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新型宽禁带半导体器件的研究与探索
讲师:梁晓军
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新型宽禁带半导体器件的研究与探索
讲师:梁晓军
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直播大纲

1. 介绍宽禁带功率器件的原理与特性

2. 氮化镓器件的驱动设计与仿真计算 

3. 宽禁带半导体的材料特性及氮化镓器件的基本结构

4. 碳化硅的超级结技术介绍

5. 碳化硅超级结工艺流程


梁晓军    英飞凌高级主任工程师
世纪电源网资深版主,主要研究方向:高频半导体功率变化技术,直流供电系统集成的理论与若干关键技术研究.多磁路集成仿真与研究。
直播互动
lion9198
关断时产生负压影响产品性能吗?
2021-07-30
专家:
这个不影响产品性能,确保GaN可靠的关断而已
水荷
请问有spice model做电路仿真吗?
2021-07-30
专家:
请访问各大公司网站下载
雁月西楼
氮化镓器件工作频率高,对磁性材料有哪些要求?
2021-07-30
专家:
磁性材料需要高频磁芯
我是我
碳化硅未来的发展方向会是什么
2021-07-30
专家:
碳化硅主要目标应用是大功率与特大功率,比如说直流电力传输等
水荷
在选择GaN MOSFET的驱动芯片时有什么要求?
2021-07-30
专家:
现在很多氮化镓基本上不需要特别的驱动芯片,一个简单的RRC电路就可以满足
碳化硅的禁带更宽一些还是氮化镓的禁带更宽
2021-07-30
专家:
氮化镓略宽一点
阿龙哥
宽禁带材料是不是在高温高湿环境下性能也是会很稳定的.
2021-07-30
专家:
是的,由材料特性决定的
王强
氮化镓产品使用时与原来硅产品比较需要注意些什么?
2021-07-30
专家:
主要差异是驱动设计
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