近期直播
我要直播
2025年06月10日 10:00-12:00
车启芯时代 · 引领芯未来
  • 预约回放
    收藏
    取消收藏
    2025年06月11日 10:00-12:00
    开启高效设计之路:电源的建模与仿真
  • 预约回放
    收藏
    取消收藏
    2025年06月12日 09:30-15:30
    数字低碳 共创未来
  • 预约回放
    收藏
    取消收藏
    2025年06月18日 10:00-12:00
    为汽车应用增加系统价值
  • 预约回放
    收藏
    取消收藏
    2025年06月20日 13:30-16:00
    通信类赛题解析和备赛经验
  • 预约回放
    收藏
    取消收藏
    2025年06月24日 10:00-12:00
    TI 针对储能系统的创新设计和应用,助力实现可持续能源生态
  • 预约回放
    收藏
    取消收藏
    2025年06月24日 14:00-16:00
    ADAS 之眼-安森美图像传感器
企业直播
查看更多
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年06月10日 10:00-12:00
    车启芯时代 · 引领芯未来
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年06月11日 10:00-12:00
    开启高效设计之路:电源的建模与仿真
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年06月12日 09:30-15:30
    数字低碳 共创未来
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年06月18日 10:00-12:00
    为汽车应用增加系统价值
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年06月24日 10:00-12:00
    TI 针对储能系统的创新设计和应用,助力实现可持续能源生态
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年06月24日 14:00-16:00
    ADAS 之眼-安森美图像传感器
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年06月25日 10:00-11:30
    Silicon Labs 蓝牙低功耗 (BLE) 产品
    及其关键应用介绍
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2025年05月30日 14:00-16:10
    2025 贸泽电子技术创新论坛-边缘 AI & 机器学习-5月30日
专题培训
查看更多
电赛加油站!助你备战 TI 杯 2025 年全国大学生电子设计竞赛
3场直播
专家:专家
进入专题
TI 杯 2025 年全国大学生电子设计竞赛
6场直播
进入专题
贸泽电子技术创新论坛--边缘AI&机器学习
3场直播
专家:专家
查看回放
2025 年 SiC 主题直播
1场直播
专家:专家
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
2024年 TI 高压在线研讨会
5场直播
查看回放
2024 高性能电源技术特辑
2场直播
专家:陈为
查看回放
贸泽与你大咖说-能源转型 智能科技撬动绿色地球
1场直播
查看回放
onsemi / P&S IoT 主题直播
2场直播
专家:文天祥
查看回放
2024年电源设计研讨会(PSDS)
7场直播
查看回放
安森美/WT 工业主题直播
2场直播
专家:许逵炜
查看回放
WPI - onsemi 助力实现高效能电源技术设计主题直播
2场直播
专家:傅恺宁
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
2024年 - 物联网 IoT 主题直播
3场直播
专家:黄庆卿
查看回放
2024 年 WT & onsemi 电动汽车主题直播 - 电驱、车载电源、充电桩技术直播
2场直播
专家:王正仕
查看回放
2024 得捷周六专家直播
6场直播
专家:黄庆卿,薛凌霄,徐强华,朱文杰,郑庆杰,文天祥
查看回放
贸泽电子直播特训营 带你备战TI杯2024 大学生电子设计竞赛
4场直播
查看回放
是德科技直播周
3场直播
查看回放
2024 第三代半导体主题直播
3场直播
查看回放
TI 杯 2024 年大学生电子设计竞赛 直播集训营,一键get 备赛重点
6场直播
专家:盛庆华、杭丽君
查看回放
2024 电源管理与能源主题直播
3场直播
专家:文天祥
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
SiC 主题直播
2场直播
专家:傅玥
查看回放
onsemi & WPI 能源专题直播
2场直播
专家:张兴
查看回放
贸泽与你大咖说
1场直播
专家:饶骞、吴桐、张贤焕
查看回放
汽车电子化与新能源汽车动力方案主题直播
2场直播
专家:王正仕
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
2023 物联网专题直播
3场直播
专家:黄庆卿
查看回放
2023 碳化硅技术专题直播
2场直播
专家:李贺龙
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
2023 家电专题直播
2场直播
专家:陶渊
查看回放
2023 电动汽车技术专题直播
2场直播
专家:王正仕
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
2023 第三代半导体技术专题直播
2场直播
专家:张之梁
查看回放
中国芯·新发展高峰论坛
1场直播
查看回放
2023 光伏能源储能及电动车充电技术主题直播
2场直播
专家:王正仕
查看回放
新一代磁集成电源系统芯片
1场直播
查看回放
2023医疗电子电路设计专题直播
2场直播
专家:徐强华
查看回放
2023 loT 物联网应用技术主题直播
3场直播
专家:陈曦
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
2023 得捷周六专家直播
6场直播
专家:徐爽,王正仕,傅玥,魏芝浩,傅恺宁,徐晓泉
查看回放
2023 储能电路设计方案技术专题直播
2场直播
专家:张兴
查看回放
六场直播带你轻松备战,TI 杯 2023年全国大学生电子设计竞赛
6场直播
查看回放
2023 电动汽车技术专题直播
4场直播
专家:王正仕,崔其祥
查看回放
贸泽与你大咖说——物联网连接智能世界
1场直播
查看回放
是德科技直播周
3场直播
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
2022 工业与自主移动机器人技术专题
2场直播
专家:崔其祥
查看回放
2022 车载技术专题 - 图像传感器方案和优势
2场直播
专家:崔其祥
查看回放
2022 碳化硅(SiC)专题——应用在能源市场的解决方案
2场直播
专家:崔其祥
查看回放
TI Live!相约进博会
3场直播
查看回放
2022 IoT 物联网与云计算专题直播
3场直播
专家:黄庆卿
查看回放
ADI MCUs 应用专题
3场直播
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
2022 新能源汽车电池技术专题
3场直播
专家:崔其祥
查看回放
2022 工业电源/绿色制造专题直播
3场直播
专家:许逵炜
查看回放
2022 新能源汽车专题直播
3场直播
专家:崔其祥
查看回放
MPS 第五届电源 EMI 分析与优化设计研讨会
1场直播
专家:王硕
查看回放
2022 储能技术专题直播
3场直播
专家:郑大为
查看回放
2022 国际专家系列直播
4场直播
查看回放
2022 宽禁带专题直播
1场直播
专家:张卫平
查看回放
工业电源专题
2场直播
专家:许逵炜
查看回放
2022 得捷周六专家直播
6场直播
专家:文天祥,蒋栋,裴雪军,林国庆,夏超英,王晓远
查看回放
助力 Nordic nRF Connect SDK 轻松开发 Matter 产品
2场直播
查看回放
第三代半导体应用专题
4场直播
专家:闫大为
查看回放
工业物联网专题
2场直播
专家:陈曦
查看回放
是德感恩月功率技术大讲堂
1场直播
专家:崔其祥
查看回放
TI 杯 2022 年省级大学生电子设计竞赛 赛区系列培训会
3场直播
查看回放
消费类电子/家电专题
5场直播
专家:袁金荣,陶渊
查看回放
电机驱动专题
4场直播
专家:杨贵杰,徐强华
查看回放
电磁兼容专题
4场直播
专家:黄敏超
查看回放
数据中心服务器专题
3场直播
专家:周京华
查看回放
ADI 超越一切可能,世健 让您胜券在握
6场直播
查看回放
TI 杯 2022 年省级大学生电子设计竞赛 赛区系列培训会
2场直播
查看回放
新能源汽车/充电桩专题
5场直播
专家:李贺龙,赵會
查看回放
储能技术专题
4场直播
专家:吴良材
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
MPS 研究室
2场直播
查看回放
大学生电子设计竞赛直播培训“六连击”
6场直播
查看回放
助力大学生电子设计竞赛直播特训营
10场直播
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
TI 线上电源设计研讨会
6场直播
查看回放
安森美智能电源方案在线直播
1场直播
查看回放
安森美(onsemi)先进汽车电子方案在线直播
2场直播
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
医疗专题
2场直播
专家:徐强华
查看回放
2021 得捷周六专家直播
6场直播
专家:许逵炜,陈庆彬,王正仕,梁晓军,林苏斌,戴欣
查看回放
Wolfspeed 2021 秋季系列在线研讨会
4场直播
查看回放
储能专题
4场直播
专家:郑大为,吴良材
查看回放
MEMS IoT 应用/宽禁带专题
7场直播
专家:张之梁,李志君,梁晓军
查看回放
MPS 第四届电源 EMI 分析与优化设计研讨会
1场直播
专家:王硕
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
SiC 元器件在电动车市场的应用专题
2场直播
专家:王正仕
查看回放
贸泽与你大咖说
1场直播
专家:饶骞
查看回放
智慧楼宇技术/感测技术专题
4场直播
专家:黄敏超
查看回放
工业自动化专题
2场直播
专家:徐强华
查看回放
人工智能物联网专题
6场直播
专家:黄庆卿,饶骞
查看回放
助力全国大学生电赛加油站
6场直播
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
5G 仪器技术与检测专题
6场直播
专家:张家波,许逵炜,徐强华
查看回放
助力全国大学生电赛直播训练营
10场直播
查看回放
是德感恩月
1场直播
专家:陈为
查看回放
是德科技直播周
3场直播
查看回放
贸泽与你大咖说
1场直播
查看回放
5G专题
6场直播
专家:汪士龙,林雪燕,林苏斌,徐强华
查看回放
智能家居
6场直播
专家:徐强华,陶渊
查看回放
TI 线上电源设计研讨会
6场直播
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
物联网
8场直播
专家:严冬,黄庆卿,饶骞
查看回放
贸泽与你大咖说
1场直播
查看回放
第三届 国际专家电力电子技术培训
10场直播
查看回放
汽车电子
6场直播
专家:陈敏,王正仕
查看回放
是德科技直播周
2场直播
查看回放
板级电源管理系统
6场直播
专家:林苏斌,王水平, 徐强华
查看回放
工业控制与机器人
6场直播
专家:林苏斌,徐强华,杨贵杰
查看回放
快充技术专题
4场直播
查看回放
智能穿戴、医疗电子专题
2场直播
查看回放
助力全国大学生电子设计竞赛
6场直播
查看回放
工业技术专题
5场直播
专家:杨贵杰,林苏斌
查看回放
汽车技术专题
5场直播
专家:王巍, 陈庆彬
查看回放
助力全国大学生电子设计竞赛
10场直播
查看回放
MPS 电源技术直播周
5场直播
查看回放
电源技术专题
4场直播
专家:陈为,许逵炜
查看回放
是德感恩月
1场直播
专家:裴云庆
查看回放
探讨EMC诊断技术
6场直播
专家:黄敏超
查看回放
是德科技直播周
3场直播
查看回放
是德科技直播周
3场直播
查看回放
2019年 TI 杯全国大学生电子设计竞赛
4场直播
专家:李胜铭,闫孝姮
查看回放
2019年 TI 杯全国大学生电子设计竞赛
6场直播
专家:侯长波,黄根春,邓炳光
查看回放
2019 纳微半导体 GaN 技术培训直播
2场直播
查看回放
德州仪器(TI)汽车月
6场直播
查看回放
推陈出“芯”,“工”成业就
12场直播
查看回放
是德科技直播周
3场直播
查看回放
贸泽十周年
10场直播
查看回放
TI@您搭乘5月技术快车
10场直播
查看回放
电赛直播
查看更多
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年06月20日 13:30-16:00
    通信类赛题解析和备赛经验
    钱敏,平珏,易运晖
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年07月04日 13:30-16:00
    仪器类赛题解析和备赛经验
    钱敏,平珏,易运晖
  • 预约
    收藏
    取消收藏
    2025年07月11日 13:40-16:00
    24年赛题分析——无线传输信号模拟系统(C 题)
    张翠翠
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2025年06月06日 13:40-16:00
    仪器仪表类竞赛项目备赛方案探讨
    张家亮
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2025年05月23日 13:40-16:00
    运算放大器及其应用电路设计
    侯长波 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2025年05月16日 13:40-16:00
    测量与信号类赛题分析
    宋焱翼
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2025年05月09日 13:30-16:00
    电子设计竞赛工程基础知识
    钱敏,平珏,侯长波
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2025年04月18日 13:40-16:00
    控制类赛题分析与预测
    李胜铭
专家直播
查看更多
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2024年06月29日 14:00-17:00
    AIoT 物联网供电电源的特殊要求和设计考虑
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2024年06月15日 14:00-17:00
    功率电感损耗分析与测试技术介绍
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2024年06月01日 14:00-17:00
    光伏储能系统控制技术
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2024年05月18日 14:00-17:00
    机器人产品电磁兼容设计
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2024年05月11日 14:00-17:00
    氮化镓功率器件在快充充电器的应用
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2024年04月20日 14:00-17:00
    物联网数据空间与边缘智能
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2023年06月10日 14:00-17:00
    车载电源技术现状及未来展望
  • 回放
    收藏
    取消收藏
    2023年06月03日 14:00-17:00
    照明 LED 驱动电源-高频变压器电磁兼容设计研究
专家阵容
陈为
福州大学电气工程与自动化学院教授
主要研究方向为电力电子功率变换,功率电磁元件,电磁兼容分析与诊断,无线电能传输,电器、电磁和电气元件及系统仿真以及工程电磁场分析与应用等。在国内外著名学术刊物和国际会议发表论文90多篇,获美国和中国授权发明专利30多项。
陈为
福州大学电气工程与自动化学院教授
主要研究方向为电力电子功率变换,功率电磁元件,电磁兼容分析与诊断,无线电能传输,电器、电磁和电气元件及系统仿真以及工程电磁场分析与应用等。在国内外著名学术刊物和国际会议发表论文90多篇,获美国和中国授权发明专利30多项。
贾要勤
西安交通大学电气工程学院副教授、硕士生导师
1992年北京航空航天大学机电工程系本科毕业;1992~1995年在兰州飞控仪器总长任助理工程师;1998年西安交通大学机械工程系硕士毕业;2000年至2001年在日本东京工业大学进修; 2003年西安交通大学机械电子工程系博士毕业;2005年清华大学汽车工程系博士后出站。2005年至今在西安交通大学电气工程学院任教。 【主要研究方向】电力电子数字控制,分布式发电和微电网。
黄敏超
博士
