相关工作人员联系您。
  • 要进步要努力
    英飞凌新型 SSI 系列固态隔离器具有哪些保护功能‌?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    电流和温度保护。
  • 枯叶蝶舞
    在电池管理系统中,SSI固态隔离器如何优化电池充放电控制,提高能源效率并延长电池寿命?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    请您填写直播间问卷把您的具体项目需求告诉我们,我们后续会有相关工作人员联系您。
  • FAE Steven
    iSSI30系列是否采用采用无磁芯变压器技术?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    是的!
  • 一枝毒秀
    iSSI30系列是否可以最大限度地减少对散热器的需求?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    是的
  • 要进步要努力
    固态隔离器发热大吗?需要加散热器吗?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    是否需要散热器取决于后面推的功率器件的发热情况,如果导通损耗大是需要加的。但英飞凌的驱动能减小开通和关断损耗
  • 郭祥峰
    固态继电器支持的功率范围是多少?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    一般500Hz以下,高频开关主要是发热问题,SSi产品主要应用领域是替代继电器的场合,比传统继电器快。如果要开关更快的话,可以直接使用英飞凌标准驱动
  • 闪闪红星
    SSI系列与英飞凌的OptiMOS™和CoolMOS™驱动的兼容性怎么样
    英飞凌-答疑嘉宾1
    可适配大部分的硅MOS,70A以上的话可能需要散热处理
  • 要进步要努力
    影响数字隔离器全面替代光耦的因素有哪些?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    主要是使用习惯和价格吧
  • wang
    英飞凌新型SSI系列固态隔离器隔离度达到什么水平?
    英飞凌-答疑嘉宾1
    Viso 5700V
  • zhangsuixin15
    SIC并联使用,驱动芯片的米勒钳位脚电路如何处理?
    工程师
    并联使用时,放电电流会增大,注意此引脚的电流吸收能力。
  • zhangsuixin15
    SIC的并联问题,驱动设计的注意点有哪些?
    工程师
    并联应用输入电容会增大,注意栅极驱动电流的增大和避免栅极回路产生振荡,而应选用足够驱动电流的驱动芯片和尽量小的栅极回路(面积)。为每颗MOS管预留单独的栅极驱动电阻。
  • zhangsuixin15
    并联SIC的注意点?
    工程师
    并联应用输入电容会增大,注意栅极驱动电流的增大和避免栅极回路产生振荡,而应选用足够驱动电流的驱动芯片和尽量小的栅极回路(面积)。为每颗MOS管预留单独的栅极驱动电阻。 还需注意均流问题,比如使用同批号的器件,尽量保持相同的Vth电压。
  • flyingstar
    东芝第三代SiC MOSFET的坏片率控制在什么范围
    工程师
    哪方面的坏片率?
  • yjmislucky
    有哪些发展趋势?
    工程师
    你问的是SiC MOSFET?方向就是更高的耐压,更小的导通电阻。
  • blessdxp
    在保证可靠性的前提下,并联多少个工作是有保证的。当然开关频率保证30k或50k
    工程师
    这个很难回答具体多少个,这与驱动电路的设计有很大关系。 良好的栅极驱动电路,应保证足够的驱动电流,防止振荡的发生。 一致的Vth、电容参数等保证均流。 在这些能保证的前提下,看你的实际电路能实际并联几颗来决定可并联的数量。
  • flyingstar
    导致碳化硅的失效原因有哪些?
    工程师
    常规的就是过电气应力,即过流或者过压
  • flyingstar
    碳化硅未来会被氮化镓取代吗?
    工程师
    不存在取代问题,各个类型的器件有各自的应用场景,氮化镓主要应用在高频中低功率场景,碳化硅主要应用在中高频中高功率场景
  • flyingstar
    降低总功率损耗,还有什么其他手段?
    工程师
    总的来说,可以通过选取导通电阻小的器件来降低导通损耗,提高器件的开关速度来降低开关损耗,或者设计成软开关
  • flyingstar
    东芝的SiC MOSFET在选择上需要考虑哪些参数?
    工程师
    比如VDSS,ID,RDS(on),封装。与开关速度相关的Ciss, trr等。
  • dimin
    MOSFET不会被关断信号关断。我怎么解决这个问题?
    工程师
    这要看你电路上哪里发生故障,或是MOS管栅极已失效。
  • dimin
    MOSFET驱动电流是否有必要?
    工程师
    当然需要考虑,开关MOS管可视为对输入电容的充放电。 在充放电过程中,会有电流。应注意器件的Qg值,它对电流的大小有直接的影响。
  • dimin
    作为绝对最大额定值的一部分规定的雪崩能力是什么?
