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SiC 功率器件赋能离线式开关电源
讲师:井泉
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SiC 功率器件赋能离线式开关电源
讲师:井泉
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直播大纲
1. 数据中心供电系统的演变和电源转换效率的要求越来越高,例如 80Plus 钛金电源和 OrV3.0 电源模块对电源效率提出了明确的高指标、欧盟也对高效数据中心电源提出了明确的计划 ErP-lot9 2023
2. 为了满足高效率的要求,需要电路设计从拓扑和器件选择层面做出选择,无桥式图腾柱 PFC 为高效和高功率密度电源提供了选择。相对于 Si MOSFET 和 GaN 功率器件,SiC MOSFET 优异的综合表现,在图腾柱 PFC 应用中展现出高效,易于设计的优势以及有竞争力的系统成本优势
3. Wolfspeed 650V SiC MOSFET 用在高频 LLC DCDC 电源变换的原边电路,在开高频的情况下(400kHz - 1.5MHz),对于 SJ MOSFET,其表现出明显的效率优势


直播亮点

对于数据中心高效率的要求,图腾柱 PFC 和 SiC MOSFET 提供了理想的组合。SiC MOSFET 同样是电压驱动型器件,相比于 SJ MOSFET,SiC MOSFET 有低的高温阻抗和极小的 trr/Qrr;相比于 GaN 功率器件,SiC MOSFET 具有耐雪崩能力和高结温的优势,而且易于驱动。在高效 PFC 方案中,直播中会从系统层面对不同拓扑的功率器件选择和数量,以及相对成本做了对比,图腾柱 PFC 和 650V SiC MOSFET 方案是最优的选择。


井泉    Cree | Wolfspeed 高级现场应用工程师
十多年的功率半导体应用和技术支持经验,目前任职于 Cree | Wolfspeed 华南区技术支持团队,负责华南区 IT 电源的推广和技术支持。
直播互动
switchconverter
sic阈值漂移该怎么解决?
2021-09-08 10:39:00
Cree培训3:
门极可靠性是SiCMOSFET的一个重要参数。所以我们电源工程师朋友在产品开发设计时应严格遵循规格书推荐的驱动电压,满足驱动电压的限值要求。对于我们Wolfspeed第三代SiC MOS,推荐的驱动电压为15V/-3V。驱动负压的限值是最大值不超过-8V并超过-6V 电压尖峰的宽度<100ns,正压尖峰不超过19V。如果你的产品确保在所有工况下都能确保满足要求,在产品老化测试过程中并没有Vth漂移风险。
是否有免费的样品提供?
2021-09-08 10:58:57
Cree培训3:
请联系我们的代理或原厂sales,可免费申请相关样品
powerpq
有没有3 kw pfc 100k开关频率的方案
2021-09-08 10:15:57
Cree培训3:
请联系我们的代理或Sales/FAE,后续会根据您的技术指标分析制定合适的方案,满足对效率及功率密度的需求。
htbetter
cree的SiC驱动有没有推荐哪个厂商的驱动器?
2021-09-08 10:32:11
Cree培训3:
目前市面上已经有不少针对SiC MOS应用的驱动IC。例如TI的UCC5350MC, ADI的ADuM4121,他们都是值得尝试的分立SiC MOSFET驱动器。Wolfspeed与TI, ADI以及Silabs等主流驱动厂商也在不断积极合作,为Wolfspeed的碳化硅MOSFET量身打造最合适的驱动产品。
恐龙刺客
Wolfspeed 650V SiC MOSFET都有哪些封装样式?单一DIP直插吗?
2021-09-08 10:20:29
Cree培训3:
有DIP直插(TO-247-3和TO247-4)以及贴片封装(TO-263-7和TOLL),可前往官网查看规格书,https://www.wolfspeed.com/
alex
如何建立大信号的仿真模型并达到预设的仿真结果?
2021-09-08 10:48:07
Cree培训3:
我们提供speedfit在线仿真工具,以及Plecs和LT-spice器件仿真模型,可自行下载
zxc
耐温是多少度?
2021-09-08 10:50:14
Cree培训3:
对于第三代MOS,最大结温为175度
sun
现在SiCMOS驱动电压采用15V驱动可以吗?需要加负压吗
2021-09-08 10:06:16
Cree培训3:
对于K封装器件,正压可以用15V,为了避免串扰引起的误导通问题,在桥式拓扑中需加负压,推荐-3V左右,非桥式拓扑不需负压。
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