中国电源学会理事、专家委员会委员,青年工作委员会委员,科普工作委员会主任委员。现担任上海正远电子技术咨询总经理,从事电力电子的电路平台优化方案、电磁解决方案、可靠性解决方案的研究。 1998年浙江大学电力电子技术专业,研究高频链光伏逆变器获博士学位,并任教两年,2000年-2011年先后加入伊博电源杭州有限公司、通用电气全球研发中心、奥尔特上海电子有限公司,组建研发团队,开发高效、高可靠性的医用电源。具有丰富的可靠性和电磁兼容方面的理论和实践经验,拥有多项国内外专利,发表多篇专业论文和书籍。
王水平
西安电子科技大学机电工程学院高级工程师
中国电源学会高级会员,中国电源学会特电专委会委员。陕西省电源学会常务理事,咨询工委会主任委员。西安市电源学会常务理事,培训与咨询工委会主任委员。从事电源技术应用方面的教学与科研工作30多年,共主持和完成电源技术方面的科研项目80余项,发表电源技术应用方面的学术论文30余篇,出版电源方面专著及编著20余部,出版国家十二五和十三五计划类高教电源方面教材4部,实用新型、外观设计与发明专利25余项,获省部级以上奖励5余项。自主研发了适应中国电源教育的“电源实验教学平台”,并在好多大学已投入电源实验教学使用。在全国大学生电子大赛、TI杯模拟电子设计大赛、国创等活动中,历年来由于成绩显著而荣获省级有优秀教练。现任成都国蓉科技有限公司-西电电源技术产学研研发中心主任、北京宏兆电子有限公司-西电电源技术产学研研发中心主任、佛山市顺德区冠宇达电源有限公司-西电电源技术产学研研发中心主任、启东市恒安防爆通信设备有限公司-西电产学研研发中心主任。2008年在国家科教兴省计划中作为电源方面的专家被浙江省科技厅引进到宁波市龙源照明电器有限公司兼总工,使该公司由原来的劳动密集型产品转型为高技术含量产品。具有极丰富的电源产品研发知识和经验,特别擅长于特种电源、新能源和军工电源的研制和开发。
汤天浩
上海海事大学 教授
现为上海海事大学教授、博士生导师。担任电气工程博士后流动站站长、中荷知识与创新中心主任、中法联合伽利略系统与海上安全智能交通研究所副所长。法国南特大学综合理工学院特邀教授。 IEEE Senior Member, IEEE电力电子学会(PELS)上海分部主席;2001至2005年担任国际自动控制联合会(IFAC)航运系统技术委员会委员;中国电源学会副理事长、科普工作委员会副主任;上海电源学会荣誉理事长;中国电工技术学会电力电子学会理事;中国自动化学会技术过程故障诊断与安全性专业委员会委员;中国造船学会信息技术委员会委员。
许逵炜
21Dianyuan 资深版主,网名 xkw1cn
中国电源学会专家委员会委员,主要从事电力电子变换及相关技术研发和相关技术推广工作。 多年从事工业特种电源研发、设计的工作。曾参加并联型电力有源滤波器等自然科学基金项目。带领博士团队探索研发大功率非接触传能等先进理论、技术,发表多篇论文并被 IEEE 等收录。
徐强华
恩宁安全技术(上海)有限公司 总工程师
30余年的电磁兼容一线技术专业经历,是目前国内屈指可数的集电磁兼容理论与设计实践于一身的资深电磁兼容技术专家。其主持电磁兼容设计及测试工作涉及领域:技术层级从EMC设计、标准、检测到整改;在EMC实验室建造、监理、验收、运行方面尤其造诣深厚。
饶骞
是德科技 中国区分销市场经理
1997年加入中国惠普公司测试测量仪器部,之后随公司的战略重组,2000年进入安捷伦科技。在2014年,在安捷伦的战略拆分中,转入是德科技(中国)有限公司,先后负责通用测量仪器、电源和能源市场、亚太地区教育市场等开发工作。先担任是德科技中国区渠道市场的开发。
郭春明
世纪电源网资深版主 ID:cmg
毕业于南京航空航天大学自控系,从事电源行业20多年,加入纳微前在PI 工作13年,作为应用主管一直负责技术应用工作,去年加入纳微科技,致力于氮化镓的应用和推广 电源学会专家委员会委员
蒋栋
华中科技大学教授
华中科技大学教授、博士。 于2005年和2007年分别获得清华大学电气工程专业学士与硕士学位,2011年获得美国田纳西大学博士学位。 2012-2015年担任美国联合技术公司研究中心高级研究科学家兼工程师。2015年7月全职回国担任华中科技大学教授至今。蒋栋的主要研究方向是电力电子与电力传动,在此领域发表100余篇学术论文,申请专利30余项。他多次获得IEEE的国际会议优秀论文奖,2019年获得日内瓦国际发明博览会代表团特许金奖。
文天祥
中国电源学会照明电源专业委员会委员
IEEE Senior Member IEEE PELS Member 中国电源学会照明电源专业委员会委员 中国电源学会青年工作委员会委员 中国电源学会高级会员 电力电子专业硕士 十多年来专注于电力电子的研究和创新,对LED驱动电源拓扑,电力电子器件的应用和可靠性,LED照明产品的的应用和系统级设计深入的研究和独特的见解,擅长照明电子系统,IoT智能硬件的平台建设和开发。在LED照明电子设计及应用领域积累并取得了多项国际专利。
张卫平
中国电源学会常务理事
北方工业大学原学科建设办公室主任,教育部电气工程及其自动化专业教学指导委员会委员,节能照明电源集成与制造北京市重点实验室主任,电子信息工程北京市一流专业负责人,中国电源学会常务理事,直流专业委员会主任。主要研究方向为高强度气体放电灯用电子镇流器、开关变换器建模与控制。迄今已有国家八.五和九五攻关项目(各1项)、国家自然科学基金项目(3项)、国家重点技术创新项目(1项)、北京市自然科学基金项目(1项)、省部级重点课题2项,2006年入选为“北京市拔尖人才”。在开关变换器的建模、控制、负载匹配等研究领域做出了突出贡献。发表学术论文90余篇,其中30余篇被EI或ISTP收录,获中国专利6项,其学术研究成果得到国内外同行专家以及工业界的认可和赞赏。
王硕
国际实战派著名 EMC 专家
王硕教授现已发表180多篇IEEE期刊和研讨会论文,持有10项美国专利,并另有15项美国/国际专利正在申请当中,现担任 IEEE 工业应用学报期刊副主编,曾作为2014年IEEE国际电动汽车研讨会技术项目联合主席。由于其对电子系统中电磁干扰抑制的贡献,于2018年11月当选为IEEE Fellow (IEEE 会士/院士)。 2005年获得美国弗吉尼亚理工大学博士学位 2005-2009年,担任美国弗吉尼亚理工大学研究助理教授 2009-2010年,担任美国俄亥俄州通用电气航空从事高级设计工程师 2010-2014年,担任美国德州大学圣安东尼奥分校助理教授和副教授职位 2015年担任美国佛罗里达大学(盖恩斯维尔)电子与计算机工程系副教授和教授职位
王正仕
浙江大学教授
王正仕 香港理工大学 博士 北京交通大学 学士 浙江大学 电力电子技术硕士 浙江大学电气工程学院 电力电子技术研究所副教授 国家863项目“国产智能IGBT功率器件模块及其新能源发电电能变换系统研究” (子项目负责人,2013年),浙江省科技厅项目“电动汽车快速大功率充电关键技术研究”(2015-2016年,项目负责人),与英飞凌科技(中国)公司合作,开发电动汽车双向充电机(2017年,项目负责人),与上海**公司合作,开发电动汽车3kW高效率车载DC/DC转换电源(2015年),与某德资企业合作,研发电动汽车车载充电机先进电路拓扑。(2017年,项目负责人),与英飞凌(Infineon))科技公司合作,研发设计3.3kW高性能车载充电机。(2015年,项目负责人)。
张兴
合肥工业大学教授
张兴 合肥工业大学电气与自动化工程学院教授、博导。 现为中国电源学会常务理事,中国电源学会新能源电能变换 技术专委会副主任委员、中国自动化学会电气自动化专委会 副主任委员、中国电工技术学会电力电子学会常务理事、台 达教育与环境基金会“中达学者”
林苏斌
福州大学副教授
福州大学电气工程与自动化学院副教授,硕士生导师。福州大学海洋学院电气专业负责人,中国电源学会磁技术专委会委员。长期从事电力电子磁元件的理论研究与技术开发工作,有扎实的教学经验和深入的企业产品技术开发实践经验。主要研究方向为电力电子电磁元件技术,电磁兼容分析与诊断。
邵革良
博士
中国电源学会专家委员会委员,中国电源学会磁技术专业委员会委员,中国电源学会磁元件技术服务专家组副组长,中国电源学会标准化委员会委员,深圳市科技专家协会专家,深圳市科技创新委员会科技专家,伊戈尔电气股份有限公司副总裁、首席科学家,原田村(中国)企业管理有限公司上海技术研发中心副所长,长期从事电力电子变换技术、功率磁元件技术的研发。【从业经历】 20年的一线电源研发的资深经验,先后从事并主持过电机调速变频器、逆变焊机、通信一次电源系统、电力系统直流操作电源系统、CBB波音商用飞机宽带互联网机载电源系统、高效率DC/DC砖块电源、电流传感器、变频空调及光伏逆变器、新能源汽车等各种新型磁元件的众多研发项目。【技术成果】 拥有众多的与国际一流研发团队的合作经验,并精通于电源和磁元件产品的可靠性研发管理和实践。特别是在新能源磁元件领域,通过大量的原创性技术创新和行业应用推广,引导着世界功率磁元件的技术变革。其中完成电源及磁技术等领域多国专利申请近50余项,并已取得10项国家发明专利受权。
梁再信
ADI 亚太区电源产品系统工程总监
1999年起先后在MCU Open Lab, PalmPC, Pocket Note等公司从事PDA、Smartphone、PMP产品的电源及硬件系统设计工作,并在AMD MIPS-JV担任过项目经理负责MIPS处理器推广及项目管理。2004年,梁先生加入凌力尔特公司担任技术工程师,负责产品的技术支持与市场推广。 2006年7月升任凌力尔特公司华中区总经理,全面负责凌力尔特公司在华中七省一市的技术支持、客户服务、销售管理工作。 2017 年 3 月 ADI 完成对凌力尔特之收购,梁先生现为 ADI 公司亚太区电源产品系统工程总监,专注于 Power by Linear™ 产品在亚太区的市场推广与技术管理工作。
杨贵杰
哈尔滨工业大学教授
哈尔滨工业大学电磁驱动与控制研究所副所长 哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院教授,博士生导师,《伺服控制》、《智能机器人》期刊编委,现任哈尔滨工业大学电磁驱动与控制研究所副所长,“ 哈工大-英飞凌电机控制联合实验室”主任
郑庆杰
现任青岛云路新能源科技有限公司研发总监,2006年在吉林大学获得硕士学位,目前在福州大学攻读博士学位
多年以来分别在艾默生网络能源、伊顿电气集团(山特)、伊顿研究院等公司从事开关电源开发,磁性器件技术和无线充电技术研究,主要研究领域包括电力电子高频磁性元件技术,EMI电磁兼容技术,工程电磁场分析与应用,电流传感器设计与开发,无线电能传输等领域。截至目前申请国际与国内各项相关专利20余篇。
裴雪军
华中科技大学电气与电子工程学院应电系教授,博士生导师。
IEEE高级会员,中国电源学会电磁兼容专委会副主任。研究方向:大功率电力电子装置的控制、电磁兼容与保护。
陈桥梁
博士,中国电源学会理事,中国电源学会元器件专委会委员
2001年在西安交通大学获得电气工程学士学位,同年保送读研,并分别于2004年、2008年在西安交通大学获得电气工程学院电力电子硕士和博士学位。2009年在美国弗吉尼亚理工大学(Virginia Tech.)电力电子系统研究中心(CPES)进行访问学者研究。2007年至2008年,任台湾全汉(FSP)西安分公司总监,2009年至2011年,任博兰得(FSP-POWERLAND)电子科技西安分公司总监,2011年加入西安龙腾新能源科技发展有限公司,历任技术总监、副总经理。 陈桥梁博士在IEEE国际期刊和国际会议上发表论文15篇,拥有7项美国专利,35项中国专利。他是中国电源学会理事、专家委员会委员、新能源专业委员会理事、元器件专业委员会理事。获得2011年陕西省“青年科技新星”、入选2012年西安市“5211”人才计划,入选2014年陕西省“百人计划”特聘专家。
王议锋
教授、博士生导师
天津大学副教授、博导。2011年毕业于哈尔滨工业大学,2015-2016弗吉利亚理工大学CPES访问学者。研究方向包括:高频高效电能变换技术,高效软开关技术,磁集成技术,高频数字控制技术,数字镇流器及LED驱动电源技术,直流配用电技术与系统
夏超英
中国能源学会理事
中国能源学会理事,天津大学电气与自动化工程学院教授,长期从事控制理论与应用、自适应控制理论与应用、电力电子技术及装置的研究。并且在交流驱动控制系统与技术、纯电动汽车和混合动力汽车方面也有非常丰富的实践经验。
谢少军
南京航空航天大学自动化学院教授,博士生导师
中国电源学会常务理事、中国电工技术学会电力电子学会常务理事,中国电源学会可再生能源电能变换技术专业委员会、信息系统供电技术专业委员会副主任委员。主要从事功率变换技术、航空电气技术等方面的教学和研究工作,获得省部级科技进步二等奖4项,三等奖8项,发表SCI检索论文30余篇、EI检索论文200余篇,已获授权发明专利25项,出版专著1部。曾荣获 “江苏省先进科技工作者”、“江苏省333高层次人才培养工程首批中青年科学技术带头人”等荣誉称号。
朱春波
哈尔滨工业大学电气学院教授,博士生导师
发表论文100余篇,国家发明专利80余项,授权50余项。承担了国家九五、十五、十一五、十二五863计划电动汽车领域重大或重点项目,以及国家自然基金、各部委、省科技攻关、企业合作等50余项。主要研究方向:无线电能传输技术 ,电动汽车电池管理技术
和军平
副教授,研究生导师
哈尔滨工业大学深圳研究生院电力电子与电力传动研究中心 副教授 哈尔滨工业大学深圳研究生院,硕士生导师 中国电源学会专家委员会委员
侯长波
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 工学博士,副教授,硕士生导师
长期从事人工智能与边缘计算、宽带信号处理等方面的研究,主持国家自然科学基金、国家重点实验室基金、慧眼行动项目、装备发展部项目、黑龙江省自然科学基金和横向科研项目等20项,参与国家自然科学基金、国家重点研发计划、科技创新2030重大项目等逾20项,主持科研总经费逾800万元。发表SCI、EI、会议、教学改革文章等60余篇,以第一或通信作者共发表SCI检索论文20余篇、会议论文4篇、教改文章8篇,主编教材3部,申请专利20余项,获省部级科学技术进步奖二等奖2项。主持完成省部级教学改革项目逾10项,指导学生参与大学生电子设计竞赛、研究生电子设计竞赛等国家级创新竞赛获奖逾30项,2017年-2019年连续三年获哈尔滨工程大学教育教学优秀奖。教育部产学合作协同育人项目专家,哈尔滨工程大学“全国大学生电子设计竞赛”竞赛总教练,黑龙江省“大学生电子设计竞赛”责任专家,东北地区高等学校EDA/SOPC技术研究会副理事长。
黄根春
武汉大学电子设计训练基地总教练
获全国一等奖51项,二等奖20项,全国一等奖获奖率24%,出版电设培训教材三部。 曾获全国大学生电子设计竞赛优秀赛前辅导教师,第三届武汉大学突出教学贡献校长奖。 主讲课程《信号与系统》,《数据通信》,《彩色电视原理》,《电子综合设计》。
邓炳光
重庆邮电大学通信与信息工程学院通信网测试技术工程研究中心副主任,硕士生导师
研究方向:通信网与测试技术、仪器科学与技术; 科研成果:负责科技部创新基金项目1项,参与国家863、科技部重大专项、重点专项5项,重庆市科委重重大研发项目2项,主持横向合作项目10余项;获得2021年中国产学研合作创新成果二等奖,重庆市科技进步奖一等奖,重庆市科技进步奖二等奖,南岸区科学技术进步奖特等奖,南岸区科学技术进步奖二等奖等奖项;在国内外重要刊物和国际学术会议上发表论文10余篇、已授权第一发明人发明专利8件;指导学生参加挑战杯、互联网+、全国大学生电子设计竞赛、TI模拟电子系统设计邀请赛、全国大学生FPGA创新设计大赛、全国大学生物联网技术与应用“三创”大赛、智能互联创新大赛、重庆市电子设计竞赛、合泰杯电子设计竞赛等,获国家级、省部级奖项50余项,奖杯4个。
闫孝姮
辽宁工程技术大学电气与控制工程学院副院长
辽宁省高校优秀共产党员、中国电工技术学会第九届青工委委员、中国电源学会无线电能传输技术及装置专业委员会委员、辽宁省百千万人才工程“万”人层次选。多次获得全国大学生电子设计大赛连辽宁赛区优秀指导教师,指导第十二(2015)、十三(2017)、十四(2019)届全国大学生电子设计竞赛均获国家一等奖。2021年开始担任辽宁赛区测评专家。
李胜铭
大连理工大学创新创业学院创新中心主任
研究方向:嵌入式系统、深度学习(小样本、网络压缩) 科研成果:主持与承担国家重点研发计划、国家自然科学基金、教育部产学合作等课题30余项,发表SCI、EI、教改论文等20余篇,申请专利32项,已授权专利14项,软件著作权30项,主编教材6本。指导学生参加互联网+、电子设计、智能汽车等A类竞赛获全国一等奖30余项,省一等奖以上200余项。其中全国大学生电子设计竞赛2015、2019获全国唯一最高奖“瑞萨杯”、“TI杯”,2012、2014、2016、2018、2020获辽宁省唯一最高奖“TI杯”。获优秀指导教师、校70周年70人、教学之星等荣誉称号50余项。
刘宏勋
河北工业大学副教授,硕导
研究方向:电力系统微电网技术,电力电子技术与应用,主讲《电力系统分析》、《电力系统继电保护》,《大学生创新训练》等课程。多年来,参与、主持横向与纵向科研项目,在产品研发、检测等方面有比较丰富的经验。近几年,参与并负责本学院大学生电赛的组织、培训与指导工作,取得较好成绩。
王新怀
西安电子科技大学 理学博士,教授,博士生导师 校聘全国电赛教练专家组组长
目前为国家级电工电子示范中心副主任、天线与微波国家重点实验室骨干、电磁场与微波技术实验教学省级示范中心副主任、陕西省电源学会副理事长、中国电子学会高级会员、IEEE Member、校聘全国电赛教练专家组组长。入选教育部 “万人”优秀双创导师人才,获评陕西省优秀科技工作者典型。曾获国家级教学成果奖二等奖、省教学成果奖二等奖等。指导学生参加“中国互联网+竞赛”、“研电赛”、“全国电赛”、“挑战杯”等双创竞赛获国家奖省奖百余项,其中包括全球嵌入式最高奖“Intel”杯、中国互联网+竞赛国家金奖、全国电赛“瑞萨特别奖”等。长期从事智能天线与微波毫米波电路系统研究,近年来围绕国家及国防重大需求,立足国际学术前沿,开展基础理论和关键技术研究,先后研制三代GPS/GLONSS/北斗卫星导航智能抗干扰系统、无人机侦测与反制系统、MIMO毫米波雷达等,主持参与国家自然科学基金、国家重点实验室基金、国防预先研究、第二代导航国家重大专项、省重点研发计划、省自然科学基金、空间测控通信创新探索基金、中央高校科研业务费及横向项目五十余项。在2019年中国创新挑战赛(西安)中以第一名获优胜奖,发表学术论文一百余篇,其中SCI检索三十五篇,EI检索五十七篇,申报授权国家专利近三十项。
陈瑜
电子科技大学正高级实验师