    工程师
    数据手册里规定的雪崩能力是指单脉冲雪崩能力,雪崩是器件漏源两端的电压超过器件本身的耐压的一种现象,此时器件能承受测能量大小代表雪崩能力
  • wangwj123
    东芝SiC产品在过温时表现为断开和自恢复吗?
    工程师
    MOS管不是保险丝啊,过高的温度要么烧短路,要么烧断路。
  • huihui163
    开关损耗这块如何降低?
    工程师
    减小Qgd 有助于减少开关损耗。
  • dimin
    安全工作区内的虚线标注为“此区域受RDS(ON)限制。”这是什么意思?
    工程师
    在这段区域内,MOS管工作在线性放大阶段。所以电流由此时刻的管压降U/RDS(on)决定。
  • wangwj123
    东芝SiC产品使用时怎么考虑对器件的使用保护呢?
    工程师
    在器件的额定条件内使用即可, 当然建议客户在设计时流出一定的裕量
  • dimin
    当使用MOSFET作为负载开关时,如何减少发生的浪涌电流?
    工程师
    可以增大驱动电阻,使用软开关电路等
  • huihui163
    电源开关控制的话,用单片机可以?
    工程师
    单片机不能直接驱动碳化硅,需要增加驱动芯片
  • you
    东芝第三代SiC MOSFET需要专用的驱动吗?
    工程师
    由于SiC MOSFET应用的频率更高,为了防止上下管直通,通常建议驱动带有米勒钳位保护
  • flyingstar
    东芝第三代SiC MOSFET最高耐温达到175度,这指的是环境温度还是自身器件温度?
    工程师
    是器件结温
  • flyingstar
    最低导通电阻可以是多少?
    工程师
    目前东芝SiC MOSFET最小的是650V/15mohm,1200V/15mohm
  • flyingstar
    东芝的碳化硅器件,Rds On最小到多少毫欧?
    工程师
    东芝碳化硅分立器件MOS的最小导通电阻是15 mΩ
  • flyingstar
    与硅IGBT相比,SiC MOSFET的短路承受能力怎么样?
    工程师
    SiC MOSFET芯片更薄,故短路承受能力比IGBT差
  • dimin
    在功率MOSFET的漏极与源极之间施加反向电压时有哪些注意事项?
    工程师
    没有特别需要注意的事项,在额定范围内使用就没有问题
  • dimin
    MOSFET的电容特性是什么?
    工程师
    这个是基础知识。建议先了解MOSFET的结构,正是它的结构组成电容特性。
  • yxs2021n7yERk7J
    驱动电压多少最合适?可以兼容IGBT设计吗?
    工程师
    推荐18V,东芝碳化硅驱动电压范围-10V~25V,可以和IGBT兼容。
  • yxs2021n7yERk7J
    yxs2021n7yERk7J 驱动电压多少最合适?可以兼容IGBT设计吗?
    工程师
    东芝SiC MOSFET推荐的驱动电压是18V,可以兼容IGBT设计
  • you
    SiC MOSFET的功耗通过什么材料特殊降低功耗的吗?
    工程师
    通过优化生产工艺来实现低功耗
  • yuanyufang
    东芝第三代SiC MOSFET,有哪些封装方式?
    工程师
    目前东芝SiC MOSFET已经量产的650V/1200V型号有TO-247 3脚和4脚封装,即将新增650V的TOLL和DFN8*8封装。
  • yuanyufang
    东芝第三代SiC MOSFET,是否有车规级的产品?如有,是哪些系列或者型号?
    工程师
    目前第三代还没有车规级产品,目前正在规划第四代(包括车规级SiC MOS)。
  • dimin
    超结MOSFET与普通D-MOS有何不同?
    工程师
    D-MOS我们通常认为是普通的平面MOS,超级结结构的MOS从名字上也可以看出有超级结结构,平衡内部电场
  • yuanyufang
    东芝第三代SiC MOSFET,是否支持申请样品? 如果可以申请样品,如何申请?
    工程师
    请在东芝官网联系我们的销售渠道,可以申请样品
  • dimin
    N沟道MOSFET的工作原理是什么?
    工程师
    这个主要是栅极施加驱动电压后,在反型层建立起导电沟道,漏极、源极此时导通。 当没有栅极驱动电压是反型层的导电沟道消失,漏极、源极此时不能导通。 实现了漏极、源极之间的开与关的功能。
  • yuanyufang
    东芝第三代SiC MOSFET,目前供货情况如何?交货周期大概多少周?
