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此在线研讨会将介绍安森美 (onsemi) 的全新 40V 和 80V T10 MOSFET ，其具有业界领先的 RDSon，还提供较低的栅极电荷和一流的软恢复，以减少电压尖峰，其主要特点包括:
· 极低的导通电阻：T10 系列 MOSFET 在 5mm x 6mm 封装中具有 0.42mΩ 的最低导通电阻。
· 较低的门极电荷（Qg）：T10 系列 MOSFET 具有较低的门极电荷，有助于改善电压尖峰和电磁干扰问题。
· 软开关特性：T10 系列 MOSFET 具有更柔和的恢复特性，有助于提高性能。
· 更高的雪崩电流和能量能力：T10 系列 MOSFET 在极端条件下具有良好的鲁棒性。
T10 MOSFET 采用先进的封装技术，结合高电流处理能力、低导通电阻和改进的开关特性，种种优势使其成为工程师设计功率转换和开关系统时的热门选择。
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袁光明
安森美电源方案部工程师
毕业于华南理工大学并持有硕士学位。毕业后一直于半导体行业工作，拥有超过16年成功的产品开发及技术支持经验。
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