电子科技大学电子科学与工程学院教师 。多年从事电子技术应用实验、数字逻辑设计及应用、射频电子线路课程的教学工作,参与多项教学改革与教学研究项目,2007年至今指导学生参加全国大学生电子设计竞赛。曾获得电子科技大学“我最喜爱的教师”称号、青年教师教学优秀奖,本科教学优秀奖等。
周立青
武汉大学电子信息学院教学实验中心常务副主任、高级实验师
研究兴趣包括雷达探测技术、微弱信号检测等。专注于大学生学科竞赛与创新教育研究,负责武汉大学电子设计竞赛及相关学科竞赛培训工作,近十年指导学生获得各类学科竞赛奖励280余项,其中全国大学生电子设计竞赛国家一等奖44项,其他国家级奖项40余项。工作期间致力于探索学科竞赛与本科课程体系的融合,实现竞赛培训与本科教学计划的融合与互补,构建赛教融合的创新人才培养模式。2017年起启动电子技术实验课程群建设,在综合性大学背景下将竞赛培训思想植入电子技术基础实验课程,通过系列化课程和贯穿式内容实现综合性大学赛教融合体系。先后主持教育部、湖北省以及武汉大学等各级教学研究项目15项,出版《电子系统综合设计》等专业教材3部,发表教学研究论文二十余篇,获得武汉大学杰出教学贡献校长奖团队、武汉大学十佳优秀教师、武汉大学本科优秀教学业绩奖等荣誉。
吴振宇
大连理工大学创新创业学院副院长,教授,中国电子教育学会理事,中国机器人大赛组委会委员,全国电子设计竞
长期从事智能控制、机器人技术等方向的研究工作,先后完成仿生弹跳机器人、六足异形足式机器人、电缆沟巡检机器人、异形轮式机器人等项目,在国内外期刊及国际会议发表论文60余篇,主编教材3部,负责的智能车团队在全国智能车竞赛、电子设计等竞赛中多次获得一等奖,2015\2019年指导学生两次获得全国电子设计竞赛最高奖“TI杯”,多次获得挑战杯、全国“互联网+”创新创业大赛、全国电子设计竞赛等优秀教师奖,2017年获教育部“国创十年”最佳导师奖,2016年获宝钢教育优秀教师奖。
肖建
南京邮电大学教务处副处长、国家级电子科学与技术实验教学示范中心副主任、电工电子实验教学中心主任。
近年来,指导学生获全国大学生电子设计竞赛最高奖“瑞萨杯”、赛区最高奖“TI杯”,国家级一等奖 5 组,国家级二等奖4 组、专题邀请赛国家级一等奖4组、三等奖1 组,全国研究生电子设计竞赛国家级一等奖2组,全国大学生智能互联大赛全国一等奖1组等,电子信息类学科竞赛省级以上奖项80余组。 作为主要参与人获得国家级教学成果奖二等奖、江苏省教学成果奖特等奖;获得全国大学生电子设计大赛、研究生电子设计竞赛等多项大赛“优秀指导教师”称号,所在电子设计竞赛指导教师团队获得省科教系统“工人先锋号”集体荣誉、感动南邮十大人物称号。
黄学达
重庆邮电大学自动化学院教师
有近15年手机芯片企业一线研发工作经历,熟悉和精通电磁兼容(EMC)的设计,有丰富的实际工程经验,发表学术论文多篇,EI检索收录3篇,以第一发明人申请发明专利3项。
刘涛
桂林电子科技大学 高级实验师
主要从事无线通信、光通信、射频技术开发工作。主持纵向课题1项目,横向课题3项;发表核心论文5篇,其中SCI收录3篇;获广西教学成果一等奖1项(排名第3),获广西教学成果三等奖1项(排名第2);指导学生毕业设计获校优一等奖2项,二等奖1项,三等奖1项。以第一人申请并获得授权实用新型专利15项;主编教材4本,指导学生参加全国大学生电子设计竞赛获得全国一等奖6项,省一等奖4项,荣获广西区电子设计竞赛优秀指导老师称号。
刘乔寿
重庆邮电大学通信学院 副教授
重庆邮电大学通信学院,通信技术与网络实验中心专任教师,副教授,硕士导师。 指导学生参加电子类竞赛获全国一等奖多次,全国大学生电子竞赛重庆赛区优秀指导老师,重庆电子竞赛专家库成员。
郑峰
西安电子科技大学副教授
分别于1993年、2004年和2008年从西安交通大学电气工程学院攻获得学士、硕士和博士学位。2010年~2011年在美国弗吉尼亚理工(Virginia Tech)的电力电子系统中心(Center for Power Electronics Systems: CPES)开展博士后研究。现为西安电子科技大学机电工程学院电气工程系副教授。一直从事变换器及其中的磁集成技术研究。
易运晖
副教授 西安电子科技大学电工电子国家级实验示范中心副主任
西安电子科技大学电工电子实验中心副主任,校电子设计竞赛校聘专家组副组长,辅导学生获国家级电子设计一二等奖超过20项,多次被评为全国电子设计竞赛陕西省优秀教练、全国电子设计竞赛国家优秀教练。
薛小铃
闽江学院副教授
闽都学者,鸿蒙Dev-Board SIG审核工作组专家,全国大学生电子设计竞赛TI官网论坛特邀专家,福建省大学生电子设计竞赛测评专家,首届发树奖教金获得者。主持包括360等多项横向课题;主持多项教改项目,项目中研发的实验设备目前已被西安电子科大等国内众多高校采用。在高教等出版社出版6本专著,其中一本高教出版的教材被全国40多所高校作为教材使用并获得2017年省级优秀特色教材。指导学生获得2个国一、7个国二和近30多个省一等奖。成立工作室,常年致力于学生实践能力培养,已培养了近300名毕业生。
赵中华
桂林电子科技大学教务处副处长 硕士生导师
广西自治区优秀教师,桂林电子科技大学教学名师,学校教学杰出贡献奖获得者,学校教学优秀青年奖获得者,近年指导学生获得全国大学生电子设计竞赛获全国一等奖5项,二等奖3项,互联网+创新创业大赛全国铜奖1项,入选全国万名创新创业导师库;主持完成广西教改重点项目1项,主持广西创新创业教学团队1项,主持获得自治区一流课程1门,主持广西在线开放课程1项,获国家级教学成果二等奖2项(1项排名第2,1项排名第11),广西教学果特等奖1项(排名第2),一等奖2项(1项第1,1项第2),三等奖1项(排名第1);主持完成国家自然科学基金1项,主持在研广西科技重大专项1项,作为主要参与者完成国家自然科学基金2项;近五年作为第1作者或通信作者发表表相关学术论文12篇,其中SCI 4篇,EI收录3篇,北大核心5篇,专著1部,主编教材2部,授权发明专利1项,实用新型专利5项,软件著2项。
徐茵
西安电子科技大学工学博士,副教授
电子工程学院电赛金牌教练。从教以来先后主讲《电磁场与电磁波》、《电磁场与电磁波(实验)》、《电子线路实验I、II》、《模拟电子技术基础》等本科课程。主持国家自然科学基金青年项目1项,教育部产学合作协同育人项目3项。获校教学成果奖一等奖1项,参加实验类教师竞赛获全国一等奖4项,二等奖6项,获陕西省教师电赛一等奖2项,校青年教师讲课竞赛二等奖1项、三等奖1项。指导学生竞赛获国家级省级奖30余项,包括全国电赛国奖8项、省奖7项,中国国际互联网+竞赛全国金奖1项、省级金奖2项,多次获评全国/省级优秀指导教师。
张翠翠
西安交通大学信通学院工程师
西安交通大学信通学院,研究方向为电子系统设计、软件无线电技术,常年指导全国大学生电子设计竞赛。
陈小平
博士/教授 苏州大学电子信息学院副院长。
苏州大学电子信息学院副院长。国家级一流本科专业建设点电子信息工程专业负责人,江苏省一流本科课程《电路分析》负责人,主编江苏省重点教材1本。近年来主持完成多项科技项目的研发工作,其中某型电梯控制系统已成功地应用在国内外许多电梯工程中,如南非约翰内斯堡(2010世界杯足球赛主办城市)的政府、宾馆、银行、医院的电梯。在国内外学术刊物和国际学术会议上发表论文40余篇。获国家发明专利5件。2018年获江苏省科学技术三等奖(排名1)。获江苏省教学成果一等奖、二等奖各1次。指导学生参加大学生电子设计竞赛获国家一等奖4队、二等奖11队,多次获得全国大学生电子设计竞赛江苏赛区优秀指导教师。
刘圆圆
杭州电子科技大学电子信息学院 博士,副教授
2004年3月进入杭州电子科技大学电子信息学院任教,2005年起参与学校电子设计竞赛指导和组织工作,长期参与浙江省赛区评测组织工作,目前担任学校电子设计竞赛负责人。 主讲模拟电子电路、模拟电路实验等课程,曾获得2018年度杭州电子科技大学青年教学新秀奖,全国大学生电子设计竞赛浙江省赛区优秀指导教师,赛区优秀组织工作者等荣誉。 主持线上线下混合式国家一流课程“电路与电子线路2(原名模拟电子电路)”、主持和参与校级MOOCs/SPOC翻转课堂建设项目和教学模式改革项目等多项,参编教材1部。 主要研究方向为数字信号处理,主持国家自然科学基金青年基金1项,浙江省自然科学基金青年基金1项,浙江省教育厅项目1项;还以核心成员身份参与国家自然科学基金面上项目1项,省部级以上项目10余项。近5年来共发表论文10余篇。
吴恩铭
中国民航大学基础实验中心,讲师,天津市“优秀创新创业导师”人才库导师。
主要从事电工电子实验实践教学,指导“全国大学生电子设计竞赛”、“中国‘互联网+’大学生创新创业大赛”、“挑战杯全国大学生课外学术竞赛”、“全国大学生工程训练综合能力竞赛”、“北斗杯全国青少年科技创新竞赛”、机器人、智能车、电脑鼠等数十项电子设计类、创新创业类学科竞赛,获得国家级、省部级奖项百余项。
陈文光
南华大学教授,工学博士,硕士研究生导师,湖南省大学生电子设计竞赛责任专家,华中区研究生电子设计竞赛评
长期研究电力电子技术及特种电源技术,研究成果应用于国家大科学装置中国环流器二号等多个前沿研究领域和军工领域;擅长将电源学术研究和课程教学有机结合,将400余名学生培养成为卓越电源工程师,受到业界好评;历年来指导学生参加全国大学生电子设计竞赛获全国一等奖12项,全国二等奖8项。
王盼宝
哈尔滨工业大学副教授,博士生导师。
发表SCI/EI论文50余篇,主编出版竞赛专著1部,指导学生参加学科竞赛获国际级奖1项、国家级奖17项,省校级奖30余项,荣获2022年哈尔滨工业大学“大学生创新创业教育优秀指导教师奖”。
王建波
成都信息工程大学工程实践中心主任
负责全校电子设计竞赛组织指导工作,先后带领参赛选手获得过全国一等奖5项,二等奖7项,并获得全国大学生电子竞赛优秀指导教师、四川省优秀指导教师等荣誉称号。
1000+
直播场次
80+
合作企业
300+
特邀专家
500000+
覆盖人群
200000+
互动问答
直播互动
  • panbeer
    对比竞品,EliteSiC在雪崩能量耐受指标上为何能提升30%以上?
    WPI - Canorth Xiong
    EliteSiC在雪崩能量耐受指标上提升30%以上,主要是由于其高质量的SiC材料、优化的器件结构、先进的制造工艺以及良好的热管理能力。这些因素共同作用,使得EliteSiC能够在高电压和高温条件下表现出更好的性能和可靠性。
  • panbeer
    欧盟新规对电源类产品能效要求提升至98%+,SiC JFET+拓扑能否达标呢?
    WPI - Ricky LI
    可以的,而且因为JFET兼容Si Mosfet,不需要另外的驱动辅助电源,可以减小待机功耗
  • 大眼皮儿双眼睛
    肖特基二极管的主要选型参数看哪些?
    WPI - Ricky LI
    主要看反向耐压及正向整流电流,其次是封装温度等
  • Nom
    布局中如何避免控制器的栅极电荷不平衡?
    WPI - Cesar Liu
    通过对称布局、适当的栅极电阻选择、优化驱动电路、使用差分信号、良好的电源和接地设计、实时监测和反馈控制,以及仿真和测试,可以有效避免控制器的栅极电荷不平衡。这些措施将有助于提高系统的性能和可靠性。
  • Nom
    NCP1681控制器的输入滤波电容应如何选择
    WPI - Cesar Liu
    选择NCP1681控制器的输入滤波电容时,应综合考虑电容值、类型、ESR、纹波电流、温度和电压derating等因素。通过合理的选择,可以确保电源系统的稳定性和性能。建议在设计过程中进行仿真和测试,以验证所选电容的适用性。
  • 石羽墨
    PFC在结温达到175度时、是否会出现烧板的情况?
    WPI - Cesar Liu
    功率管的温度建议保持在120以下
  • 魏向辉
    SiC器件最高的使用温度可以达到多少
    WPI - YY Lee
    结温175度,正常使用壳温110度左右
  • Nom
    功率地与信号地之间的间距为什么需要保持在2mm以上?
    WPI - Ricky LI
    避免功率回路的大电流噪声对信号的干扰
  • Nom
    NCP1681控制器的接地设计有哪些关键点
    WPI - Cesar Liu
    功率地跟模拟地需要分开
  • 在超轻负载条件下是不是就进入跳跃模式?
    WPI - Cesar Liu
  • 石羽墨
    采用NCP1681图腾柱PFC拓扑结构的话,上下桥的死区时间是怎么设置
    WPI - Canorth Xiong
    在NCP1681图腾柱PFC拓扑结构中,上下桥的死区时间设置需要综合考虑器件特性、开关频率、电路布局和控制器特性。通过合理的设置和测试,可以有效防止交叉导通,提高系统的可靠性和效率。建议参考NCP1681的数据手册,了解具体的设置方法和参数范围。
  • 石羽墨
    NCP1681自身的驱动能力如何? 是否可以直接驱动功率器件?还是需要增加pre-driver
    WPI - Cesar Liu
    需要外加驱动
  • 听风
    增加的Cfg共模电容接地点选择有没有什么要求
    WPI - Cesar Liu
    在选择共模电容接地点时,应考虑接地平面、接地策略、电流路径、电源和信号完整性、热管理等多个因素。通过合理的设计,可以有效提高系统的抗干扰能力和稳定性,确保电力电子系统的可靠运行。
  • 可乐
    SiC JFET 和 SiC MOS/SJ MOS 比有哪些优缺点?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC JFET和SiC MOSFET/SJ MOSFET各有其优缺点,选择哪种器件取决于具体应用的需求,包括开关频率、效率、功率等级和成本等因素。在高频和高效率的应用中,SiC MOSFET通常更受欢迎,而在高功率和高温环境下,SiC JFET可能更具优势。
  • 大功率一定要在CCM模式下运行么?
    WPI - YY Lee
    是的
  • 石羽墨
    NCP1680主要是针对多少功率范围的应用?
    WPI - YY Lee
    300W以下
  • 枫林红了
    怎么考虑EMC?
    WPI - Mark Li
    电路设计:合理布局滤波电路(如 EMI 滤波器、电容电感),优化功率器件与信号线走向,减少电磁耦合与寄生参数影响。 元件选型:选用低噪声器件(如低 ESR 电容、屏蔽电感),确保开关管、变压器等关键元件满足 EMC 标准要求。 结构与接地:加强屏蔽设计(金属外壳或屏蔽罩),完善接地系统(单点接地、接地平面),抑制辐射与传导干扰。
  • Toby.tao
    为减少感应电流和电压‌,设计时需要特别注意电流边缘速率的设定吗?
    WPI - Cesar Liu
    在电力电子设计中,特别是在高频和高功率应用中,电流边缘速率(di/dt)和电压边缘速率(dv/dt)的设定是非常重要的。通过控制这些速率,可以有效减少感应电流和电压,降低EMI,提高系统的可靠性和效率。因此,在设计时需要特别注意这些参数的设定和优化。
  • 如何有效降低寄生电感干扰?
    WPI - Cesar Liu
    通过优化PCB布局、选择合适的元件、合理布线、使用屏蔽、增加滤波、改善接地、选择合适的开关频率以及进行仿真和测试,可以有效降低寄生电感干扰。这些方法的结合使用将有助于提高电力电子系统的性能和可靠性。
  • 石羽墨
    图腾柱PFC无整流桥的原理上最高只能做到1000W左右吗?
    WPI - Cesar Liu
    目前可以做到3kw
  • 枫林红了
    有哪些新能源领域的产品?
    WPI - Canorth Xiong
    安森美在新能源领域的产品涵盖了电动汽车、可再生能源、储能系统和高效电源等多个方面,提供了多种功率半导体、控制器、传感器和集成解决方案。这些产品旨在提高能效、降低成本,并支持可持续发展的目标。
  • 八声甘州
    很好
    WPI - Mark Li
    谢谢您的认可
  • 魏向辉
    SiC的MOS相比普通MOS损耗在相同的输出功率下,损耗可以降低多少?
    WPI - Canorth Xiong
    在相同的输出功率下,SiC MOSFET相比于传统Si MOSFET的损耗可以降低30%到90%(开关损耗)和20%到50%(导通损耗),具体的降低幅度取决于多个因素。SiC MOSFET的高效率和低损耗特性使其在高功率和高频应用中越来越受到青睐。
  • 枫林红了
    参数测试需要什么仪器?
    WPI - Mark Li
    示波器:用于测量电压 / 电流波形、纹波、开关频率等动态参数。 2. 直流电源与电子负载:提供输入电源并模拟负载变化,测试输出电压调整率、负载调整率等。 3. 功率计 / 电参数测试仪:测量输入功率、效率、功率因数等能效参数。 4. EMC 测试设备(如频谱分析仪、传导 / 辐射测试接收机):检测电磁干扰(EMI)是否符合标准。
  • 枫林红了
    有哪些采购渠道?
    WPI - Cesar Liu
    主要300W以内,NCP1681可以达到3kw
  • 听风
    三角形布局是怎么布局
    WPI - Cesar Liu
    包围形状进行三角形分布
  • 听风
    能不能下载layout文件
    WPI - Cesar Liu
    可以下载
  • 王晓东
    这个PPT课后能在哪里下载吗?
    WPI - Cesar Liu
    官网可以下载
  • 石羽墨
    NPC1681有哪些主动保护措施?
    WPI - Cesar Liu
    NPC1681集成了多种主动保护措施,包括过流保护、过温保护、欠压锁定、短路保护、死区时间控制、反向电流保护、软启动功能和故障指示等。这些保护措施共同作用,确保电机驱动系统的安全性和可靠性,降低故障风险。具体的保护特性和参数可以参考NPC1681的产品数据手册,以获取详细信息。
  • 将至兮
    中国在智能机器人市场的竞争地位如何?
    WPI - Cesar Liu
    目前中国市场占全球过半的份额
  • 图腾柱PFC拓扑是不是不需使用输入二极管电桥?
    WPI - Cesar Liu
    是的
  • Nom
    SiC JFET 应用设计有哪些注意事项?