    工程师
    请在东芝官网联系我们的销售渠道,咨询供货信息。
  • flyingstar
    怎样降低SiC MOS 的dv/dt冲击?
    工程师
    SiC MOSFET本身有很高的dV/dt耐量的。你指的是对系统的冲击吧?那就只能降低开关速度,增加系统损耗。这本省就是系统的一个trade-off。
  • flyingstar
    SIC 的MOSFET推荐的工作频率一般建议在多少KHZ比较好
    工程师
    看你电路拓扑结构,如果是硬开关,建议在100kHz以内,软开关的话,几百kHz都没有问题的。
  • yuanyufang
    东芝第三代SiC MOSFET,相比前代产品,有哪些改进?
    工程师
    相较于第二代产品,现在的SiC MOS 优化了工艺使得Rds(on)*Qgd降低了80%
  • dimin
    如何提高驱动电压的裕量?
    工程师
    东芝VGSS: -10 V至25 V
  • dimin
    额定栅源电压?
    工程师
    东芝碳化硅单管栅极驱动电压范围-10V~25V,推荐18V。
  • you
    东芝第三代SiC MOSFET耐压最高可以到多少?
    工程师
    目前东芝SiC单管最高耐压是1200V, SiC模组最高耐压是3300W
  • huihui163
    咱们的第三代SIC有啥优势?
    工程师
    主要优化了Rds(on)*Qgd这个品质因素。
  • taotoby
    相同条件下东芝的Rds(on)比其它供应商SiC MOSFET的要小吗?
    工程师
    常温条件导通电阻相同的情况下,东芝的导通电阻在高温时更低。
  • you
    两个不同的SIC MOSFET 并联使用的情况下,怎么有效减少分流不均匀的情况?
    工程师
    通常不同规格的SiC MOS我们不建议并联。同型号器件并联使用时注意驱动回路的布线不要差异太大
  • you
    导致碳化硅的失效原因有哪些?
    工程师
    这个跟常规的MOSFET失效类似的。无非就是各种过电应力。
  • wangwj123
    东芝SiC MOSFET在实际使用时会对电源造成干扰吗?
    工程师
    如果设计使用不得当的话,当然会影响。
  • flyingstar
    碳化硅在电机驱动应用中带来的拓扑结构变化是什么?
    工程师
    参看前面给你的回答。
  • huihui163
    电源的纹波怎么有效的降低?
    工程师
    这个主要取决于你的系统设计,跟有没有用SiC,关系不是很大。
  • flyingstar
    碳化硅器件的Tj温度最高可达到多少?
    工程师
    东芝碳化硅器件的最高结温是175℃
  • you
    碳化硅MOSFET的PSPICE模型如何应用?
    工程师
    在你使用仿真软件的时候,直接调用我们的PSPICE模型就可以了。
  • dimin
    导通电阻RDS(ON) 的波动?
    工程师
    由于SiC有很多晶格缺陷,在使用中,一旦被激发,会引起Rds(on)的恶化。
  • dimin
    当从源极到漏极施加250A/cm2电流密度1000小时时,在体二极管通电作用下,无内置SBD的SiC MOSFET导通电阻RDS(ON)最大多少?
    工程师
    实验数据表明,无内置SBD的SiC MOSFET导通电阻RDS(on)漂移从10%~40%不等。
  • dimin
    SBD通电时,如何抑制因SiC晶体缺陷扩散而引起的漏极和源极之间导通电阻RDS(ON) 的波动?
    工程师
    SiC MOSFET如果通过体二极管续流的话,由于体二极管PN结是空穴和电子流动,两者在晶体缺陷部分结合产生热量,会扩大缺陷的面积。东芝SiC MOSFET内置SBD管,通过SBD管续流,提高导通电阻长期可靠性
  • dimin
    如何降低服务器、不间断电源(UPS)、光伏逆变器等各种应用的电源损耗?
    工程师
    选用合适的拓扑(如软开关),选用合适的器件(如SiC SBD和MOSFET)
  • yjmislucky
    单次充电的续航里程能增加多少?
    工程师
    这个问题很难直接用量化数据答复,这和实际的应用有关和具体设计有关。 但碳化硅的高频、低损耗能有助于续航里程的增加。
  • huihui163
    mos管开关瞬间的尖峰怎么解决?
    工程师
    可以增大栅极驱动电阻,也可以在GS之间并联一个小电容
  • flyingstar
    在电机驱动应用中使用碳化硅,拓扑结构会有什么变化?
