车规级宽禁带功率器件技术分析
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2022/12/08 14:00-15:00
讲师:崔其祥
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  • 1、SiC 功率 MOSFET 研究进展

    2、固体的能带理论

    3、SiC 对比 Si 材料优势

    4、节能及系统集成度推动电力电子应用的发展

    5、SiC 二极管

    6、平面 SiC MOSFET 的基本挑战

    7、典型的沟槽结构 SiC MOSFET 类型

    8、SiC MOSFET 开关状态


崔其祥     上海鹰峰电子科技股份有限公司技术总监
控制理论及控制工程硕士,二十多年来专注于电力电子以及电子元器件的研究,曾就职于台达,飞利浦等世界 500 强研发及技术管理岗位,目前就职于某汽车电子公司技术总监,对汽车 OBC, LED 驱动电源拓扑,半导体,感性器件的工艺和应用,有源滤波器,IGBT 驱动器以及 TI 数字信号处理 DSP F28 系列的应用和系统级设计有深入的研究和独特的见解,擅长各种电源方案拓扑并在 LED 照明电子设计及应用领域积累并取得了多项国际专利。
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