    WPI - Mark Li
    SiC JFET 应用设计需注意: 1. 栅极偏置控制:需施加负偏压(通常 - 2V 至 - 5V)以确保可靠关断,避免意外导通; 2. 驱动电路匹配:选用高速、低阻抗驱动电路,减小开关损耗,需注意栅极过压保护(通常不超过 + 20V); 3. 散热设计优化:虽耐高温(可达 200°C 以上),但需通过合理 PCB 布局或散热片控制结温,提升长期可靠性。
  • NCP1681控制器可配置为在连续导通模式下工作吗?
    WPI - Cesar Liu
    可以的
  • 枫林红了
    怎么考虑散热?
    WPI - Cesar Liu
    主要考虑功率器件,磁芯,变压器,不要把高温器件集中在PCB一个位置
  • 枫林红了
    可以仿真吗?
    WPI - YY Lee
    可以仿真
  • 枫林红了
    layout有哪些注意事项?
    WPI - Mark Li
    开关电源 layout 需注意:分区域规划功率、信号回路,缩短高频电流路径,减小输入输出滤波回路面积,对噪声敏感线路远离干扰源,合理布置散热路径,地平面分区并单点连接,关键信号加保护环,高频变压器 / 电感下避免走关键信号线。
  • 清华
    有用SIC MOSFET设计的三相全桥拓扑结构的变频器方案吗?
    WPI - Canorth Xiong
    基于SiC MOSFET的三相全桥拓扑结构变频器方案具有高效率、高功率密度和良好的热管理特性,适用于多种应用。通过合理的设计和控制策略,可以实现高性能的电机驱动和电力转换系统。
  • Tyrion
    抑制DS尖峰的薄膜吸收电容有没有推荐的
    WPI - YY Lee
    可参考设计文档
  • OT. y
    SIC MOSFET的上下桥死区时间最低可以到多少us? 可以设置到500ns吗?
    WPI - Canorth Xiong
    最低死区时间:SiC MOSFET的上下桥死区时间可以设置到几十纳秒,具体取决于设计和应用需求。 500ns的设置:虽然可以设置为500ns,但在高频应用中,通常希望将死区时间设置得更短,以提高效率和性能。建议在设计时进行仿真和测试,以确定最佳的死区时间设置。
  • 石羽墨
    NCP1681图腾柱PFC拓扑不需使用输入二极管电桥吗?
    WPI - Ricky LI
    是的,不需要
  • 目前安森美的智能机器人高功率充电系统采用哪种设计架构?
    WPI - Cesar Liu
    无桥PFC加半桥LLC
  • yuan_yufang
    SiC JFET 的缺点有哪些?
    WPI - Canorth Xiong
    尽管SiC JFET具有许多优点,但在实际应用中也面临一些缺点和挑战。设计工程师在选择SiC JFET时,需要综合考虑其优缺点,并根据具体应用需求做出合理的选择。随着技术的进步和市场的成熟,SiC JFET的缺点可能会逐渐得到改善。
  • 枫林红了
    可以兼容第二代半导体吗?
    WPI - Cesar Liu
    可以的,推荐第三代碳化硅
  • 枫林红了
    有哪些参数指标?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC JFET和MOSFET的参数指标涵盖了电气特性、开关特性、热特性、可靠性和其他相关参数。这些参数对于评估器件的性能、适用性和可靠性至关重要。在选择SiC器件时,工程师需要根据具体应用的需求,综合考虑这些参数。
  • 听风
    150k频率也不是很高,能充分发挥sic的优势吗
    WPI - Mark Li
    开关电源的频率,150K 就很高了,一般磁芯反应不过来的,SiC MOS 没有问题
  • Toby.tao
    SiC JFET具有耐高温、高压的特点吗?
    WPI - Ricky LI
    是的
  • 清华
    碳化硅的栅极导通阈值电压随着工作温度升高会降低吗?
    WPI - YY Lee
    会,负温度系数
  • 听风
    这个PFC和LLC控制方案还能做哪些功率级的应用
    WPI - Cesar Liu
    服务器电源,电动工具电源等
  • 碳化硅的死区时间是不是更短?
    WPI - Mark Li
    是的
  • 将至兮
    如何解决图腾柱PFC架构的共模噪声(EMI)问题?
    WPI - Cesar Liu
    解决图腾柱PFC架构中的共模噪声问题需要综合考虑PCB布局、滤波器设计、器件选择、控制策略等多个方面。通过优化设计和实施有效的EMI抑制措施,可以显著降低共模噪声,提高系统的电磁兼容性(EMC)
  • 石羽墨
    安森美图腾柱 PFC 如何在不同负载条件下实现高效率?
    WPI - Cesar Liu
    推荐你使用多模式版本设计
  • OT. y
    请问怎么计算SIC MOSFET的准确开关时间?也就是多长时间会完全导通
    WPI - Cesar Liu
    计算SiC MOSFET的准确开关时间需要考虑多个因素,包括栅极驱动电路的设计、MOSFET的特性以及外部电路的参数。通过查阅数据手册、使用公式计算、考虑外部电路影响、使用仿真工具和进行实验测量,可以获得更准确的开关时间。
  • 枫林红了
    有哪些封装?
    WPI - Cesar Liu
    目前NCP1681封装只有一款
  • 枫林红了
    工作频率能到多少?
    WPI - Cesar Liu
    95Khz与65Khz
  • 2018
    这个3KW是自然冷却么
    WPI - Cesar Liu
    方案是带风扇,也可以做无风扇
  • 枫林红了
    未来有哪些发展趋势?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC器件的发展趋势将集中在提高性能、降低成本、扩展应用领域和推动智能化等方面。随着技术的不断进步和市场需求的增长,SiC器件将在电力电子领域发挥越来越重要的作用。
  • 石羽墨
    NCP1680需要加散热吗?
    WPI - Cesar Liu
    功率管子需要
  • 碳化硅的应用是否对电机也需要相应升级?
    WPI - Cesar Liu
    对电机没有影响,不需要调整
  • 张振银
    你好,SiC MOS驱动信号的负压是必须的吗?有推荐的负压大小吗?
    WPI - Cesar Liu
    负压推荐-4V
  • 枫林红了
    能通过多大电流?
    WPI - Mark Li
    一般都够用。
  • 清华
    SIC MOSFET的峰值驱动电流一般是需要多少?
    WPI - Mark Li
    SiC MOSFET 的峰值驱动电流通常在 2A 至 10A 之间,具体取决于器件的栅极电荷(Qg)、开关频率及驱动电路设计。较高的峰值电流可实现更快的开关速度,但需权衡避免过大电流导致的 EMI 问题及驱动电路损耗。
  • 枫林红了
    说明书在哪里下载?
    WPI - Cesar Liu
    登陆安森美官网搜素下载
  • 听风
    控制芯片方式和DSP自己作控制相比有哪些优势和缺点
    WPI - Canorth Xiong
    选择控制芯片还是DSP取决于具体应用的需求。如果应用需要高性能、灵活性和复杂的控制算法,DSP可能是更好的选择。而如果应用对成本、集成度和易用性有较高要求,专用控制芯片可能更合适。在设计过程中,工程师需要综合考虑这些因素,以选择最适合的解决方案。
  • 广东深圳市网友
    JFET是Qorvo的技术吗?会有专利冲突吗
    WPI - Ricky LI
    onsemi已经全资收购Oorvo
  • 张振银
    你好,SiC MOS驱动信号的负压是必须的吗?有没有推荐的负压大小,比如-3V??
    WPI - Mark Li
    负压不是必要的,但是为了能快速关断,才加的负压,负压是为了更好的关断而已
  • 听风
    3KW的这个DEMO 板EMC有测过吗
    WPI - Cesar Liu
    有的
  • OT. y
    PFC和LLC可以采用同一个控制芯片吗?
    WPI - Canorth Xiong
    PFC和LLC可以采用同一个控制芯片,尤其是在现代集成电源管理解决方案中。然而,设计时需要考虑控制策略的差异、系统复杂性以及调试和优化的挑战。在选择控制芯片时,建议查看具体芯片的功能和应用指南,以确保其能够满足设计需求。
  • Nom
    SiC JFET 和 SiC MOS/SJ MOS 有哪些区别
    WPI - Canorth Xiong
    SiC JFET和SiC MOSFET/SJ MOSFET各有其优缺点,选择哪种器件取决于具体应用的需求,包括开关频率、效率、功率等级和成本等因素。在高频和高效率的应用中,SiC MOSFET通常更受欢迎,而在高功率和高温环境下,SiC JFET可能更具优势。
  • 将至兮
    NCP1681控制器的关键技术突破有哪些?
    WPI - Canorth Xiong
    NCP1681控制器的关键技术突破包括高效能的功率因数校正、宽输入电压范围、集成的保护功能、高频开关技术、灵活的控制模式、简化的设计和高可靠性。这些技术使得NCP1681在电源管理和LED驱动等应用中表现出色,能够满足现代电力电子系统对效率、可靠性和灵活性的高要求。
  • 清华
    采用650V SIC MOSFET,产品的最高母线电压可以到多少?
    WPI - Cesar Liu
    目前主要设计母线电压还是在400V左右
  • 魏向辉
    在大功率应用中,如何降低对EMI的影响
    WPI - Canorth Xiong
    在大功率应用中,降低EMI的影响需要综合考虑电路设计、元件选择、布局优化、屏蔽和滤波等多个方面。通过采取上述策略,可以有效降低EMI,提高系统的可靠性和性能。
  • 枫林红了
    有开发板吗?
    WPI - Mark Li
    有开发板,留下邮箱,或者联系官方,就可以申请开发板
  • Nom
    安森美 EliteSiC 系列产品是否都有配套驱动方案?
    WPI - YY Lee
    有专用驱动芯片
  • OT. y
    FAN7688的开关频率是怎么调节的?通过电阻和电容?
    WPI - Canorth Xiong
    FAN7688的开关频率调节主要通过外部电阻和电容的选择、PWM信号输入以及反馈控制等方式实现。通过合理的设计和配置,可以实现所需的开关频率,以满足特定应用的需求。
  • 听风
    能上报电路状态信息吗
    WPI - Canorth Xiong
    通过集成传感器、数据采集系统、通信接口和故障检测机制,可以实现电路状态信息的实时上报。这不仅有助于监控电路的运行状态,还能提高系统的可靠性和安全性。根据具体应用需求,选择合适的方案和技术,以实现最佳的状态信息上报功能。
  • 魏向辉
    碳化硅主要用在高压场景。如果用在低压,会造成什么不利影响?
    WPI - Canorth Xiong
    不利影响体现在成本压力。。。
  • Nom
    SiC JFET 在固态断路器的应用有哪些技术难点?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC JFET在固态断路器中的应用具有许多优势,但也面临着开关速度、热管理、电流均流、电压过冲、可靠性、驱动电路设计等多方面的技术难点。解决这些挑战需要持续的研发投入和技术创新,以确保SiC JFET在固态断路器中的可靠性和性能。
  • 将至兮
    工业5.0对机器人电源技术提出哪些新要求?
    WPI - Canorth Xiong
    工业5.0对机器人电源技术提出了更高的要求,强调高效能、智能化、灵活性、安全性和环境友好等方面。电源技术的创新和发展将是实现工业5.0目标的重要基础,推动机器人技术的进一步进步和应用。
  • Toby.tao
    NCP1681在超轻负载条件下可进入跳跃模式吗?
    WPI - Cesar Liu
    NCP1681有两个版本,可以实现
  • 沈希颖
    请问该碳化硅器件做了哪些可靠性测试
    WPI - Mark Li
    工业、车规、消费类,对应的要求,都有相应的实验,保证符合应用
  • 在电气安全方面和机械安全方面应注意哪些?
    WPI - Canorth Xiong
    在电气安全和机械安全方面,采取适当的预防措施和最佳实践是确保设备和系统安全的关键。通过定期检查、维护、培训和遵循相关标准,可以有效降低安全风险,保护操作人员和设备的安全。
  • 枫林红了
    现在已经大规模使用了吗?
    WPI - Mark Li
    大规模使用5年以上了
  • Nom
    SiC JFET 与传统的晶体管相比有哪些显著提升?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC JFET相较于传统的硅晶体管在耐压、高温性能、开关频率、导通电阻、效率、电磁干扰、体积和热管理等方面都有显著的提升。这些优势使得SiC JFET在高功率、高频和高温应用中越来越受到青睐,尤其是在电动汽车、可再生能源和高效电源等领域。
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    3.5KW的交错PFC方案是不是FAN9673?
    WPI - Cesar Liu
    本次是NCP1681,FAN9673是三路交错PFC
  • 枫林红了
    工作温度范围是多少?
    WPI - Mark Li
    -50到175度
  • yuan_yufang
    安森美 EliteSiC如有车规级的产品,是哪些系列或者型号?
    WPI - Mark Li
    NVHL,或者NVH4L ,系列,带V 的一般都是车规
  • yuan_yufang
    安森美 EliteSiC是否有车规级的产品?
    WPI - Canorth Xiong
    有的,请参考onsemi官网。
  • Nom
    SiC JFET 与其他碳化硅器件有何不同?
    WPI - Ike zhang
    SiC JFET 为常开型器件,需负偏压关断,无栅极电压时默认导通,而 SiC MOSFET 为常关型(需正偏压导通),二者导通机制与驱动要求截然不同
  • yuan_yufang
    安森美 EliteSiC是否支持申请样品? 如果可以申请样品,如何申请?
    WPI - Cesar Liu
    -40至80°
  • 清华
    锂电池包的BMS方案中,最多单个芯片可采集多少电芯的电压?
    WPI - Canorth Xiong
    单个BMS芯片能够采集的电芯电压数量通常在4到16个之间,但通过级联多个芯片,可以支持更高数量的电芯监测。具体的选择应根据电池组的配置、所需的监测精度和系统的设计要求来决定。在设计BMS方案时,建议参考具体芯片的技术规格书,以确定其最大支持的电芯数量和其他相关参数。
  • 智能充电机器人如何来自动识别设备的电量需求、充电协议等信息?
    WPI - Canorth Xiong
    智能充电机器人通过多种技术手段,如标准化充电协议、设备识别、传感器技术、智能算法、用户交互和云服务等,能够自动识别设备的电量需求和充电协议。这些技术的结合使得充电过程更加智能化和高效,提升了用户体验和充电安全性。
  • Nom
    安森美是否支持不同行业需求定制碳化硅解决方案?
    WPI - Canorth Xiong
    安森美在碳化硅解决方案方面具有强大的定制能力,能够满足不同行业的需求。通过与客户的紧密合作、提供设计支持和持续的研发创新,安森美致力于为各行业提供高效、可靠的SiC解决方案。
  • 石羽墨
    NCP11681可以用于设计5kW的图腾柱PFC吗?
    WPI - Canorth Xiong
    NCP11681 可以用于设计 5kW 的图腾柱 PFC,但需要仔细评估其在该功率水平下的性能和可靠性。设计时应考虑热管理、电流和电压规格、效率、控制功能以及设计复杂性等因素。建议在设计过程中参考 NCP11681 的数据手册,并进行必要的仿真和测试,以确保设计的成功和稳定性。。
  • yuan_yufang
    安森美 EliteSiC目前供货情况如何?交货周期大概多少周?
    WPI - Canorth Xiong
    由于供货情况和交货周期会受到多种因素的影响,建议直接与PM联系以获取最新和最准确的信息。
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    碳化硅 SIC MOSFET门级驱动器主要以单通道为主吗?是否有多通道?
    WPI - Canorth Xiong
    onsemi官网有多通道SiC MOS gate driver IC产品可供选择。
  • OT. y
    机器人解决方案中主要是采用哪种通信总线?
    WPI - Cesar Liu
    在机器人解决方案中,常用的通信总线包括CAN总线、Ethernet、RS-485、I2C、SPI、Bluetooth、Wi-Fi、Zigbee和LoRa等。选择合适的通信总线取决于具体的应用需求、数据速率、距离、实时性和系统架构等因素。
  • 魏向辉
    碳化硅负压尖峰电压能承受多少伏?
    WPI - Canorth Xiong
    碳化硅器件的负压尖峰电压承受能力通常较高,具体数值取决于器件类型和设计。在设计电路时,建议参考具体器件的技术规格书,并考虑适当的安全裕度,以确保器件在长期运行中的可靠性和稳定性。
  • 尚雪
    SiC技术在高功率机器人电源方案中的核心优势是什么?
    WPI - Cesar Liu
    SiC技术在高功率机器人电源方案中的核心优势包括高效率、高功率密度、高温性能、高电压能力、改善的热管理、降低EMI、提高系统可靠性以及与智能控制的兼容性。这些优势使得SiC成为现代机器人电源设计中不可或缺的关键技术,能够满足高性能、高可靠性和高效率的需求。
  • 清华
    贵公司有没有用于直流无刷电机驱动器,集成了gate driver和SIC MOSFET的IPM吗?
    WPI - Ricky LI
    有的。具体什么需求可联系canorth.xiong@wpi-group.com
  • 倚楼听风雨
    SIC器件的散热方式如何选择
    WPI - Mark Li
    内阻小,导热性好
  • 魏向辉
    采用安森美SiC CJFET技术,IPM的功率密度可以做到多大?
    WPI - Mark Li
    目前暂无明确具体数值表明采用安森美 SiC CJFET 技术的 IPM 功率密度能达到多少,但安森美推出的基于 1200V 碳化硅 MOSFET 的 EliteSiC SPM31 IPM,相比使用第 7 代场截止 IGBT 技术,在超紧凑封装中实现了更高的功率密度
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    BPAK封装的SiC有过AEC-Q200认证吗?
    WPI - Canorth Xiong
    不同的制造商可能会对其SiC器件进行AEC-Q200认证。安森美(ON Semiconductor)等公司在其产品中可能会提供经过AEC-Q200认证的SiC器件,但具体的认证状态需要查看该制造商的产品文档或技术规格。
  • 如何才能消除电流失配?
