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车规级宽禁带功率器件技术分析
讲师:崔其祥
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车规级宽禁带功率器件技术分析
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直播大纲

1、SiC 功率 MOSFET 研究进展

2、固体的能带理论

3、SiC 对比 Si 材料优势

4、节能及系统集成度推动电力电子应用的发展

5、SiC 二极管

6、平面 SiC MOSFET 的基本挑战

7、典型的沟槽结构 SiC MOSFET 类型

8、SiC MOSFET 开关状态


崔其祥    世纪电源网资深版主
上海鹰峰电子科技股份有限公司技术中心负责人,控制理论及控制工程硕士,二十多年来专注于电力电子以及电子元器件的研究,对汽车 OBC, LED 驱动电源拓扑,半导体,感性器件的工艺和应用,有源滤波器,IGBT 驱动器以及 TI 数字信号处理 DSP F28 系列的应用和系统级设计有深入的研究和独特的见解,擅长各种电源方案拓扑并在 LED 照明电子设计及应用领域积累并取得了多项国际专利。
直播互动
liuyi160
国产已大规模量产的厂家有哪些呢?
2022-12-08 14:04:01
lin316979109
4.5eV和1.1.eV如何得出这个数据呢
2022-12-08 14:05:18
lin316979109
击穿场强数据这么来的呢
2022-12-08 14:07:09
lin316979109
导通电阻数据是多少呢
2022-12-08 14:08:25
z15305419779
车规级宽禁带功率器件相关资料在哪里查阅?谢谢
2022-12-08 14:08:58
liuyi160
请问培训资料可以回看吗?
2022-12-08 14:09:59
lin316979109
散热降低是什么方式实现的呢
2022-12-08 14:11:02
wangwj123
SiC制造成本相比Si高很多吗?
2022-12-08 14:11:08
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