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碳化硅场效应管栅驱动技术
讲师:许逵炜
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碳化硅场效应管栅驱动技术
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直播大纲
一、芯侠之杖,驱动概述
二、15V 与18V 之辨
三、ON 与 OFF 之驱力平衡
四、过流检测及保护
五、驱动布局与供电
六、实战三例,游刃有余不再难
许逵炜    世纪电源网资深版主
中国电源学会专家委员会委员 先进青年科技工作者 主要从事电力电子变换及相关技术研发和相关技术推广工作。 多年从事工业特种电源研发、设计的工作。曾参加并联型电力有源滤波器等自然科学基金项目。带领博士团队探索研发大功率非接触传能等先进理论、技术,发表多篇论文并被 IEEE 等收录。
直播互动
wangwj123
减小损耗需要设计在饱和区?
2022-09-21 16:25:59
专家:
这要看设计结构。通常,对于磁芯,损耗只要来自ΔB。
科技守望者
以前测试时发现,外部电压测量线稍微长一点,测量vce电压就很高,请问这个真实吗?
2022-09-21 16:34:59
专家:
这种现象很常见,波形是不真实的。由于寄生LC,测试非常需要技巧。一般,推荐至少用弹簧地线做探头地线测量。最近,各家公司有退出光隔离探头,有助改善。
jiaoxy
SiC MOS驱动负压怎么选?负压过大会影响管子寿命吗?
2022-09-21 16:31:00
专家:
负压主要会导致后期RDSON衰退。一般不建议用负压驱动。可以用带钳位的驱动实现同样功能。
旧梦
碳化硅驱动芯片的峰值电流需要多大?
2022-09-21 16:25:00
专家:
目前,集成驱动直接输出能力已达到15A。已够绝大多数应用。通常TO247封装,很少会超过2A,后续有计算分享。
旧梦
请问有没有碳化硅的三相全桥驱动模块?
2022-09-21 16:18:59
专家:
目前已有这样的智能模块。如英飞凌出产的IM828XCC。驱动与SiC MOSFET封装集成
stonemoore
驱动器使用隔离变压器或芯片内部隔离有什么优缺点?哪个更适合SIC mosfet
2022-09-21 16:15:59
专家:
用外置隔离变压器,最大问题是分布参数比较大。不太适合高速开关应用。
taotoby
减少dv/dt或di/dt有利于EMI吗?
2022-09-21 16:18:59
专家:
有这方面趋势。电磁兼容是结构与dv/dt的综合要求。减小一个因素,确实有一定效果。最好从系统考虑,达到平衡为宜。
switchconverter
有自带保护功能的驱动器吗
2022-09-21 17:00:59
专家:
有很多这样的驱动。比如2ED020I12F2,就是带检测饱和压降测过流的带保护驱动IC。
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