    WPI - Canorth Xiong
    确保每个器件均匀分担负载,提高系统的可靠性和性能。综合考虑均流控制、温度监测、驱动电路优化和布局设计等多个方面,将有助于实现最佳的电流分配。
  • 倚楼听风雨
    SIC开关管的最大结温是多少
    WPI - Ricky LI
    175度
  • OT. y
    on semi 有集成了六个SIC MOSFET的IPM吗?
    WPI - Mark Li
    有的,根据应用,会有对用的IPM 或者PIM 模块的封装
  • Toby.tao
    安森美 EliteSiC有哪些特色?
    WPI - Mark Li
    安森美 EliteSiC 具有以下特色: 采用先进碳化硅技术,开关频率高、损耗低,能在高温下高效运行。 产品多样,有多种电压等级、导通电阻及封装形式可选,可满足不同应用需求。 具备高可靠性和一致性,部分器件满足 AEC - Q101 标准和 PPAP 要求,且采用先进封装技术确保性能稳定。
  • FAE Steven
    SIC的内阻受工作温度影响大么?温度升高后其内阻会升高?
    WPI - Mark Li
    SiC(碳化硅)的内阻受工作温度影响较小,温度升高后其内阻通常会略有升高,但幅度远小于硅基器件。
  • 魏向辉
    在相同功率等级下,SiC CJFET 在开关频率、导通电阻以及热特性方面相比传统 MOSFET 和 IGBT 有哪些具体的优势?
    WPI - Cesar Liu
    在相同功率等级下,SiC CJFET在开关频率、导通电阻和热特性方面相比传统MOSFET和IGBT具有显著优势。这些优势使得SiC CJFET在高功率、高频和高温应用中越来越受到青睐,能够提高系统的整体效率、减小体积和重量,并增强可靠性。
  • 清华
    请问SIC的导通阻抗可以用作电流采样吗?
    WPI - Ricky LI
    可以的
  • 可乐
    SiC器件有哪些优点?
    WPI - Mark Li
    耐压高,导通低,容易驱动,功率密度高,价格低
  • 魏向辉
    Sic jfet的开关频率建议用到多大?
    WPI - Canorth Xiong
    根据实际的功率密度要求和实际波形震荡程度平衡开关频率设计。
  • 江苏网友
    1200V SiC JFET目前的最低的Rdson能到多少
    WPI - Mark Li
    5毫欧做有,
  • 魏向辉
    SiC器件的Qrr怎么做到显著低于硅基器件
    WPI - Canorth Xiong
    SiC器件的Qrr显著低于硅基器件,主要得益于其优越的材料特性、优化的器件结构和快速的开关能力。这些因素使得SiC器件在高频、高温和高功率应用中表现出色,成为现代电力电子系统的理想选择。
  • 魏向辉
    Rdson目前最小能做到多少?
    WPI - Cesar Liu
    5毫欧
  • 倚楼听风雨
    多个SIC器件并联分流时,如何控制开关的同步
    WPI - YY Lee
    并联工作时,驱动电阻应独立分开
  • 魏向辉
    驱动设计方面有没有更好的推荐,负压等是否必须
    WPI - Canorth Xiong
    在SiC MOSFET和SiC JFET的驱动设计中,负压驱动并不是绝对必要的,但在某些情况下可以提高性能。设计时应综合考虑驱动能力、栅极保护、热管理和电流检测等因素,以实现最佳的性能和可靠性。选择合适的驱动芯片和进行充分的仿真与测试是确保设计成功的关键。
  • OT. y
    ON semi有没有50KHZ的高压BLDC驱动方案?
    WPI - Canorth Xiong
    安森美确实提供适用于50 kHz的高压BLDC驱动方案,涵盖了多种产品和技术。通过访问其官方网站或联系其技术支持,您可以获得更多关于具体产品和解决方案的信息。
  • 清华
    高压电机驱动器中,请问是采用碳化硅还是氮化镓?
    WPI - Canorth Xiong
    在高压电机驱动器中,碳化硅(SiC)通常是更优的选择,尤其是在高电压和高温环境下。氮化镓(GaN)则更适合于低电压、高频应用。最终的选择应根据具体的应用需求、成本考虑和系统设计要求来决定。
  • 倚楼听风雨
    SIC开关管支持哪些封装
    WPI - Mark Li
    市面上常见的,插件,贴片,两面散热,模块 的都有,都支持
  • OT. y
    SIC MOSFET的工作温度是175度还是150度?
    WPI - Ricky LI
    最大175
  • panbeer
    液冷与SiC技术如何协同降低数据中心总能耗?
    WPI - Cesar Liu
    液冷技术与SiC技术的结合能够显著降低数据中心的总能耗。SiC器件的高效率和低热量产生与液冷系统的高效散热能力相辅相成,减少了冷却需求,提高了功率密度,延长了设备寿命,并且能够与可再生能源有效集成。通过优化设计和智能管理,数据中心可以实现更高的能效和更低的运营成本。
  • panbeer
    国内政策如何通过PUE限制推动SiC在数据中心的普及?欧盟ErP指令对超结MOSFET的淘汰时间表有何启示?
    WPI - Canorth Xiong
    通过PUE限制,国内政策可以有效推动SiC在数据中心的普及,提升能效和降低能耗。同时,欧盟ErP指令对超结MOSFET的淘汰时间表提供了重要启示,强调了逐步淘汰低效产品、推动技术替代、市场竞争与创新的重要性。这些政策和市场导向将共同促进SiC等高效能器件的广泛应用。
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    应用在光伏外部能源的SiC产品过盐雾可靠性考核仍然是美军标吗?还是说会加长时间
    WPI - Canorth Xiong
    在光伏外部能源应用中,SiC产品的过盐雾可靠性考核仍然可以参考美军标(MIL-STD)等标准,但具体的测试时间和要求可能会根据应用的特殊需求而有所不同。对于高可靠性要求的应用,可能会考虑加长测试时间,以确保产品在恶劣环境下的性能和稳定性。建议在设计和测试阶段与相关标准和行业规范保持一致,以确保产品的可靠性。
  • 清华
    380V/540KW大功率的变频器中,可以采用SIC MOSFET替代IGBT吗?
    WPI - Mark Li
    SiC器件在功率密度提升方面展现出显著优势,其核心源于材料特性与技术创新带来的系统性优化
  • FAE Steven
    使用SiC器件能够实现怎样的功率密度提升
    WPI - Ike zhang
    SiC 器件通过高频化、低损耗、耐高温三大特性,实现了功率密度的跨越式提升
  • 清华
    SIC内部的寄生二极管可以用作续流吗?
    WPI - Mark Li
    可以
  • OT. y
    220VAC/1200W的BLDC,采用多少A的SIC MOSFET?
    WPI - Mark Li
    20A 左右。
  • powerpq
    一直想用1700sic 替代现在的1200igbt 三电平
    WPI - Mark Li
    用1200V 的SiC 就能替代了,不用到1700
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    安森美SIC是否有专门的驱动管理芯片?
    WPI - Canorth Xiong
    有的,请查阅onsemi官网。
  • FAE Steven
    SiC hybrid & full SiC的工作温度范围是多少?适用于工业应用吗?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC Hybrid和Full SiC器件的工作温度范围通常适合工业应用,尤其是在高温和高功率的环境中。全SiC器件在性能和温度范围上通常优于混合型SiC器件,因此在要求更高的工业应用中更为常见。选择具体的SiC器件时,应根据应用需求、工作环境和性能要求来决定。
  • 清华
    请问SIC MOSFET的导通时间一般是多少ns?
    WPI - Mark Li
    开关频率,跟QG 有关系,要QG 充满电后,到开启电压为止,才是开启电压,开启时间
  • panbeer
    安森美其SiC JFET技术是否会加剧国产供应链的竞争压力?相比国产厂商(如BASiC),Onsemi的技术护城河是什么?
    WPI - Canorth Xiong
    安森美的SiC JFET技术在市场上具有一定的竞争优势,这可能会对国产供应链造成压力。国产厂商需要通过技术创新、市场定位和合作等策略来应对竞争。安森美的技术护城河主要体现在研发实力、制造工艺、产品组合和市场经验等方面,这些因素使其在SiC器件市场中占据了重要地位。
  • OT. y
    SIC 适合用作310V的大功率BLDC驱动吗?
    WPI - Ricky LI
    可以使用650V的SiC Mosfet
  • 尚雪
    针对SiC JFET系列众多产品,是否有单独对应的缓冲电路Rs,Cs建议值可供参考?
    WPI - Canorth Xiong
    有的,onsemi官网有对应的技术文档和应用设计手册。
  • 倚楼听风雨
    多个SiC开关管的并联有哪些注意的点
    WPI - Canorth Xiong
    在多个SiC开关管并联使用时,均流控制、温度管理、驱动电路设计、寄生参数优化和故障保护等方面都需要特别关注。通过合理的设计和测试,可以确保并联SiC开关管的可靠性和性能,满足高功率应用的需求。
  • 清华
    snubber 电路设计中,电阻的额定功率怎么选择?
    WPI - Canorth Xiong
    在snubber电路设计中,选择电阻的额定功率时,应计算瞬态功率并选择额定功率的2到5倍,以确保电阻在瞬态条件下的安全性和可靠性。同时,考虑持续功率、热管理和电阻类型等因素,以实现最佳的电路性能。
  • FAE Steven
    onsemi SiC,如有车规级的产品,是哪些系列或者型号?
    WPI - Ricky LI
    大多数规格都有车规,onsemi以NV为车规前辍
  • 魏向辉
    如何简化电路拓扑结构,提高系统的功率密度和可靠性?
    WPI - Cesar Liu
    通过选择合适的拓扑结构、采用集成电路、优化PCB设计、提高开关频率、简化控制系统、提高散热效率、模块化设计和增强可靠性,可以有效简化电路拓扑结构,提高系统的功率密度和可靠性。这些方法的结合使用将有助于实现高效、可靠的电力电子系统。
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    Sic模块驱动和可靠性需要注意的点,和IGBT的驱动是否兼容或改动大不?
    WPI - Mark Li
    要单独计算的,驱动方式不同
  • OT. y
    SIC MOSFET的耐压一般的多少范围?适合用作低压产品吗?
    WPI - Ike zhang
    安森美的碳化硅产品从650V-1700V都有,低压的话建议考虑MV MOS,这是适用于150V以下的低压大电流功率MOS
  • powerpq
    现在有1700V 电流较大的模块吗
    WPI - Ricky LI
    onsemi在开发中
  • panbeer
    使用中,会不会出现死区,如何避免进入该区域、?
    WPI - Canorth Xiong
    死区时间在电力电子应用中是不可避免的,但通过优化栅极驱动电路、使用同步控制、动态调整死区时间、选择合适的控制芯片以及进行仿真和测试,可以有效地管理和减少死区时间的影响,从而提高系统的效率和性能。
  • 倚楼听风雨
    SiC开关管可以给开关变换器提升几个效率点
    WPI - Cesar Liu
    SiC开关管在开关变换器中的应用可以提升系统效率约2%到10%,在某些高频或高功率密度的应用中,效率提升可能更显著。具体的提升幅度取决于应用类型、设计优化和工作条件等因素。为了获得最佳的效率提升,建议在设计阶段充分考虑SiC器件的特性和优势。
  • 尚雪
    如何根据应用手册中的步骤设计合适的缓冲器参数?
    WPI - Canorth Xiong
    可以根据应用手册中的指导设计合适的缓冲器参数。理解应用要求、查阅手册、计算和仿真是设计过程中的关键环节。最终,通过实际测试验证设计的有效性,以确保电路的可靠性和性能。
  • OT. y
    SiC的栅极驱动电压采用多少V比较合适?
    WPI - Ricky LI
    -5/+18V
  • FAE Steven
    SiC负压关断是控制在多少V
    WPI - Mark Li
    一般时-3V,负压的目的是快速关断,不建议用太高的负压
  • 清华
    SIC MOSFET的开关频率最高可以设计到多少?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC MOSFET的开关频率可以设计到几十kHz到几MHz,具体取决于应用需求和设计优化。随着技术的进步和设计方法的改进,SiC MOSFET在高频应用中的潜力将进一步得到发挥。
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    SiC 使用时,EMC要注意哪些方面?谢谢
    WPI - Canorth Xiong
    在使用SiC器件时,EMC的设计和管理是确保系统可靠性和稳定性的关键。通过优化电路布局、设计滤波器、使用屏蔽、良好的接地、选择合适的元件以及进行充分的测试,可以有效降低EMI,提高电磁兼容性。
  • 要进步要努力
    SIC MOS需要使用负压驱动吗?
    WPI - Ricky LI
    建议使用负压,这样关断比较可靠
  • 广东网友
    此讲义和SIC内部结构官网可下载?
    WPI - Mark Li
    讲义可以下载,内部结构图,官网上也有相关技术说明
  • 蓝之翔爱
    缓冲电路的R和C如何选择
    WPI - Canorth Xiong
    选择缓冲电路中的R和C值需要综合考虑开关速度、稳定性、过冲控制和实际应用需求。通过仿真和实际测试,可以找到最佳的R和C组合,以实现理想的电路性能。
  • OT. y
    设计RC subber电路时,怎么确认电容的容值应该是多少?
    WPI - Canorth Xiong
    确定RC snubber电路中电容的容值需要综合考虑电路特性、目标、初步计算、仿真和实际测试等多个因素。通过这些步骤,可以找到合适的电容值,以有效控制开关过程中的过冲和振铃,提升电路的稳定性和可靠性。
  • 尚雪
    缓冲电路如何影响Cascode的开关损耗和电压过冲?
    WPI - Canorth Xiong
    缓冲电路在Cascode结构中对开关损耗和电压过冲有显著影响。通过优化缓冲电路的设计,可以提高开关速度,降低开关损耗,控制电压上升率,减少电压过冲,从而提高整个电力电子系统的效率和可靠性。在设计时,需要综合考虑这些因素,以实现最佳的性能。
  • 蓝之翔爱
    Sic 开关管的体二极管特性如何
    WPI - Cesar Liu
    SiC开关管的体二极管特性包括快速的反向恢复特性、较低的导通电压、高温稳定性和高击穿电压等优点,使其在高频和高温应用中表现优异。然而,在设计中仍需考虑其正向恢复特性和温度依赖性,以确保系统的可靠性和效率。
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    请问ON 碳化硅系列的产品做了哪些可靠性测试?
    WPI - Canorth Xiong
    HTGB/HTRB/IOL等可靠性测试数据都有在对应器件可靠性测试报告体现。
  • FAE Steven
    onsemi SiC,有哪些封装方式?
    WPI - Ricky LI
    TO-247-3和TO-247-4,TO-263-7等,以及背部散热的BPAK
  • 魏向辉
    SIC单管在并联应用时需要关注哪些参数,推荐设计手册可以提供吗?
    WPI - Mark Li
    要并联,建议选用SiC模块,多管并联,都会面临电流平均的问题。模块比较好解决
  • panbeer
    在数据中心,AI server电源架构中,SiC JFET如何通过多电平拓扑减少50%以上的滤波电容体积?
    WPI - Cesar Liu
    通过结合SiC JFET和多电平拓扑,数据中心和AI服务器的电源架构能够显著减少滤波电容的体积,通常可以减少50%以上。这种减少主要得益于降低谐波失真、改善电流波形、高开关频率、降低电容电压应力以及优化的控制策略。这样的设计不仅提高了系统的效率,还降低了整体成本和体积,适应了现代数据中心对高功率密度和高效率的需求。
  • 蓝之翔爱
    目前针对SiC器件 有没有推荐的驱动方案
    WPI - Canorth Xiong
    有的,onsemi官网有集成各种保护功能的隔离栅极驱动方案。
  • 2018
    对了,有没有LLC与PFC的计算软件
    WPI - Mark Li
    有,官方网站上有
  • zero
    SiC MOS有在通信电源或类似的产品中使用吗?
    WPI - Mark Li
    100A 左右
  • 魏向辉
    高压碳化硅有车载相关测试过吗?可用在800v高压快充吗?
    WPI - Ricky LI
    可以的
  • FAE Steven
    SiC器件最高的使用温度可以达到多少
    WPI - Ricky LI
    +175摄氏度
  • 魏向辉
    碳化硅 MOSFET单管的功率可选范围是多少
    WPI - Mark Li
    10毫欧 到1欧姆左右,650V 到 1700V
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    目前onsemi SiC的驱动电压是多少v,配套的驱动ic产品有哪些
    WPI - Ricky LI
    驱动电压为-5/+18V; onsemi的驱动IC有NCP51752和NCP5156X系列
  • panbeer
    高温封装界面材料的热膨胀系数(CTE)失配问题如何解决?特别是安森美的DTS结构有何专利呢?
    WPI - Canorth Xiong
    高温封装界面材料的CTE失配问题可以通过选择合适的材料、优化封装设计、改进热管理和进行热循环测试等方法来解决。安森美的DTS结构通过直接热传导、材料选择和创新封装设计,旨在提高器件的热管理性能和可靠性,减少CTE失配带来的影响。具体的专利信息可以通过安森美的专利数据库或相关文献进行深入了解。
  • 蓝之翔爱
    SiC器件的导通电阻大概多大
    WPI - Ricky LI
    目前的Rdson范围在3~1000毫欧都有。常用的是20~80毫欧。
  • 要进步要努力
    安森美 SiC CJFET 技术是否已经成功应用于 AI 算力 PSU?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC CJFET技术在AI算力PSU中的应用前景广阔,安森美作为SiC技术的领先者之一,可能已经在相关产品中进行了应用。为了获取最新的应用案例和产品信息,建议访问安森美的官方网站或查阅相关的行业新闻和技术文献。
  • panbeer
    针对电网级SSCB的寿命要求,SiC JFET的栅氧层TDDB失效模型如何验证?有无基于Arrhenius方程的,寿命预测公式什么得呢?
