SiC 器件在大功率快速充电桩应用上的设计
讲师：汤文波
1. 市场趋势以及系统设计的要求
2. 各种方案的优劣势对比，器件选型的考量点以及 Cree | Wolfspeed SiC MOSFET 的优点介绍
3. 基于 Cree | Wolfspeed SiC 方案的参考设计介绍
2. 各种方案的优劣势对比，器件选型的考量点以及 Cree | Wolfspeed SiC MOSFET 的优点介绍
3. 基于 Cree | Wolfspeed SiC 方案的参考设计介绍
直播亮点
在快速充电系统中，Cree | Wolfspeed SiC 方案带来高效高频高功率密度的性能提升。
汤文波 Cree | Wolfspeed 高级现场应用工程师
毕业于南京航空航天大学电气工程及自动化专业。十多年的电源研发和半导体技术支持经验，对于传统电源、数据中心电源、工业电源以及新能源领域的应用有深入了解和市场积累。现为 Cree | Wolfspeed 高级现场应用工程师，负责华南区功率市场。
直播互动
Toby.tao
如何降低SiC自身的损耗？
2021-08-25 10:28:54
Cree培训1：
选用软开关拓扑
行者
目前充电桩应用的最高开关频率是多少
2021-08-25 09:22:12
Cree培训1：
这个跟具体的应用相关，硬开关的拓扑，考虑到效率、体积以及EMI的权衡，建议设定为60-70kHz；而软开关的拓扑，例如LLC，我们有设计谐振频率200kHz的参考设计
Pollee
目前行业内将350KW@1000ⅴdc，充电电流达到350A为大功率范畴，贵司最大可做多少？
2021-08-25 09:36:33
Cree培训1：
这个要看充电桩厂家的设计，Wolfspeed的SiC 单管以及模块方案支持几十kW 到 几百kW的功率设计
东方之山
大功率充电桩的标准是什么？
2021-08-25 09:23:52
Cree培训1：
相对于OBC的3.3kw,6.6kw 以及11kW，DC充电桩的80kW，160kW就是大功率，将来如果要使充电时间更短，功率会达到300kW以上
一弯新月浅浅笑
请教带shunt电阻的电路，下桥功率管开尔文引脚怎么连接？
2021-08-25 10:30:38
Cree培训1：
功率 source接shunt resistor，kelvin source作为驱动回路
脚下-Diggle_Xia
驱动的负压问题可靠性问题？非隔离驱动如何实现负压，如反激拓扑。用于碳化硅驱动的负压电路及关注点
2021-08-25 09:12:18
Cree培训1：
Wolfspeed第三代SiC Mosfet C3M系列的驱动平台电压：-3V/+15V, 尖峰电压范围：-8~+19V。如果是单端的拓扑， 例如：单管的Flyback，boost，buck，可以采用0/+15V的驱动电压
平子
驱动电压最优幅值是多少？
2021-08-25 09:17:41
Cree培训1：
Wolfspeed第三代SiC Mosfet C3M系列的驱动平台电压：-3V/+15V, 尖峰电压范围：-8~+19V
星星
星星
是否有成熟的驱动方案，驱动芯片也可以
2021-08-25 10:31:51
Cree培训1：
TI的UCC5350MC是一款我们参考设计中使用的
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