    工程师
    基本没有变化。
  • huihui163
    电流噪声是啥引起的?
    工程师
    你已经说了电流噪声啊。
  • you
    碳化硅mosfet做电源开关器件,如何减小开关损耗及开关振铃对emi的影响?
    工程师
    减小开关损耗需要更短的开关时间,这个与减小振铃是相悖的,需要权衡者
  • flyingstar
    碳化硅驱动电机能降低噪音吗?
    工程师
    碳化硅的高开关频率,有助于降低电机噪音。
  • flyingstar
    碳化硅作为驱动开关时间和电容有什么要求
    工程师
    MOSFET的栅极,几乎等同于一个电容。对这个电容的充放电时间,正比于MOSFET的开关时间。
  • wangwj123
    东芝SiC MOSFET可以直接替代Si产品吗?
    工程师
    需要考虑驱动电压的差异,不能直接替代
  • flyingstar
    在采用碳化硅的电机驱动器中如何降低电磁干扰(EMI)的影响?
    工程师
    优化PCB layout,减小寄生参数的影响。适当调整驱动。
  • haogq6895
    能耐温205℃吗?型号是什么?
    工程师
    目前有碳化硅厂家在推广结温200度的概念,其实就碳化硅材料的结温做到200度难度不大,但封装?外围器件?同样是需要系统考虑的,否则单单功率器件SIC结温曾诺到200度,而其它的跟不上,就没有实际的意义了。东芝现在没有在推耐温205度的概念
  • flyingstar
    请问随着温度升高,SiC的驱动电阀值压会降低吗?
    工程师
    几乎所有的MOSFET(包括Si, SiC)的Vth都是负温度特性。
  • flyingstar
    在采用碳化硅的电机驱动器中如何预防过热?
    工程师
    SiC MOSFET相较于IGBT有更好的温度特性。所以,你常规的过热保护措施就可以了。
  • flyingstar
    碳化硅应用的极限温度场合如何?
    工程师
    产品的工作温度最高175℃
  • you
    碳化硅的驱动电压和pcb布局有哪些注意事项?
    工程师
    东芝碳化硅驱动电压范围宽 +25V 到-10. 但推荐18V开通,可以0V关断,当然负压关断更可靠。PCB布板没啥特殊于其它家的要求,4PIN脚的辅助发射极和门极尽量靠近控制端,大电流的C/E尽量尽短粗线回到电源和地。
  • you
    与硅IGBT相比,SiC MOSFET的短路承受能力怎么样?
    工程师
    相比IGBT,碳化硅MOS的短路能力要差,不管是平面工艺的,还是沟槽工艺的
  • huihui163
    SIC的mos管和普通的MOS管有啥区别?
    工程师
    视频里有张表格,可以回看一下。
  • yjmislucky
    有哪些封装?
    工程师
    目前东芝SiC MOSFET已经量产的650V/1200V型号有TO-247 3脚和4脚封装,即将新增650V的TOLL和DFN8*8封装。
  • wangwj123
    东芝有SiC选型模拟软件吗?
    工程师
    东芝官网搜索型号,可以查看到仿真模型文件https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/detail.TW030N120C.html
  • you
    SiC MOSFET选型时要如何选择冷却系统?或者说是本身自带的吗?
    工程师
    SiC MOSFET只是单管,不带冷却系统,客户可根据实际应用选择散热方式
  • huihui163
    功率器件的发热怎么解决?
    工程师
    散热
  • yjmislucky
    第三代SiC对比前一代主要有哪些改进?
    工程师
    主要是优化了Rds(on)*Qgd这品质因素指标。
  • j543211
    东芝的性能上有优势,价格上有没有更大的竞争力
    工程师
    随着大批量的生产和技术的改进,SiC MOSFET于早几年比,价格有了很大额定下降。你能想象当年1200V/80mohm的产品,卖80美金。现在是2美金左右,你就可以预见不久的将来,SiC MOSFET的市场前景了。
  • linghz
    东芝的碳化硅器件,Rds On最小到多少毫欧?
    工程师
    目前东芝SiC MOSFET最小的是650V/15mohm,1200V/15mohm
  • dimin
    如何抑制导通电阻的变化
    工程师
    这个是器件设计的时候考虑的。东芝的导通电阻变化是最小的之一。
  • wangwj123
    东芝有SiC产品模组提供吗?
    工程师
    有的,东芝有1200V/1700V/2200V/3300V的SiC 模组
  • ChrisF
    东芝目前提供车规级的SIC或者GAN器件?
