一、第三代功率半导体材料的物理特性
① 半导体材料发展过程
② SiC、GaN 与 Si 的参数对比
二、碳化硅(SiC)
① SiC 肖特基功率二极管结构及其等效电路
② SiC 功率二极管正向特性
③ SiC 功率场效应晶体管结构
④ SiC-MOSFET 的特性(开关特性、导通电阻、输出特性)
⑤ SiC-MOSFET 驱动电路的基础知识
⑥ 典型驱动电路(单管、桥式、抑制串扰、双管)
三、氮化镓(GaN)
① 导电原理
② 工作原理
③ 双向导通原理
④ 输出特性、导通电阻、转移特性
⑤ 驱动电路
四、SiC 与 GaN 的比较与应用