    WPI - Canorth Xiong
    通过加速寿命测试和基于Arrhenius方程的寿命预测公式,可以有效验证SiC JFET栅氧层的TDDB失效模型,并进行寿命预测。这些方法结合失效分析和统计方法,可以为电网级应用中的SiC JFET提供可靠的寿命评估。
  • 蓝之翔爱
    目前能做到的SiC开关管的最大电流是多少
    WPI - Cesar Liu
    目前,SiC开关管的最大电流能力通常在几十安培到几百安培之间,具体取决于器件的类型和制造商。对于特定应用,建议查阅相关制造商的产品数据手册,以获取最新的器件规格和性能信息。
  • 2018
    成本上与普通的相比会不会增加,或者没有差别
    WPI - Mark Li
    成本上,理论上不会增加,这个要根据实际的设计,具体可以联系讲师,可以给您详细解答
  • panbeer
    新能源车800V高压平台中,SiC JFET在双向OBC和DC-DC模块中的动态均流问题如何解决?通途请教下,安森美驱动芯片的同步控制算法有何特别得创新什么得呢?
    WPI - Canorth Xiong
    在新能源车的800V高压平台中,解决SiC JFET在双向OBC和DC-DC模块中的动态均流问题需要综合考虑电流检测、温度监测、驱动芯片选择等多个方面。安森美的驱动芯片通过自适应控制、数字控制技术、多通道同步控制等创新算法,能够有效提高均流精度和系统可靠性。这些技术的应用将有助于提升新能源车的整体性能和安全性。
  • FAE Steven
    onsemi 在 SiC 器件的制造工艺中,如晶圆生长、外延层制备、离子注入、蚀刻等环节,面临哪些技术难点和挑战?
    WPI - Canorth Xiong
    在SiC器件的制造过程中,安森美面临着多方面的技术难点和挑战,包括晶圆生长、外延层制备、离子注入、蚀刻、封装和测试等环节。解决这些挑战需要持续的研发投入和技术创新,以提高SiC器件的性能、可靠性和生产效率。
  • CF
    SiC器件通常在其内部也会有寄生二极管吗?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC器件内部的寄生二极管是其结构特性的一部分,虽然它们在某些情况下可能会引起问题,但在许多应用中,SiC器件的高效率和高温性能仍然使其成为优选的解决方案。设计时需要充分考虑寄生二极管的影响,以优化电路性能。
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    SiC 材料具有高温性能好、高频开关能力强等特点,这些特性具体是由其材料的哪些微观结构和物理性质所决定的?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC材料的高温性能和高频开关能力是由其宽带隙、高热导率、高击穿电场强度、高电子迁移率、化学稳定性、晶体结构、缺陷控制和掺杂技术等多种微观结构和物理性质共同决定的。这些特性使得SiC成为高功率、高温和高频应用的理想选择。
  • panbeer
    SiC JFET在固态断路器中如何实现us级故障切断?与传统机械断路器,如继电器比较,系统级可靠性提升的量化指标如何评估?
    WPI - Cesar Liu
    SiC JFET在固态断路器中能够实现us级故障切断,主要依赖于其快速开关特性和智能控制能力。与传统机械断路器相比,固态断路器在切断时间、可靠性、耐用性等方面具有显著优势。通过量化指标如故障切断时间、开关循环寿命、故障率等,可以有效评估系统级可靠性的提升。
  • 魏向辉
    Sic的最大栅极开启电压是多少?
    WPI - Mark Li
    SiC MOSFET的栅极开启电压(阈值电压,Vth)和最大允许栅极驱动电压(Vgs)需严格区分,具体如下: 1. 阈值电压(Vth) • 定义:器件从关断到导通的最小栅极电压(栅源极间电压)。 • 典型范围: SiC MOSFET的Vth通常在 2-4 V(常温下),略高于硅基MOSFET(1-2 V),因SiC材料的高临界电场需要更强的栅极控制。 • 温度影响: 高温下Vth会降低(约下降0.5-1 V@150°C),需在驱动电路中预留裕量,防止误开通。
  • 蓝之翔爱
    SiC器件适合ZVS还是ZCS?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC器件更适合于ZVS应用,特别是在高频和高效率的电力电子系统中。ZVS能够充分发挥SiC器件的低开关损耗和高开关速度的优势。而ZCS虽然也可以使用SiC器件,但在实际应用中相对较少,通常适用于特定的需求和场合。选择ZVS或ZCS应根据具体的应用需求、设计目标和系统特性来决定。
  • 魏向辉
    如何提高转换效率的同时解决发热问题
    WPI - Cesar Liu
    通过选择高效的功率器件、优化电路拓扑、改进PCB设计、使用高效的磁性元件、实施有效的散热方案以及优化控制策略,可以在提高电源转换效率的同时有效解决发热问题。这些方法的结合使用将有助于实现高效、可靠的电力电子系统。
  • 要进步要努力
    安森美的SiC JFET与SiC MOSFET有什么不同?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC JFET和SiC MOSFET各有其优缺点,选择哪种器件取决于具体应用的需求,包括开关频率、效率、功率等级和成本等因素。在高频和高效率的应用中,SiC MOSFET通常更受欢迎,而在高功率和高温环境下,SiC JFET可能更具优势。
  • panbeer
    EliteSiC系列在封装材料选择上如何应对热应力挑战?
    WPI - Cesar Liu
    EliteSiC系列在封装材料选择上应对热应力挑战的策略包括选择合适的高热导率和热膨胀系数匹配的材料、优化封装设计、采用有效的热管理技术、使用高可靠性的封装工艺、进行可靠性测试以及进行热仿真分析。这些措施共同作用,确保SiC器件在高温和高功率应用中的可靠性和性能。
  • 尚雪
    SiC CJFET软开关应用中如何配置缓冲电路以最大化能量回收并减少损耗?
    WPI - Canorth Xiong
    配置缓冲电路,以最大化SiC CJFET软开关应用中的能量回收并减少损耗。设计时需要综合考虑电路拓扑、开关控制、元件选择和实际测试等因素。
  • panbeer
    在高温(>200°C)环境下,SiC JFET的载流子迁移率退化机制如何?
    WPI - Cesar Liu
    在高温(>200°C)环境下,SiC JFET的载流子迁移率退化主要受到热激发、声子散射、缺陷和杂质的影响、极化效应以及温度依赖性等多种机制的共同作用。理解这些机制对于优化SiC JFET在高温应用中的性能至关重要。在设计高温应用的电路时,考虑这些因素可以帮助提高器件的可靠性和性能。
  • 2018
    请问LLC安森美又出了新的芯片了么,是否更适合用SIC
    WPI - Canorth Xiong
    安森美在LLC转换器方面推出的新芯片,结合SiC器件的优势,能够在高效能、高功率密度和高温环境下提供更好的性能。SiC器件与LLC转换器的结合,能够显著提高系统的效率和可靠性,适合于电动汽车、可再生能源和高效电源等应用。 如果您需要最新的产品信息或具体的技术细节,建议访问安森美的官方网站或联系其技术支持团队,以获取最新的产品发布和技术资料。
  • CF
    在电机三相桥控制应用中,SIC器件是否也有相应的预驱IC?还是可以用传统的MOS管的预驱?
    WPI - Cesar Liu
    在电机三相桥控制应用中,虽然可以使用传统的MOS管预驱动IC来驱动SiC器件,但为了获得最佳性能和效率,建议使用专为SiC设计的驱动IC。这些专用驱动IC能够更好地满足SiC器件的高开关速度、高电压和高电流需求,从而提高系统的整体性能和可靠性。在选择驱动IC时,建议参考具体的SiC器件数据手册和应用指南,以确保兼容性和最佳性能。
  • 大眼皮儿双眼睛
    sic与IGBT比的优势有哪些?
    WPI - Cesar Liu
    SiC器件在开关速度、导通损耗、热性能、电压等级、效率、EMI、体积和可靠性等方面相较于IGBT具有显著优势。这使得SiC在高功率、高频和高温应用中越来越受到青睐,尤其是在电动汽车、可再生能源、工业驱动和高效电源转换等领域。尽管SiC器件的成本通常高于IGBT,但其在性能和效率上的优势使得在许多应用中具有更好的性价比。
  • 魏向辉
    SiC mos的价格何时能跟Si mos接近?
    WPI - Mark Li
    现在就已经很接近了,有需要报价的,请留下邮箱或者联系方式,官方会联系您
  • Mr.Z
    SiC Mos有几种封装形式
    WPI - Ricky LI
    TO-247-3和TO-247-4,TO-263-7等,以及背部散热的BPAK
  • FAE Steven
    安森美碳化硅(SiC)的耐压性和稳定性有什么特点?
    WPI - Canorth Xiong
    安森美的碳化硅(SiC)器件具有高耐压性、优异的热稳定性、良好的电气稳定性和可靠性。这些特点使得SiC器件在高功率、高温和高频应用中表现出色,成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件。
  • 尚雪
    SiC CJFET硬开关应用中,为什么推荐使用RC缓冲电路?
    WPI - Ike zhang
    当 JFET 关断时,Cgd 与寄生电感的耦合会放大电压尖峰,RC 缓冲器通过分流 Cgd 的充放电电流,避免米勒效应引发的误开通
  • 2018
    请问一般使用在多高的频率下,是最能体现SIC的优势
    WPI - Ricky LI
    碳化硅(SiC)半导体器件在高频、高压、高温应用中展现出显著优势,其最佳性能通常在10 kHz至数MHz的频率范围内得到充分发挥。
  • 要进步要努力
    如何解决SiC器件驱动负压范围过小的问题?
    WPI - Cesar Liu
    解决SiC器件驱动负压范围过小的问题可以通过使用负压发生器、选择合适的栅极驱动IC、优化PCB布局、使用外部电路和逻辑控制等多种方法来实现。根据具体应用需求,选择合适的方案可以提高SiC器件的关断性能和系统的可靠性。
  • 魏向辉
    使用SiC MOS时,什么情况下需要并联SBD?
    WPI - Canorth Xiong
    在使用SiC MOSFET时,通常在需要提高反向恢复性能、提升效率、实现更好的电流共享、提高系统可靠性以及满足特定应用需求的情况下,考虑并联使用肖特基二极管(SBD)。通过合理的设计和配置,可以充分发挥SiC MOSFET和SBD的优势,提高整体系统的性能和可靠性。
  • Mr.Z
    大功率SiC开关管和小功率SiC开关管再驱动电路的设计上 有哪些异同
    WPI - Cesar Liu
    大功率SiC开关管和小功率SiC开关管在驱动电路设计上有许多不同之处,主要体现在驱动电压和电流、开关速度、保护电路、PCB布局和驱动器选择等方面。大功率器件的设计更为复杂,需要考虑更多的因素以确保系统的安全性和可靠性,而小功率器件的设计则相对简单,适合于低功率应用。
  • 15218816095
    SiC和JFET构成优势是什么
    WPI - Canorth Xiong
    SiC JFET结合了SiC材料的优越特性和JFET的高效能,适用于高功率、高频率和高温环境的应用。其高耐压、高效率、低开关损耗和良好的热管理能力,使其在电动汽车、可再生能源、工业电源和其他高性能电力电子系统中具有显著的优势。
  • 八声甘州
    SiC在短路故障下的失效时间(如 2μs)如何影响保护电路设计?是否需要快速电流检测(如 desat 保护)或栅极箝位?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC器件在短路故障下的失效时间对保护电路设计提出了更高的要求,快速电流检测和栅极箝位是有效的保护措施,设计时需要综合考虑这些因素以确保系统的安全和可靠性。
  • panbeer
    SiC JFET相较于传统Si基MOSFET和IGBT,在导通电阻和开关损耗上的物理机制优化如何体现?其能效提升的理论上限如何计算?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC JFET通过材料特性和结构优化,在导通电阻和开关损耗上实现了显著提升,其能效理论上限由Baliga优值和系统损耗模型共同决定。实际应用中,结合封装技术(如TOLL)和电路设计(如软开关),SiC JFET的效率提升可达硅基器件的数倍,并在高压、高频场景中逐步替代传统器件。未来,随着工艺成熟和成本下降,其应用范围将进一步扩展至新能源汽车、电网和AI服务器等高功率领域。
  • CF
    SiC和GAN在实际电路设计中其应用场景的区别有哪些?
    WPI - Cesar Liu
    SiC更适合高功率、高温和高电压的应用场景,尤其是在电动汽车、工业设备和高频开关电源中表现突出。 GaN则更适合高频、高效率和小型化的应用,尤其是在无线通信、便携式设备和快速充电领域具有优势。
  • 八声甘州
    Si JFET 常为常开型,怎么设计安全可靠的驱动电路以避免意外导通?是否有成熟的负压关断方案或智能驱动 IC 推荐?
    WPI - Cesar Liu
    在设计Si JFET驱动电路时,采用负压关断、栅极电阻、保护二极管和逻辑控制等方法可以有效避免意外导通。选择合适的负压发生器或智能驱动IC可以进一步提高电路的安全性和可靠性。在选择具体的IC时,建议查阅其数据手册,确保其满足应用需求。
  • Mr.Z
    目前SiC开关管可以做到的最大耐压是多少
    WPI - YY Lee
    1700
  • 2018
    在EMI方面,是否比传统的要难处理些,或者需要增加更多的元件来抑制
    WPI - Canorth Xiong
    虽然SiC器件在高效能和高温操作方面具有显著优势,但在EMI管理方面确实可能比传统Si器件更具挑战性。为了有效抑制EMI,设计师可能需要增加更多的元件和采取额外的设计措施。通过合理的设计和优化,可以有效降低EMI问题,确保系统的可靠性和稳定性.
  • 八声甘州
    SiC在高压(>1200V)和高温(>200°C)下的长期可靠性如何?是否存在栅极退化或沟道迁移率下降的风险?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC器件在高压(>1200V)和高温(>200°C)下具有良好的长期可靠性,但仍然存在栅极退化和沟道迁移率下降的风险。通过优化材料选择、设计良好的热管理系统和进行可靠性测试,可以有效降低这些风险,确保SiC器件在极端条件下的稳定性和可靠性。
  • 要进步要努力
    Sic jfet的开关频率建议用到多大?
    WPI - Canorth Xiong
    SiC JFET的开关频率建议通常在几十kHz到1 MHz之间,具体取决于应用需求、热管理设计、开关损耗和电磁干扰等因素。在设计时,建议进行仿真和实验,以确定最佳的开关频率,以实现高效和可靠的系统性能。
  • Mr.Z
    SiC器件的最大开关频率可以做到多少
    WPI - Canorth Xiong
    SiC MOSFET的理论开关频率上限可达MHz级别,实际应用中受电路设计和驱动技术限制,目前主流频率为100kHz至1MHz。随着沟槽结构、驱动IC优化及封装技术进步,其在超高频领域的应用将逐步扩展,进一步巩固其在电力电子领域的高效优势。
  • 15218816095
    碳化硅驱动电路需要是什么
    WPI - Ricky LI
    1. 要求能快速开关器件, dv/dt最大 200V/ns;快速动态性能(延迟、上升和下降时间) 2. 驱动峰值电流大,栅极电压高: -5V to 20V 支持嵌入式负电压偏置,欠压闩锁UVLO : 12V to 18V 隔离有助于高速驱动和断开接地回路噪音 其他保护功能 Miller Clamp 过流保住中快速DESAT(去饱和) 软关断 通过外部Sensor(如NTC)实现过温保护
  • CF
    Junction Field和传统的场效应管在实际应用上有什么区别或需要注意的地方?
    WPI - Canorth Xiong
    在实际应用中,选择JFET还是MOSFET取决于具体的应用需求和设计目标。JFET适合低噪声和高温环境的应用,而MOSFET则更适合高频和高功率的电力电子应用。在设计时,需要考虑器件的特性、驱动要求、热管理和可靠性等因素,以确保系统的性能和稳定性。
  • 2018
    如果相同条件与功率下,能提高多少效率与普通的相比较
    WPI - Canorth Xiong
    在相同条件和功率下,SiC器件通常能够提高3%到10%或更多的效率,具体取决于应用类型和设计优化。通过降低开关损耗和导通损耗,SiC器件在高频和高功率应用中展现出显著的优势,能够有效提升整体系统的性能和经济性。
  • Mr.Z
    SiC器件的驱动电路和常规的mos比有哪些特别的地方
    WPI - Cesar Liu
    SiC器件的驱动电路与常规MOSFET驱动电路相比,具有更高的驱动电压要求、更大的栅极电荷、更快的开关速度和更复杂的设计需求。设计者在选择驱动电路时,应考虑这些特性,以确保SiC器件在高频、高功率应用中的最佳性能和可靠性。使用专为SiC设计的驱动IC通常能够更好地满足这些需求。
  • 2018
    请问能不能直接替换普通的MOS
    WPI - Ricky LI
    可以的,不过实际应用中要看一下较快的开关频率下是否会有尖峰,如有请调整Ron或者增加RC抑制尖峰
  • CF
    SiC在替代传统MOS的时候有哪些地需要注意的地方?
    WPI - Cesar Liu
    在将SiC器件替代传统MOSFET时,设计者需要关注电气特性、驱动电路、热管理、PCB布局等多个方面,以确保系统的可靠性和性能。同时,进行充分的仿真和测试,以验证设计的有效性。
  • FAE Steven
    碳化硅目前已发展到第三代产品,目前安森美碳化硅的高耐压性和稳定性技术性能是否有进一步的提升?