    工程师
    目前只有工规级的。车规的,明后年推出。
  • linghz
    影响SIC MOS 长期可靠性的因素有哪些?
    工程师
    目前看主要两个方面:一是栅极氧化层的寿命。而是体二极管对Rds(on)的影响。
  • wangwj123
    东芝SiC MOSFET低开关损耗和Vbrdss电压有关系吗?
    工程师
    没有多大直接关系。
  • ChrisF
    传统的PMOS管价格高且选型少,SIC和GAN在这方面有改善吗?如用于反接保护的PMOS?
    工程师
    目前市场上很难见到P型SiC MOSFET。
  • wangwj123
    SiC和Si产品可以在一个项目中混合使用吗?
    工程师
    完全可以。基于成本和性能考虑,目前这样混用还是一个比较可行的方案。
  • yjmislucky
    选型时需要考虑哪些指标?
    工程师
    跟普通MOSFET基本类似。对于SiC MOSFET来说,多关注几个参数,一是驱动电压。目前业界还没有统一。二是体二极管的压降。每家都不一样。
  • wangwj123
    东芝SiC MOSFET主要应用场景有哪些?
    工程师
    东芝SiC MOSFET主要应用在光伏,储能,充电桩,电池化成等
  • flyingstar
    SIC器件应用中须有哪些注重事项?
    工程师
    需要注意导通电阻的飘移,驱动电压的范围和误触发保护(米勒钳位保护,负压关断)
  • linghz
    SiC MOSFET的击穿电压可以达到多少?
    工程师
    目前我们量产的产品,最高到3300V。
  • flyingstar
    碳化硅驱动器的死区时间如何精确控制?
    工程师
    碳化硅MOS相比IGBT没有关断的拖尾,因此控制的死区时间可以缩短,如:200-300ns在逆变器三相全桥的应用
  • yjmislucky
    怎么考虑散热?
    工程师
    SiC MOSFET的散热可以参考普通MOSFET和IGBT的散热,没有特殊要求。
  • wangwj123
    东芝SiC MOSFET在驱动频率上有什么要求吗?
    工程师
    驱动频率没有要求,由你系统来定。驱动电压有要求。0V~+18V。不能低于18V。
  • yjmislucky
    layout有哪些讲究?
    工程师
    SiC MOSFET的开关速度比较快,原来使用IGBT的时候,没有考虑到的寄生参数,可能会带来很大的影响。所以,减小寄生参数(寄生电感)是关键。
  • flyingstar
    碳化硅器件的瞬时反应速度,与普通硅半导体器件相比,有区别吗?
    工程师
    碳化硅MOS的ton和toff比于硅MOS的都要小
  • flyingstar
    碳化硅在散热性能上比硅基器件好多少?
    工程师
    碳化硅由于开关损耗小,因此发热低于硅基器件
  • flyingstar
    为了达到良好的散热效果,需要怎样设计PCB布局
    工程师
    这个属于系统设计,很多的trade-off。譬如,对散热而已,热源分开会有利于散热。但是。由于SiC MOSFET开关速度高,太远的距离会带来很大的寄生参数影响。所以,这是系统设计工程师需要综合考虑的事情。
  • dimin
    开关损耗?
    工程师
    这个取决于你的驱动条件。在同等驱动条件下,相较于其他品牌,东芝的开关损耗是比较小的。
  • j543211
    用SIC 在PCB布局上,需要注意那些问题,方便过EMC
    工程师
    布线尽量短而粗,缩小电流环路面积,漏极加磁环屏蔽等。
  • 陈一逢
    视频保存在哪里?
    工程师
    您好!研讨会结束后您可以在21电源网站上回看。
  • chong13
    考虑到成本因素,碳化硅功率器件的普及还面临哪些挑战?
    工程师
    高效率,小型化的应用需求适合选择SIC。 毕竟目前SIC成本还是高于硅基器件,主要问题还是成本,当然成品率是导致成本高的重要原因,如何提高成品率,进一步降低成本是面临的问题
  • linghz
    东芝最新SiC MOSFET都有哪些创新的保护优化?
    工程师
    主要两点:一是栅极氧化层进行了特殊处理,提高可靠性和稳定性。二是内置SBD替代MOSFET的寄生体二极管。从而提高可靠性,已经某些应用中的二极管损耗。
  • linghz
    SiC MOSFET的导通电阻可以多低?
    工程师
    TO-247封装的产品,Rds(on)在15毫欧~140毫欧。模块产品早1~2毫欧。
  • wangwj123
    东芝SiC MOSFET的耐压值是多大?
