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优化驱动电路,提升碳化硅器件性能
讲师:李志君
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优化驱动电路,提升碳化硅器件性能
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直播大纲

1、栅极驱动电路设计 step by step

2、如何应对串扰的挑战

3、封装优化对 SiC MOSFET 损耗的影响

4、即插即用的 SiC MOSFET 驱动方案

李志君    泰科天润半导体总工程师
2009年至2015年,就职北京京仪椿树整流器有限责任公司,历任技术中心主任、技术工程部部长、副总工程师,期间主要从事大功率高频高效开关电源相关产品的研发及产业化工作,带领团队自主研发成功了IGBS系列蓝宝石炉晶体生长加热电源;2015年至今,任泰科天润半导体科技(北京)有限公司总工程师、电源事业部总监。主要从事碳化硅功率器件相关解决方案的研究及相关碳化硅电源产品的研发及市场应用的推广。 近年曾荣获中国机械工业科学技术奖三等奖,中国仪器仪表学会科技成果奖,北京市科学技术奖三等奖,北京市西城区科技进步三等奖,北京京仪集团有限责任公司科技成果转化奖二等奖等奖项。发表论文7篇,授权专利9项。
直播互动
wang
串扰抑制除了负反馈方案,还有什么有效的解决方案?
2021-07-29
专家:
负压驱动、栅极加C、有源米勒钳位还有负反馈方案,都可以比较一下。
大头
碳化硅使用寿命咋样呢?
2021-07-29
专家:
碳化硅损耗相对低,因此发热比较容易控制,这在一定程度上有利于寿命提高。
项目经理
碳化硅器件的损耗情况是否会更大?
2021-07-29
专家:
碳化硅器件的损耗相对小
清河
采用碳化硅时,怎么考虑上下桥的死区时间?谢谢
2021-07-29
专家:
根据额定工况下的dvdt来确定,可以参考电压上升下降时间设置
实际电路没办法像样板电路的理想空间和布局,公式是否要微调
2021-07-29
专家:
杂散电感的公式主要用于验证,也是推荐值,如果不能满足公式要求,就需要在调试过程中注意栅极电压是否会受到干扰了。根据经验,不满足公式的情况下,栅极电压干扰一般比较明显。
一头笨牛
无源抑制相比有源抑制更好吗?
2021-07-29
专家:
无源抑制比较简单 但是难以实现串扰抑制和开关速度dvdt的协同优化
东亚安防
串扰问题咱们是怎么应对的呢?
2021-07-29
专家:
推荐采用有源方案基于负反馈原理来抑制,也可以选取无源的抑制方案。具体操作可以参考PPT中的文献
一头笨牛
如何抑制栅源电路的干扰尖峰?
2021-07-29
专家:
推荐用有源驱动的办法抑制
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