    WPI - Ike zhang
    安森美第三代 SiC 产品通过材料升级、结构优化和严苛验证,实现了耐压性和稳定性的双重突破,第四代SiC产品已在规划中,敬请等待
  • Mr.Z
    SiC的损耗最低可以做到多少
    WPI - Ricky LI
    SiC的损耗和Si Mosfet一样,分为导通损耗和开关损耗; 导通损耗根据电流和Rdson计算;开关损耗具体与产品的Eon/Eoff有关,不同开关频率下会不同。
  • 钱老板
    在 SiC 器件的研发、生产和应用过程中,有哪些相关的标准和认证体系?
    WPI - Mark Li
    工规,车规,军规,相关的应用,都有对应的认证标准,都有这种认证支持的
  • 哈哈
    安森美SiC JFET封装规格和SiC MOS一样吗,是否可以替换使用?
    WPI - Ike zhang
    在封装上二者常见TO-247-4L、D²PAK-7L,但是引脚定义和内部结构不同,导通与关断机制和电气参数还是有些差异的,需要重新设计
  • 钱老板
    在高功率密度、高效率和高可靠性要求的工业应用中,如何充分发挥 SiC 器件的性能潜力,以满足工业生产的严苛需求?
    WPI - Cesar Liu
    通过选择合适的SiC器件、优化电路拓扑、提高开关频率、有效的热管理、优化PCB设计、智能控制和监测、选择高质量材料、系统集成以及全面测试,可以充分发挥SiC器件的性能潜力,以满足高功率密度、高效率和高可靠性要求的工业应用。这些策略的综合应用将有助于实现更高的系统性能和可靠性,满足工业生产的严苛需求。
  • 钱老板
    新能源汽车领域,采用 SiC MOSFET 模块设计逆变器后,其效率和性能有何显著变化?
    WPI - Ike zhang
    1.功率密度高,效率显著提升,续航里程得到有效提升 2.开关频率提升,动态响应更灵敏 3.高压平台配合 SiC 逆变器,可支持超快充,同时减少充电过程中的发热损耗 4.可以实现车辆轻量化,对续航也是有好处的
  • 钱老板
    目前有哪些方法和策略可以用来提升其功率循环能力,以确保其在长期高功率运行下的可靠性和稳定性?
    WPI - Canorth Xiong
    综合考虑热管理、封装设计、实时监测、均流控制等多个方面,将有助于提高SiC器件在电力电子应用中的性能和寿命。
  • 钱老板
    影响 SiC 器件功率循环能力的主要因素有哪些?
    WPI - Cesar Liu
    影响碳化硅(SiC)器件功率循环能力的关键因素可分为以下几类,涵盖器件设计、材料特性、工艺优化及外部条件等维度
  • 钱老板
    SiC 具有高禁带宽度、高导热性、高击穿电场等特性,这些特性具体是如何使其在能源领域具备优势的?
    WPI - Ike zhang
    1. 高压场景下可以低损耗运行,降低能量损耗 2. 高导热性,耐高温,简化散热设计,提升功率密度 3. 在高压下可以使器件小型化,降低占空面积,同时还能降低成本
  • 石头锅锅
    在AI电源效率测试中,如何准确同步测量多路电压/电流并计算实时功耗?
    Keysight-培训5
    首选选择合适的电压电流探头,并在测试前进行探头之间的时延校准。
  • Toby.tao
    HD3系列示波器允许用户设置测试阈值吗?
    Keysight-培训6
    是的 支持limit test
  • Toby.tao
    HD3系列示波器支持什么升级方式?
    Keysight-培训6
    通过license升级
  • 大眼皮儿双眼睛
    如何实施自动化测试,来提高测试效率和人工工时?
    Keysight-培训6
    可以通过benchvue 的test flow功能进行自动化测试,当然,也可以参考官网的应用示例进行二次开发
  • 算法
    底噪不高于50uV,就能测试50uV的纹波吗?
    Keysight-培训6
    50uV的纹波测试有难度,建议选择是德科技的CX3300进行测试,CX3300的底噪在400nV
  • 串行随机
    光隔离探头有哪些应用
    Keysight-培训6
    最典型的就是双脉冲测试,在第三代半导体中有广泛的应用
  • Toby.tao
    HD3系列示波器的底噪是多少?
    Keysight-培训6
    底噪不高于50uV
  • 倚楼听风雨
    隔离探头的选择上有建议吗
    Keysight-培训6
    需要看您的待测件综合考虑
  • 倚楼听风雨
    测试纹波有哪些特别注意的点
    Keysight-培训6
    需要考虑探头衰减比、带宽限制等设置
  • 蓝之翔爱
    有没有自动化测试的脚本或者接口
    Keysight-培训6
    接口是开放的,可直接从是德科技官网下载
  • 蓝之翔爱
    图形是否可以导出来
    Keysight-培训5
    没问题。
  • Toby.tao
    HD3可实现自动化测试吗?
    Keysight-培训5
    可以进行部分自动化测试。
  • Mr.Z
    示波器图形能编辑吗
    Keysight-培训6
    是指输出信号吗?测试信号获取的是实际信号,可以通过调整横纵坐标改变其展现
  • 天高云淡
    高压差分探头测试纹波是否可靠?
    Keysight-培训6
    尽量选择衰减比为1:1的探头
  • Mr.Z
    示波器有没有存储
    Keysight-培训5
    有。这是典型的高性能数字存储示波器。
  • Toby.tao
    HD3示波器的带宽是多少?
    Keysight-培训4
    有200M,350M,500M,1G可选择
  • Pinkoy
    HD3有几个接口
    Keysight-培训6
    标准的2或4个模拟通道,以及16个数字通道
  • 算法
    后期探头进行小电压信号的测试时同、是否能做到100uV档以下的测试?
    Keysight-培训6
    100uV还是有难度的,需要考虑环境噪声
  • Toby.tao
    HD3配备了打印接口吗?HD3示波器是触摸屏操作吗?
    Keysight-培训4
    可以触屏
  • Pinkoy
    针对AI电源的EMI测试,如何结合近场探头与示波器进行快速定位?
    Keysight-培训6
    采用示波器的FFT功能可快速定位
  • 算法
    扩充存储时,通过USB端口支持多少的存储容量?
    Keysight-培训5
    通常32G的没问题。特别大容量的有些不兼容。
  • Pinkoy
    在动态功率损耗测试中,如何消除探头地线引入的寄生振荡?
    Keysight-培训5
    使用尽量短短接地线。
  • Pinkoy
    如何利用FFT分析功能快速定位电源噪声的频谱特征?
    Keysight-培训6
    FFT是是德科技示波器标配的功能,可直接通过按键进入FFT功能,设置起始和终止频率获取其参数
  • Mr.Z
    示波器有没有远程控制
    Keysight-培训4
    有的
  • Erisah
    HD3 系列示波器可以导出原始波形到电脑上进行波形分析吗?
    Keysight-培训5
    可以
  • 天高云淡
    高压差分探头及光电隔离探头在测试抗干扰方面有哪些提升?
    Keysight-培训6
    最大的差异在共模抑制比上面
  • Pinkoy
    在Power Analysis软件中,如何自定义公式计算瞬态效率
    Keysight-培训5
    采用延时测量到运算方式。可以参考我们的网上视频。
  • Pinkoy
    测试环境存在强电磁干扰时,应选择光隔离探头还是差分探头?
    Keysight-培训5
    这个不存在因果关系。
  • 可乐
    HD3示波器有哪些优点?
    Keysight-培训6
    14bit分辨率、50uV低底噪、130万次波形更新率、全软件升级、100M波形发生器等
  • Pinkoy
    测量10mV以下纹波噪声时,如何通过示波器的20MHz带宽限制功能抑制高频干扰?
    Keysight-培训5
    直接在测量菜单上选择就行。
  • Erisah
    HD3示波器在AI电源测试中如何有效捕获微小纹波和瞬态异常信号?
    Keysight-培训5
    可以配合信号完整性探头进行小电压信号的测试(100uV档),这个是目前示波器跟探头配合中的一个比较完美的组合。
  • pretty
    示波器的内部存储容量多少?支持SD卡扩充存储容量吗?
    Keysight-培训5
    HD3标配20Mpts,可以升级到100Mpts。如果需要扩充存储,可以通过USB端口。
  • 算法
    HD3的标配功能在分辨率上,以传统的功能上有哪些不一样功能
    Keysight-培训6
    最大的差异在硬件分辨率,可以观测到更小的信号以及更高的动态
  • Pinkoy
    HD3高分辨率示波器的“高分辨率”具体体现在哪些技术指标上?
    Keysight-培训6
    硬件14bit ADC,相当于把纵坐标分成了10^14份
  • Mr.Z
    有没有双脉冲测试
    Keysight-培训6
    当然,请看现在的介绍
  • Pinkoy
    怎么避免电磁干扰影响
    Keysight-培训5
    良好的接地能解决大部份的问题。
  • 广东广州市网友
    N7020A能否测量mV以下的纹波信号
    Keysight-培训6
    配合HD3可实现mV以下的测试
  • pretty
    请问是德科技的示波器目前最多有多少个信号输入通道?
    Keysight-培训6
    目前EXR系列模拟通道最多支持8通道,数字通道最多支持16通道
  • Pinkoy
    探头可以定制化么
    Keysight-培训5
    是德科技的示波器探头种类很多,总有一款可以满足您的测试要求。
  • 伍总
    示波器电压探头需要配置信号衰减吗?还是自调整?
    Keysight-培训6
    需要设置探头的offset
  • Mr.Z
    动态参数都有哪些
    Keysight-培训6
    IGBT的动态参数有T(on)、Td(on)、Tr、E(on)、T(off)、Td(off)、Tf、E(off)
  • Pinkoy
    输出文件有哪些格式?
    Keysight-培训6
    支持多种格式,包括CSV 数据(*.csv)、ASCII XY 数据(*.csv)、二进制数据(*.bin)、列表数据(*.csv)、参考波形数据(*.h5)、多通道波形数据(*.h5)、任意波形数据(*.csv)
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    HD3配套的示波器探头性能怎么样?之前我买的好像是标配的是500M 10:1无源探头
    Keysight-培训5
    这是一款性价比非常高的无源探头。能满足通常的测试要求。
  • pretty
    请问测量非隔离交流产品的3.3V时,示波器需要供电隔离吗?
    Keysight-培训5
    采用差分探头就可以。
  • 算法
    这些专门的离线分析软件是收费的吗?
    Keysight-培训6
    是收费的,其软件与示波器端软件一模一样
  • Pinkoy
    时域上测试范围有多大
    Keysight-培训6
    取决于您设置的采样率和存储深度
  • 算法
    标准的硬件触发,如边沿、矮脉冲等;哪种触发模式是最好的?
    Keysight-培训6
    触发模式的选择取决于您的实测信号,比如I2C信号就需要采用I2C的触发
  • 算法
    HD3优异的分辨率和底噪可抓取微弱信号,最小检测分辨率是多少
    Keysight-培训6
    取决于探头和示波器组合的参数
  • 伍总
    示波器在开机时会进行自校正吗?还是需要人工较准?
    Keysight-培训6
    示波器开机会有程序的自校准
  • Pinkoy
    纹波噪声可以测吗
    Keysight-培训6
    可以,且是HD3的标配功能
  • pretty
    是德科技的电流勾表需要单独的电源供电吗?还是示波器通道自供电?
    Keysight-培训6
    是德科技的电流探头大多是通过示波器进行供电的,无需外置电源
  • Pinkoy
    探头多久需要校准
    Keysight-培训6
    为了测试精度,最好在每次使用前都进行校准
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    HD3示波器在AI电源测试中如何有效捕获微小纹波和瞬态异常信号?
    Keysight-培训6
    HD3优异的分辨率和底噪可抓取微弱信号,其底噪仅50uV
  • FAE Steven
    HD3底噪会受到环境干扰吗?
    Keysight-培训5
    底噪是示波器本身的设计指标,原则上不受环境干扰。
  • 大眼皮儿双眼睛
    目前示波器主要的触发类型有哪些?
    Keysight-培训6
    标准的硬件触发,如边沿、矮脉冲等;是德特色的区域触发,以及各类总线触发
  • Erisah
    HD3 示波器能否电池供电?
    Keysight-培训6
    目前不支持
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    14bit HD3 系列示波器的测试精度是多少?
    Keysight-培训5
    14比特的垂直分辨率是2的14次方分之一,大约为16000分之一的分辨率。有效的分辨率(ENOB)是10.4比特。但全带宽的时候还是遵循-3dB的精度设计。至于不同的量程精度可以按照公式推算。
  • 天高云淡
    HD3 系列的示波器内部数据存储容量多少?可以通过SD卡扩展吗?
    Keysight-培训6
    存储深度标配20M,最高可达100M
  • 伍总
    是德科技的示波器可以存储原始波形在电脑上进行波形分析吗?
    Keysight-培训6
    当然可以!是德科技有专门的离线分析软件
  • 算法
    HD3示波器能联网保存数据吗
    Keysight-培训6
    可以 支持LAN连接
  • FAE Steven
    射频电流探头在测量之前应该先选择阻抗档位?
    Keysight-培训6
    是的,需要考虑其阻抗匹配
  • 算法
    PS0033A 最大是1GHz 带宽的,后期是否会重新增加这个带宽?
    Keysight-培训6
    很好的问题,后续产品会根据行业应用进行迭代
  • Erisah
    HD3支持多主机远程控制吗?远程操作与本地操作有没有冲突?
    Keysight-培训6
    支持!这是HD3与其他系列最大的差异,支持VNC多人联动,远程本地实时操作
  • 天高云淡
    多通道同时使用时情况怎么样?采样率会受影响吗?
    Keysight-培训5
    不受影响
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    测量射频信号时,测量结果会被工频信号影响吗?
    Keysight-培训6
    工频在50Hz,跟射频信号频段不一致,加入高通滤波可有效避免
  • pretty
    请问测量眼图时,示波器的带宽至少需要多少?
    Keysight-培训6
    眼图相当于是多个信号的叠加,带宽要求取决于您的信号速率
  • 伍总
    示波器内部有眼图测量是的参考波形吗?
    Keysight-培训6
    眼图测量和参考波形是不一样的,HD3其实没有实时眼图的功能
  • Erisah
    HD3示波器测量纹波时需要并联电容吗?
    Keysight-培训5
    不需要
  • 天高云淡
    高压差分探头支持的电压范围是多少?
    Keysight-培训6
    差分探头的选择有多样,高压差分和高带宽差分,其对应的电压有很大差异
  • FAE Steven
    低电压高吞吐量电源PSRR 测试,示波器怎么设置直接绘制PSRR曲线?
    Keysight-培训5
    有FRA应用支持
  • 伍总
    为什么测出来的波形这么多毛刺?是真实波形还是测量的噪声
    Keysight-培训6
    真实的信号也是包含噪声的,噪声的来源包括仪器自身和外界环境,若信号幅值高于噪声,我们可以认为其实测值是真实信号
  • Erisah
    光电隔离探头能测量的最高速度达到多少?
    Keysight-培训2
    PS0033A 是1GHz 带宽的
  • 天高云淡
    HD3示波器最大支持几个通道?
    Keysight-培训2
    4个模拟通道, 加上16个数字通道
  • 算法
    交流耦合对探头的使用要求有哪些参数?
    Keysight-培训5
    这是一个示波器等触发条件。交流耦合是交流信号出现时进行触发。
  • 伍总
    是德科技的差分探头最高耐压到多少V?
    Keysight-培训6
    可以参考我们的最新探头DP0033A 可到±3kV
  • 算法
    探头的参数一般选择哪种探头比较好?
    Keysight-培训5
    跟你需要测试的信号相匹配。在这里,现在介绍的电源完整性探头(电源轨探头)在电源纹波测试中非常实用。
  • 大眼皮儿双眼睛
    共模干扰和差模干扰有何特点,如何降低这些干扰?
    Keysight-培训5
    共模是极性一样(都正或都负),差模就是极性不一样。通常使用差分测量。
  • 一只很没耐心的毛毛虫
    HD3示波器计算IGBT开通关断损耗的方法?
    Keysight-培训5
    可以直接通过两通道的电压电流测试直接在屏幕上通过数学运算测出。
  • pretty
    测量电源纹波是采用直流耦合还是交流耦合?
    Keysight-培训6
    交流耦合
  • 算法
    这个需要做探头校准?这些方法都分别有哪些?
    Keysight-培训5
    需要。单端探头和有源探头各有对应的流程。
  • 算法
    这个需要做探头校准?这些方法都分别有哪些?
    Keysight-培训5
    需要。示波器的固件里有对该探头的校准程序。并且信号源有相应的校准信号。
  • 算法
    HD3配备了专业的分析软件,在德科技的示波器探头所获取所需参数的精度是多少
    Keysight-培训6
    精度跟示波器探头的选择相关,具体可参考对应探头型号的精度
  • 伍总
    高压BLDC驱动器中上下桥mosfet的实际死区时间应该测量哪个信号?
    Keysight-培训5
    通常的Vds,Vgs和Ids等
  • 算法
    无源探头与有源探头在示波器测量上有什么不同之处?
    Keysight-培训6
    探头的参数影响测试的结果,需要根据您的待测参数选择合适的探头
  • Erisah
    差分探头如何测试DC电源的开关频率?
    Keysight-培训5
    可以通过直接的波形频率测试,也可以用FFT到方式进行运算测量。
  • 天高云淡
    如何准确测量AI服务器电源在不同负载条件下的转换效率?
    Keysight-培训6
    HD3配备了专业的分析软件,配合是德科技的示波器探头可获取所需参数
  • 独孤WOLF
    HD3如何进行探头校准?
    Keysight-培训5
    无源探头到校准跟其它示波器一样。有源探头在示波器firmware中有校准的接口程序。
  • yjmislucky
    能通过多大电流?
    力源信息-王工
    内阻规格越低,能通过的电流越大,详细可在官网关注
  • HelloDigger
    SiC MOSFET在工业电源中的典型应用有哪些?