    工程师
    目前东芝SiC MOSFET的分立器件有650V 和1200V 两个耐压档位的MOSFET 和SBD
  • yjmislucky
    除了汽车,还能应用在哪些场合?
    工程师
    碳化硅适合于高耐压,高频率的应用,针对新能源汽车的逆变器有效率高,小体积轻型化的需求,因此非常适合。同样牵引应用(高铁地铁等)也有优势,还要一些高效电源,逆变器,电机等有小型化需求的应用,都是适合的
  • 张风80
    对于关断电压,为何东芝选-10V,有哪些工艺提升
    工程师
    -10V 不是东芝的关断电压,是东芝碳化硅MOS的栅极耐压负压最大值
  • yxs2022BdrPQ57Z
    电流在实际使用的时候降额多少
    工程师
    一般器件推荐使用降额在80%*最大值
  • flyingstar
    SiC Mosfet的Vth稍低,那么设计时注意哪些?
    工程师
    东芝的Vth不低的。所以,我们没有采用负压关断,0V就可以了。Vth太低的话,容易引起误触发。
  • yjmislucky
    导通电阻能达到多少?
    工程师
    目前东芝碳化硅单管有650V 15mΩ(典型值),27mΩ(典型值),48mΩ(典型值),83mΩ(典型值),107mΩ(典型值) 1200V 15mΩ(典型值),30mΩ(典型值),45mΩ(典型值),60mΩ(典型值),140mΩ(典型值) 可选。
  • 陈一逢
    碳化硅的体二极管反向恢复特效怎么样?
    工程师
    碳化硅材料因导通原理与硅相同,所以依然存在体二极管,但是反向恢复时间远小于硅器件的反向恢复时间
  • dimin
    开关损耗?
    工程师
    开关损耗不是一个简单的数字,确定一个器件的开关损耗需要确定器件的规格以及具体的测试条件
  • 核核美美
    目前国产技术已经很成熟了,东芝和国产竞争的优势在哪里?
    工程师
    国产技术成熟,但量产一致性还需要走一段时间。另外东芝SIC MOS内置SBD这是和绝大都数公司不一样的技术路线。
  • yjmislucky
    第三代SiC MOSFET有哪些优势?
    工程师
    东芝SiC MOSFET内置SBD管,提高导通电阻长期可靠性;低 RON×Qgd;宽VGSS范围
  • wangwj123
    东芝SiC MOSFET主要采用什么散热方式?
    工程师
    散热器,风冷等。
  • dimin
    Ron *Qgd?
    工程师
    这是考量一个MOSFET的品质因素之一。
  • wangwj123
    东芝SiC导通内阻大概多大?
    工程师
    TO-247封装的产品,Rds(on)在15毫欧~140毫欧。模块产品早1~2毫欧。
  • j543211
    请问在并联应用上,是直接并联好,还是怎么处理更优
    工程师
    太多的并联方案可以考虑直接使用模块,由模块厂家为你解决了多颗单器件的并联问题
  • linghz
    SIC MOSFET目前都提供哪些封装样式可供选购?
    工程师
    目前有TO-247,TO-247(4L),TOLL,QFN8x8。
  • haogq6895
    开通18V以上,关断0V不出错吗?我们用时应该负压关断更可靠吧?
    工程师
    东芝第三代SIC MOS推荐18V开通,可以0V关断。 如果现成方案采用负压关断,没问题,更可靠,尤其对多颗并联的应用。
  • yjmislucky
    有开发板吗?
    工程师
    有部分电源,电机驱动或特定拓扑的参考设计。
  • chong13
    针对开关电源应用,东芝SiC MOSFET如何减少电磁干扰(EMI)和开关损耗?
    工程师
    主要考虑PCB走线的长度带来的寄生电感产生的EMI。如果走线的寄生电感比较小,可以提高开关速度,减小开关损耗。
  • linghz
    东芝SiC MOSFET的开关速度可以到多少?
    工程师
    看你电路拓扑结构,如果是硬开关,建议在100kHz以内,软开关的话,几百kHz都没有问题的。
  • j543211
    有选型软件么,可以根据参数,推荐合适的型号等
    工程师
    可以在东芝官网检索https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor.html
  • htwdb
    650V/1200V 器件反向恢复电流和高浪涌承受能力怎么样,以及最高运行结温可以达到多少度?
    工程师
    最高运行温度可达175°,具体反向恢复电流请查看规格书。
  • chong13
    在SiC MOSFET的封装技术上有哪些创新,用于提高产品的热性能和可靠性?
    工程师
    比如表面贴装技术(SMD)封装,顶部散热(Top cooling)封装等。
  • htwdb
    第三代SIC功率器件能做到的工艺精度能到什么级别?
    工程师
    功率器件通常不谈工艺精度。
  • ChrisF
    4线封装的SIC器件是多了一根什么线?具体怎么用?
    工程师
    Kelvin source connection,有助于降低Switching Loss 。
  • dimin
    成本?
    工程师
    是价格吗?请联系东芝或各大代理商 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/tdes/base.html https://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/tdes/bp.html
  • dimin
    芯片面积?
    工程师
    请在东芝官网联系销售渠道,咨询具体型号的芯片面积。
  • taotoby
    东芝第三代SiC MOSFET有哪些突出的特点?
    工程师
    1、内置SiC SBD, 是的Rds(on)更加稳定
  • chong13
    在电动汽车充电站中,碳化硅功率器件如何加快充电速度同时保持高能效?
    工程师
    通过提到电压电流可以加快充电速度,降低导通电阻可以提高效率
  • dimin
    如何降低导通电阻?
    工程师
    导通电阻是器件在一定测试条件下的固有属性,对于选定的碳化硅器件,想要降低导通电阻,可以增大栅极驱动电压
  • ChrisF
    实际工作电压为DC12V电流25A最大,在选型时应该如何选择这两个参数?
    工程师
    直流12V属于低压,选用硅的LVMOS就够了。碳化硅一般是应用在高压大电流场合。
  • xjx30937
    单管碳化硅可达1200V是极限电压吗 全碳化硅模组为什么能达到3300V,与单管的差异在哪 里?
    工程师
    全碳化硅模块内部采用了3300V耐压的碳化硅芯片,所有标称3300V
  • xjx30937
    漏源级之间的瞬间电流能承受多大的电流?
    工程师
    可以参考数据手册里的IDP参数
  • j543211
    我看有几个不同的封装,请问这些是方便安装,还是散热上的考虑
    工程师
    这是为满足不同应用场合,比如充电桩多采用TO-247,TO-247(4L)。服务器电源更青睐于TOLL封装。
  • xjx30937
    这个内阻随着温度变化时,会增加到多少豪欧?
    工程师
    具体型号数值不同,1200V/30mohm在温度175°时内阻升高到1.7倍左右
  • 顾沛公
    最高耐压多少
    工程师
    目前单管碳化硅可达1200V,全碳化硅模组可达3300V
  • ss678162
    第三代通过什么新方法降低ron?
    工程师
    东芝第三代SiC MOSFET通过JFET区域收缩和氮注入抑制RonA的增加
  • ChrisF
    SIC的开启电压范围是多少?
    工程师
    东芝SiC MOSFET推荐开启电压是18V,阈值电压范围是3~5V
  • yuanyufang
    东芝的SiC MOSFET的工作频率范围是?
    工程师
    看你电路拓扑结构,如果是硬开关,建议在100kHz以内,软开关的话,几百kHz都没有问题的。
  • xjx30937
    这个导通损耗的会达到多少,是不是跟随温度而变化?
    工程师
    具体导通损耗需要看具体器件在具体电路中的使用情况,跟温度的变化是有一定的相关性的
  • yuanyufang
    SiC MOSFET的开关损耗一般可达到多少?
    工程师
    开关损耗需要具体情况看,若是需要降低开关损耗,可以通过降低栅极电阻来提高开关速度,当然需要兼顾可能引起的振铃
  • ss678162
    漏级的电流与负载相关吗
    工程师
    实际通过器件的电流与负载是相关的,比如机器的轻载,半载以及满载情况
  • 核核美美
    现在我们最小内阻可以做到多少?
    工程师
    目前东芝碳化硅单管最小可以做到15mΩ(典型值)。
  • yuanyufang
    东芝的碳化硅,晶圆是多少英寸的?
    工程师
    目前是6吋的。8吋的在开发中。。。
  • xjx30937
    碳化硅功率器件最大带载电流是多少
    工程师
    东芝SiC MOSFET 15mohm的最大导通电流是100A
  • yuanyufang
    东芝的碳化硅的驱动电压是多少V?
    工程师
    东芝碳化硅建议的驱动电压是+18V, 关断电压是0V
  • yjmislucky
    内置SBD结构有什么优势?