    力源信息-王工
    前级的PFC和DC-DC等电路都会涉及
  • flyingstar
    并联使用,筛选配对须特别重视哪些参数项目?
    力源信息-王工
    Vgs(th)的开启阈值等
  • taotoby
    M3S 产品有哪些封装形式?
    力源信息-杨工
    TO-247-3L、TO-247-4L、D2PAK-7L、BPAK等
  • linghz
    Sic MosFET的门极驱动电压范围一般是多少伏?
    力源信息-王工
    推荐+18v/-3v
  • HelloDigger
    安森美SiC MOSFET适合高电压平台800V系统吗
    力源信息-吴工
    1200V的SIC适合800V平台的
  • haoyuan
    目前,安森美的功率器件大部分在哪生产的?有没有在美国生产
    力源信息-王工
    目前晶圆以及封测都在亚洲这边
  • flyingstar
    在大功率应用中,如何降低对EMI的影响
    力源信息-吴工
    可以适当降低开关速度,增加滤波电感磁珠等
  • linghz
    安森美碳化硅二极管M3与M3S系列有什么差异?
    力源信息-杨工
    安森美碳化硅二极管的命名方式是D1、D2、D3,其中第三代D3产品优化了性能,并且价格上也有一定的优势。
  • jianshizhencha
    SiC MOSFET的开关损耗与传统硅器件相比有何不同?
    力源信息-吴工
    由于寄生电容更小,反向恢复时间更小,开关损耗比传统SI MOS低很多
  • zhyouer
    碳化硅如何减少开关损耗?
    力源信息-吴工
    降低驱动电阻,提升开关速度,降低开关频率
  • taso
    SiC diode和SiC MOSFET一样, 最高温度只能到175C?
    力源信息-杨工
    目前也有一些产品可工作到200℃,但不是长期运行的工况。
  • taso
    NVD开头的SiC Diode是车规的编号?
    力源信息-杨工
    汽车级使用“NVD”,工业级使用“ND”,标准20mm引线长度,TO-247后缀为“-F155”
  • flyingstar
    sic用于移相全桥,有什么注意事项
    力源信息-王工
    SiC的应用更多是驱动设计带来的难题
  • taso
    To-220封装的Diode要附加散热片吗?
    力源信息-吴工
    看温升,通常是要加的
  • taso
    低温下SiC的Rdson比Si的还要搞?
    力源信息-吴工
    高温下更关键
  • taso
    所以如果温度不高, SiC对比Si的优势就不明显了?
    力源信息-杨工
    在高频、高压的场景仍会有很大的优势
  • linghz
    SiC MOSFET的阈值电压较低,桥式电路中容易引起串扰等问题,如何从器件本身来改善阈值?
    力源信息-杨工
    可在驱动电路设计(如负压关断、有源米勒钳位)上下功夫,降低串扰风险
  • haoyuan
    仿真用的什么软件,有仿真文件链接吗?
    力源信息-王工
    Onsemi官网有在线仿真,无需下载,可以关注下
  • flyingstar
    在高温环境下的性能表现如何?如何保证长期高温下的可靠性?
    力源信息-吴工
    设计时需考虑高温下器件参数的变化,主要是温升,温升在范围内通常没问题
  • wqs53770
    随着测试电源、光伏和储能行业技术的不断发展,onsemi Sic 未来有哪些技术升级计划,以满足日益增长的高性能需求?
    力源信息-王工
    后续会推出沟槽技术的M4代产品,使用8寸晶圆,内阻更低
  • wqs53770
    请问随着测试电源、光伏和储能行业技术的不断发展,onsemi Sic 未来有哪些技术升级计划,以满足日益增长的高性能需求?
    力源信息-吴工
    后续将升级推出8英寸的,采用沟槽工艺的产品
  • flyingstar
    SIC器件与常规MOSFET相比,除了频率的提升外,还有哪些优点?驱动方面是否更加复杂?可靠性与一致性方面是否得到充分的验证?
    力源信息-王工
    耐高压、散热更好等,驱动需要带负压关断,目前Onsemi的SiC产品在新能源储能、汽车、工业等行业都有非常多成功的案例
  • zhyouer
    实际应用中,SIC驱动负压关断电路一般是如何来判断来提高可靠性的?
    力源信息-吴工
    通常是-3V,并尽量减小波形的震荡
  • taso
    开关损耗和道通损耗在实际引用中各自会占多少比例?
    力源信息-吴工
    和工作条件相关,比如电流大小,开关频率大小不同都会影响二者的占比
  • taso
    Rdson会在使用过程中慢慢变大吗?
    力源信息-吴工
    主要受温度影响,温度升高Rdson 会变大
  • zhyouer
    GaN技术和SiC技术相比有啥优缺点?应用领域有什么不同?
    力源信息-吴工
    GaN目前主要还是应用于消费类领域,SIC主要是工业和汽车领域
  • jianshizhencha
    onsemi的EliteSiC M3S系列SiC MOSFET适用于哪些场景?
    力源信息-王工
    高频、高压等场景
  • xscc
    对于ESS应用,SiC产品在提升产品性能的同时,是否会对系统的成本产生较大影响,如何平衡?
    力源信息-吴工
    目前SIC的成本已经降了很多,叠加开关频率的提升,可以降低电感等的体积,整体上不会对产品成本产生太大的影响
  • HelloDigger
    SiC MOSFET的驱动电路设计有哪些特殊要求?
    力源信息-王工
    需要带负压,推荐+18V/-3V平台
  • xscc
    在ESS应用中,SiC器件的哪几个关键参数指标对系统的能量转换效率影响最大,能否举例说明?
    力源信息-吴工
    Rdson, Eon, Eoff等
  • linghz
    碳化硅在驱动大功率时, 多个器件并联需要注意什么?
    力源信息-吴工
    多器件并联可能有门极震荡,不均流等问题,建议PCB走线尽量对称,用同一批次的产品
  • flyingstar
    在开关速度、可靠性上,氮化镓、碳化硅哪个更具优势?
    力源信息-杨工
    SiC的热导率(3.7 W/cm·K)高于GaN(1.3 W/cm·K),散热能力更强,高温下更稳定,开关速度需要根据具体设计来谈,大功率产品上SiC会更优优势,PD快充上氮化镓更优优势。
  • xscc
    在设计产品的驱动电路时,有哪些常见的电气干扰问题需要注意,如何解决?
    力源信息-吴工
    如遇到驱动波形震荡等,可以调整驱动电阻大小,增加吸收电路来解决
  • xscc
    不同封装形式的SiC产品在散热性能上有什么差异,如何根据实际应用场景选择合适的封装?
    力源信息-吴工
    可以看下规格书中的热阻参数
  • yuanyufang
    onsemi SiC如有车规级的产品,是哪些系列或者型号?
    力源信息-吴工
    通常NV开头的是车规级产品
  • yuanyufang
    onsemi SiC是否有车规级的产品?
    力源信息-吴工
    有的,大部分型号都有车规,工规两个版本
  • yuanyufang
    onsemi SiC是否支持申请样品? 如果可以申请样品,如何申请?
    力源信息-吴工
    可联系当地代理商或者原厂申请
  • xscc
    onsemi SiC产品中,哪些常用型号更适合用于测试电源的高频开关场景?​
    力源信息-王工
    SiC产品都适用于高频场景,可以根据具体的应用选取合适的规格
  • zhaoyg0825
    有没有自己的驱动芯片。
    力源信息-王工
    有专门的隔离单通道/双通道驱动IC,可以在安森美的官网关注下此类产品
  • chinapon
    驱动要负压关断吗?
    力源信息-王工
    需要,推荐+18v/-3V
  • taso
    21页这里面列的这些封装, 那种散热性能最强
    力源信息-吴工
    单看封装的话是TO-247
  • taso
    那NVB, NTB也是车规和工规的差别? V代表vehicle?
    力源信息-吴工
    是的
  • taotoby
    M3S MOSFET 的导通电阻和开关损耗均较低吗?
    力源信息-吴工
    相同Rdson对比下,M3S的开关损耗更低
  • taso
    第18页ppt,里面展示的D2PAK与TO-247封装在驱动设计中的电感差异对开关损耗有何影响?
    力源信息-吴工
    D2PAK由于是贴片封装,引脚寄生电感更小,开关损耗会低些;但由于247封装散热面积大,247的散热更好
  • flyingstar
    SiC功率管使用,需要配套的驱动芯片有哪些推荐的型号?安森美自产的还是其他品牌都可以。
    力源信息-王工
    onsemi有专门的隔离单通道/双通道 SiC驱动芯片,比如单通道的NCD57080/90、NCP51152,NCP51752等,双通道的NCP51561等
  • cff909105
    onsemi SiC M4相较于M1、M2、M3有哪些优势?成本可以降低多少?
    力源信息-王工
    M4是使用了沟槽技术,当前还未出来,M1/M2/M3是平面技术,目前我们更推荐M3代的产品
  • zhyouer
    目前碳化硅的耐击穿电压会更高吗?
    力源信息-吴工
    目前最高是1700V
  • 高点点
    是否有车规级SiC模块(AEC-Q101认证)可应用于双向充电桩
    力源信息-王工
    有的,可以在官网关注下
  • 高点点
    针对ESS的电池管理模块,推荐哪种封装(如TO-247-4L或D2PAK-7L)以平衡散热与体积
    力源信息-吴工
    建议TO-247-4
  • 高点点
    动态参数(如Eoss、Coss)对高频开关电源效率的影响如何量化
    力源信息-吴工
    如开关损耗占比太大,可适当降低开关频率
  • linghz
    安森美有碳化硅器件仿真软件吗?
    力源信息-吴工
    官网上有在线仿真工具
  • taotoby
    onsemi SiC有哪些优势?
    力源信息-杨工
    安森美拥有SiC衬底生长、外延、器件制造和封装的完整生产能力,确保供应链稳定性和成本优化,采用先进的衬底和外延技术,显著降低了导通电阻,从而减少导通损耗,提升效率。
  • yinxx
    在太阳能逆变器 (Solar Inverter) 和储能系统 (ESS) 应用中,安森美 SiC 器件(MOSFET 和二极管)相比传统硅基器件能带来哪些具体的系统级优势?
    力源信息-王工
    体积更小功率密度更高、散热更好
  • taso
    Rdson和传统方案比能有多大程度的减少?
    力源信息-吴工
    传统的SI-MOS很难做到高耐压低Rdson, 目前onsemi的1200v SIC,单管最低Rdson为13mR
  • zhyouer
    碳化硅器件是不是要特别注意负压驱动?
    力源信息-杨工
    是的,碳化硅(SiC)功率器件在实际应用中需要特别注意负压驱动,推荐-3V至-5V关断
  • linghz
    安森美的碳化硅 MOSFET最高耐压多少?
    力源信息-杨工
    安森美碳化硅最高耐压是1700V,目前也在根据市场开发更高耐压的产品
  • zhyouer
    碳化硅对提升性能方面具有什么优势?
    力源信息-吴工
    可以提升效率,减小体积,简化设计
  • flyingstar
    发错了,安森美功率器件封装有几种?
    力源信息-杨工
    TO-247-3L、TO-247-4L、D2PAK-7L、TOLL等,后期还会有Power88、TOLT 封装的产品
  • taso
    SiC器件在-50℃至220℃宽温域下的性能稳定性如何验证?
    力源信息-吴工
    最高结温175度
  • zhyouer
    安森美目前可提供哪些封装的SIC单管和模块?
    力源信息-杨工
    单管有TO-247-3L、TO-247-4L、D2PAK-7L、TOLL等,后期还会有Power88、TOLT 封装的产品,模块有一些半桥、全桥等产品,后期可以联系我们给您碳化硅产品介绍手册
  • yinxx
    安森美 SiC MOSFET 的 M3 技术相较于前代产品 (M1, M2) 在哪些关键性能参数上实现了显著提升?
    力源信息-吴工
    其FOM1, FOM2指标提升明显,体现在开关损耗比较低
  • flyingstar
    测试碳化硅,怎么测试导通损耗?
    力源信息-王工
    onsemi官网提供在线仿真,可以关注下
  • HelloDigger
    onsemi的SiC MOSFET有哪些封装类型?
    力源信息-王工
    TO-247-3/4,D2PAK-7L,TOLL等,后续还会有顶部散热的新产品出来
  • 高点点
    有无针对SiC的在线仿真工具(如SPICE模型)供设计阶段验证
    力源信息-吴工
    官网上有在线仿真工具
  • 高点点
    贵司SiC肖特基二极管的反向恢复电荷(Qrr)比竞品低多少?对PFC电路有何影响
    力源信息-吴工
    可看具体型号的规格书,可以减少反向损耗和EMC问题
  • flyingstar
    封装形式是否会对温升有影响?
    力源信息-吴工
    有的,不同封装热阻是不一样的
  • zhyouer
    SIC本身的操作温度可以低至多少度?
    力源信息-吴工
    -55度
  • flyingstar
    SIC驱动负压关断怎么设计?
    力源信息-吴工
    可以采用变压器绕组供电,或者采用专用芯片
  • flyingstar
    碳化硅驱动设计需要特殊设计吗?
    力源信息-吴工
    建议驱动电压+18V,-3V
  • zhyouer
    安森美的碳化硅分立器件,是否有车规级的产品?
    力源信息-王工
    有的,每种型号基本都有车规版本
  • 高点点
    贵司SiC模块产品线是否覆盖新能源ESS常用的半桥/全桥拓扑
    力源信息-吴工
    可以的
  • 高点点
    驱动onsemi SiC器件时,栅极电阻选型需重点考虑哪些参数
    力源信息-吴工
    重点看开关速度,波形是否震荡等
  • zhyouer
    SIC moset 的驱动一定需要负压吗?
    力源信息-王工
    带负压保证更可靠的开关,onsemi推荐+18V/-3V驱动电压平台
  • Q222
    onsemi SiC产品线中,针对测试电源和ESS(储能系统)的常用型号有哪些?
    力源信息-吴工
    1200V的 70mR/30mR/22mR, 650V的 32mR/23mR
  • zjk103
    安森美在光伏行业相关有哪些产品?
    力源信息-杨工
    安森美在光伏行业提供了一系列产品,主要集中在功率转换、能源管理和系统控制领域,功率器件(SiCMOS/IGBT/高压MOSFET)等,还有一些栅极驱动器跟电流、电压传感器等。
  • Jerrfy
    光伏上面用的,工作温度范围是在多少以内的,最高是125度吗
    力源信息-吴工
    结温最高175度,表面温度建议在130度以内
  • flyingstar
    怎么解决碳化硅负压尖峰的问题,有没有成熟的电路
    力源信息-吴工
    通常是优化驱动电路,包括驱动电阻大小,PCB走线,增加吸收电路等
  • z15305419779
    onsemi SiC 常用型号和技术特点有哪些?谢谢
    力源信息-吴工
    常用的是M3系列,以1200V和650V为主
  • 哈1哈
    安森美SiC器件应用于光伏逆变器功率损耗能提高多少?
    力源信息-吴工
    需要结合具体的应用条件,比如开关频率,控制方式等,不同条件下是不一样的
  • 18741596497
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 13315235233
    获得
    米家精修螺丝刀套装
  • 13501224813
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 18923422256
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 15306482919
    获得
    小米解压指尖玩具
  • 18606371510
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 13920362457
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 18520056764
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 15040135083
    获得
    京东卡-20元
  • 15873290725
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 13537862182
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 15902409247
    获得
    京东卡-20元
  • 15306482919
    获得
    米家声波电动牙刷 T100
  • 18616283093
    获得
    小米解压指尖玩具
  • 18531220350
    获得
    米家精修螺丝刀套装
  • 18682182093
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 13811351300
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 17838755082
    获得
    小米mini保温杯
  • 15012888824
    获得
    小米-小米体脂秤2
  • 13137889916
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 13608439903
    获得
    公牛无线插座
  • 13705990050
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 15902409247
    获得
    米家声波电动牙刷 T100
  • 13333860934
    获得
    小米解压指尖玩具
  • 18531220350
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 18028793149
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 18923422256
    获得
    公牛无线插座
  • 13404169885
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 13622559396
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 15675256386
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 15312038363
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 13920362457
    获得
    米家精修螺丝刀套装
  • 13952525945
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 13656679419
    获得
    小米解压指尖玩具
  • 18682083016
    获得
    小米mini保温杯
  • 18259466168
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 18741596497
    获得
    小米mini保温杯
  • 15851808478
    获得
    米家声波电动牙刷 T100
  • 15810789704
    获得
    小米解压指尖玩具
  • 15805535958
    获得
    小米解压指尖玩具
  • 18971504689
    获得
    京东卡-20元
  • 17326100869
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 18914035679
    获得
    米家偏光太阳镜
  • 18949768090
    获得
    小米解压指尖玩具
  • 13608439903
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 18664559711
    获得
    《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》
  • 15230050656
    获得
    京东卡-20元
  • 13774204972
    获得
    U盘
  • 13333860934
    获得
    U盘
  • 15201487269
    获得
    小米-mini保温杯
  • 18926059003
    获得
    无线充电器
  • 18627742565
    获得
    智能插座
  • 13387550610
    获得
    京东卡-20元
  • 13580870765
    获得
    U盘
  • 13520165732
    获得
    智能插座
  • 13306176857
    获得
    小米-mini保温杯
  • 15902409247
    获得
    京东卡-20元
  • 18914035679
    获得
    小米-小背包
  • 13854781073
    获得
    U盘
  • 13611814636
    获得
    小米-小米极简双肩包(灰色)
  • 13137889916
    获得
    小米-mini保温杯
  • 19991490321
    获得
    无线充电器
  • 15860750287
    获得
    智能插座
  • 18914035679
    获得
    小米-小背包
  • 15542805758
    获得
    小米-小背包
  • 13608439903
    获得
    京东卡-20元
  • 13103752985
    获得
    小米-小背包
  • 13645603649
    获得
    智能插座
合作企业