    工程师
    东芝SiC MOSFET内置SBD管,通过SBD管续流,提高导通电阻长期可靠性
  • yuanyufang
    东芝的SiC最高耐压可达到多少V?
    工程师
    目前单管碳化硅可达1200V,全碳化硅模组可达3300V
  • flyingstar
    采用碳化硅器件抗干扰能力会增强还是下降?
    工程师
    采用碳化硅(SiC)器件通常会增强抗干扰能力。
  • yuanyufang
    东芝的碳化硅是哪种结构?
    工程师
    东芝碳化硅MOS采用的是平面结构
  • yuanyufang
    SiC的开关速度一般可达到多少?
    工程师
    理论上SiC工作频率可达到1MHz。但考虑到实际电路中其它器件,SiC的开关频率一般工作在从几十KHz到几百KHz。
  • ChrisF
    SICMOS也会和传统MOS一样内部有寄生的二极管可以用于回路泄流吗?
    工程师
    东芝SiC MOS通过内置SBD续流
  • j543211
    用SIC 在过EMC时有什么特殊的处理方法
    工程师
    EMC主要是来自于器件开关时,产生的尖峰脉冲所导致。由于使用碳化硅后,都会提高开关频率,因此使用碳化硅器件后,需要更加重视EMC。具体对策无非是布板时PCB的优化走线,接地点,以及外围去尖峰电路的平衡。
  • flyingstar
    采用碳化硅器件能把驱动器做得更小巧吗?
    工程师
    是的,碳化硅的开关频率高于硅基MOS,有利于产品的小型化。
  • ChrisF
    SIC器件在高温工作时其特性参数会有哪些变化?降额应用通常要做哪些考虑?
    工程师
    高温下RDS(on)和Vth容易产生漂移。导致RDS(on)升高和Vth的降低。
  • ss678162
    东芝的碳化硅最高的电压和频率是多少
    工程师
    东芝的SiC MOSFET目前最高耐压是3300V。工作频率根据工况从几十kHz到几百kHz不等。
  • j543211
    一般的选择碳化硅,做到多高的频率是比较理想的选择
    工程师
    看你电路拓扑结构,如果是硬开关,建议在100kHz以内,软开关的话,几百kHz都没有问题的。
  • woaini123456789
    最好温度是多少
    工程师
    按照你使用产品的规格书,虽然SIC可以更高的结温,但还要看封装。
  • 核核美美
    东芝碳化硅的工业是什么?沟槽还是多层外延?
    工程师
    目前东芝碳化硅MOS管是平面结构。
  • yjmislucky
    开关频率能达到多少?
    工程师
    看你电路拓扑结构,如果是硬开关,建议在100kHz以内,软开关的话,几百kHz都没有问题的。
  • bwcx957
    SiC MOSFET与IGBT 对于负荷快速切断动作时间差异是否很大?
    工程师
    是的,IGBT是双极性器件,关断时存在拖尾电流,关断时间长
  • ss678162
    导通损耗的电压降关系是?
    工程师
    导通损耗= Ron × (ID)2= 导通电阻 × (漏极_电流)2 → 减小 Ron 有助于减少导通损耗。
  • 搬砖ing
    在电动汽车应用中,碳化硅功率器件如何帮助实现车辆的轻量化?
    工程师
    由于碳化硅开关损耗低,因此使用碳化硅器件时的散热器尺寸可以减小,提高频率后,外围电感电感量可以减小,即体积成本降低,这些方案都有助实现应用轻型化、小型化
  • KooKA
    SiC Mosfet的寄生二极管正向导通电压降是多少?
    工程师
    东芝SiC MOSFET内置SBD,故导通压降约为1.35V
  • bwcx957
    东芝SiC MOSFET 管子的驱动电路的开通电压和关断电压是多少?
    工程师
    推荐开通+18V,关断0V。
  • ss678162
    功率损耗那个最大
    工程师
    功率损耗要看具体使用条件。相同条件下,导通电阻高的器件功率损耗会大一些。
  • j543211
    做一个320W的电源,LLC架构,请问如果用碳化硅的话,如何选择
    工程师
    LLC是软开关,SiC MOSFET发挥不出优势,一般MOSFET就可以了。SiC MOSFET的一个主要特点是开关损耗比较小。
  • bwcx957
    用于电动汽车的碳化硅(SiC),相比常规的碳化硅,其技术特性有哪些区别?
    工程师
    目前我司没有车规级SiC
  • ChrisF
    SIC和GAN的应用有可能 会导致传统SI器件市场的变化甚至导致部分产品停产消失吗?在新项目设计时如何做二者的取舍?